无线网络融合的安全技术研究

融合多种网络可满足用户长日寸间连接和尽可能获得较高数据传输速率的需要，但融合后的网络也将各种网络的安全缺陷带进融合网络中。这不但给融合网络的运行带进各种原有的安全问题，而且增加了一些新的安全问题。对此，文章提出了基于恢复的多重防护解决方案，并使用公钥加密算法鉴权。使用私钥对通信数据进行加密。该方案可以为系统提供可靠的安全性，并实现用户对服务的不可抵赖性。该方案还处于研究起步阶段，下一步还需要明确各层的正确行为，以及出现多个恶意节点对某个合法节点诬陷时所应采取的行动。     

涤纶工业丝环吹风改造的设计计算

应用PET纤维的冷却成形理论 ,结合空气调节的相关知识 ,提出了环吹风的设计计算方法 ,对涤纶工业丝环吹风进行了设计改造 ,满足了纺丝工艺要求     

陆东凹陷油气藏烃类组成非均质性及其意义

陆东凹陷原油和油砂抽提物中烃类的宏观组成存在着明显的非均质性。在高孔隙度(>15%)储层单元中,饱和烃的含量高,占总组成的含量均大于40%,而极性化合物则相对较低,一般不足40%;相反,在低孔隙度(<15%)储层单元中,饱和烃的含量明显降低,而极性化合物则显著增加。此外,陆东凹陷原油和油砂抽提物中烃类成熟度亦存在着非均质性:在高孔隙度储层中,原油和油砂烃类的成熟度参数高,而在低孔隙度储层中原油和油砂烃类的成熟度参数低。根据原油和油砂抽提物中烃类的宏观组成特征和成熟度参数的变化规律,提出了陆东凹陷油气聚集模式。     

半导体量子点中极化子的有效质量

研究了半导体量子点中极化子的有效质量.采用改进的线性组合算符方法,导出在电子-体纵光学声子(LO)强耦合时抛物量子点中极化子的振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和电子-声子耦合强度的变化.对RbCl晶体量子点进行了数值计算,结果表明,量子点受限越强,半导体量子点中强耦合极化子的振动频率和有效质量就越大;极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加,当达到极值后,随受限强度的增加而急剧减少     

锂离子电池用聚合物电解质的最新进展II.含液聚合物电解质

由于干态聚合物电解质目前还不能满足聚合物锂离子电池的应用要求,人们致力于开发含液体增塑剂的聚合物电解质,包括凝胶型和微孔型两类体系。本文综述了含液聚合物电解质的最新进展,重点论述了各种新体系和新方法。     

三网互联的几个关键技术

对三网互联的几个关键技术进行分析与研究，介绍利用IP技术解决有线电视网地址选择问题，探讨怎样将ATM技术与IP技术相互融合，使真正的信息高速公路成为现实，阐述利用H．323标准全面解决视频网络方案。     

Throughput analysis for multicast switches with multiple input queues

This letter analyzes the saturated throughput for multicast switches with multiple input queues per input port. Under the assumptions of a Poisson uniform traffic model and random packet scheduling policy, we derive the multicast switch saturated throughput under different fanouts. To verify the analysis, extensive simulations are conducted with different switch sizes and fanouts. It is shown that the theoretical analysis and the simulation results have a discrepancy less than 1.9%. Results from this letter can be used as a guidance to design the optimal queuing for multicast switches.     

基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。     

End‐Capping as a Method for Improving Carrier Injection in Electrophosphorescent Light‐Emitting Diodes

The electronic properties, carrier injection, and transport into poly(9,9‐dioctylfluorene) (PFO), PFO end‐capped with hole‐transporting moieties (HTM), PFO–HTM, and PFO end‐capped with electron‐transporting moieties (ETM), PFO–ETM, were investigated. The data demonstrate that charge injection and transport can be tuned by end‐capping with HTM and ETM, without significantly altering the electronic properties of the conjugated backbone. End‐capping with ETM resulted in more closely balanced charge injection and transport. Single‐layer electrophosphorescent light‐emitting diodes (LEDs), fabricated from PFO, PFO–HTM and PFO–ETM as hosts and tris[2,5‐bis‐2′‐(9′,9′‐dihexylfluorene)pyridine‐κ²NC_3′]iridium(III ), Ir(HFP)₃ as the guest, emitted red light with brightnesses of 2040 cd m^–2, 1940 cd m^–2 and 2490 cd m^–2 at 290 mA cm^–2 (16 V) and with luminance efficiencies of 1.4 cd A^–1, 1.4 cd A^–1 and 1.8 cd A^–1 at 4.5 mA cm^–2 for PFO, PFO–HTM, and PFO–ETM, respectively.