基于循环前缀的单载波直接序列扩频技术(CP/CDMA)

介绍了下行链路中基于循环前缀的单载波直接序列扩频技术(CP/CDMA)。这种技术结合了多载波系统中的循环前缀和频域均衡,具有较低的复杂度。同时保留了单载波系统发射端复杂度低的优点。在时变信道中,利用基于辅助数据的信道估计方法,即每隔一定帧数的数据帧发送一帧训练序列来估计信道。在仿真中使用了信道编码。     

TD-SCDMA标准化进展

依据演进次序，从3GPP R99、3GPP R4、3GPP R5、3GPP R6和3GPP R7五个方面对TD-SCDMA系列标准进行了概括的介绍，并对各标准的主要特点和新增功能进行了概述。     

日本公众理解科学实践的一个案例：关于“转基因农作物”的“共识会议”

随着公众理解科学理论的发展,在"缺失模型"显示出越来越多的问题之后,各国开始探索让公众参与决策与科学技术有关的公共性事务的方式,共识会议就是其中一种很具代表性的尝试.本文以日本2000年召开的第一次全国范围的共识会议作为案例,对其背景、主要内容、意义和存在的问题进行了简要的分析和讨论.这种研究从一个特定的方面使我们对于日本公众理解科学实践有所认识,并可带来有益的思考.     

Internet Application Technologies in Web 2.0 Era

The Internet has stepped into Web 2.0 era. Web 2.0 application technologies and services are rapidly developing, accompanied by the innovation and revolution of business models. This article analyzes the development of Web 2.0 technologies and their promotion role in the development of Internet services, discusses the implementation of Web 2.0 core concepts (including user participation, resource sharing and platform) by the multiple Internet application technologies, and gives the development trends of Internet application technologies.     

高温AlN为模板的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器

第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核化层的高温AlN模板上生长了p-i-n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分(0.7)AlGaN多层外延结构.利用在线反射监测仪、三轴X射线衍射及原子力显微镜表征了外延材料的晶体质量.在1.8V的反向偏压下,制作的探测器表现出了日光盲响应特性,在270nm处最大响应度为0.0864A/W.具有约3.5V的正向开启电压,大于20V的反向击穿电压,在2V的反向偏压下暗电流小于20pA.     

80dB动态范围,用于低中频结构GSM接收机的∑△调制器

介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度∑△调制器.该调制器采用3阶单环单比特的结构,电路使用全差分开关电容结构实现,并在0.6μm 2P2M CMOS 工艺下流片验证.调制器使用全差分±1V参考电压,工作在26MHz采样频率,过采样率为64.测试结果表明,在200kHz信号带宽内,调制器达到80.6dB动态范围,峰值SNDR达到71.8dB,峰值SNR达到73.9dB.整个调制器电源电压为5V,静态功耗为15mW.     

一种1.8V 10位120MS/s CMOS电流舵D/A转换器IP核

采用低摆幅低交叉点的高速CMOS电流开关驱动器结构和中心对称Q2随机游动对策拓扑方式的pMOS电流源阵列版图布局方式,基于TSMC 0.18靘 CMOS工艺实现了一种1.8V 10位120MS/s分段温度计译码电流舵CMOS电流舵D/A转换器IP核.当电源电压为1.8V时,D/A转换器的微分非线性误差和积分非线性误差分别为0.25LSB和0.45LSB,当采样频率为120MHz,输出频率为24.225MHz时的SFDR为64.9dB.10位D/A转换器的有效版图面积为0.43mm×0.52mm,符合SOC的嵌入式设计要求.     

多晶硅薄膜晶体管自加热效应温度分布的有限元模拟

采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布.通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟,研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长等关键因素的影响.确认了改善器件自加热退化的有效途径,同时有助于揭示多晶硅薄膜晶体管自加热退化的内在机制.     

1.46～1.66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管

报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果.该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术,器件在1.46～1.66GHz频带内,脉宽200μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于250W,功率增益大于7.0dB,效率大于45%.     

基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计

基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上.介绍了功率输出级、过流保护电路以及高性能轨-轨比较器的设计,并基于横向双扩散MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失真的影响.最后给出了所设计的D类音频功率放大器的测试结果.