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981.
李官军  卢乙  殷实  余豪杰  李先允  殷帆 《电气传动》2021,51(15):16-19,24
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)凭借高工作温度、高开关频率和低导通损耗等优点,被广泛应用于高压、高温和高工作频率场合,但SiC MOSFET的短路耐受时间较小,仅为2~5μs,这对SiC MOSFET的短路保护电路提出了更高的要求.首先总结分析SiC MOSFET短路故障特性,然后基于源极电感检测法设计一款SiC MOSFET短路保护电路并简要分析其工作原理,最后搭建实验平台进行实验验证.实验结果表明,所设计的短路保护电路结构简单,当SiC MOSFET发生硬开关短路故障或负载短路故障时,保护电路能够在故障发生的1μs内关断器件,保证器件的安全运行.  相似文献   
982.
针对冶金行业数据采集设备在恶劣工况下对多种过程信号进行数据采集的需求,设计了一种基于进阶精简指令集处理器(ARM)和现场可编程门阵列(FPGA)的组网式多通道数据采集系统.该系统实现了单个采集模块8路模拟量、8路数字量同步隔离采集、缓存、上传,并可通过高速光纤实现至多10个采集模块并联,具有体积小、成本低、抗干扰能力强等特点.实验结果表明,该数据采集系统精度高、可靠性高,各项指标满足工业现场应用需求.  相似文献   
983.
针对电抗器绕组匝间绝缘具体故障处置难度大、试验代价高等问题,为研究其无功补偿回路电流、电抗器电压和电抗器有功功率等参数变化情况,利用有限元仿真软件Comsol和电路仿真模块Matlab/simulink进行综合仿真分析.  相似文献   
984.
本文中作者结合油色谱数据分析与电气试验,提炼出一种变压器油色谱异常故障的诊断方法.应用该方法,对故障变压器进行了检测,介绍了分析过程,并提出了相关建议.  相似文献   
985.
金雷  鲁非  周凯  罗维  刘睿 《变压器》2021,58(9):84-87
介绍了一起220kV变压器真空有载分接开关故障案例,分析了真空有载分接开关的故障原因,并提出了针对性的防范措施.  相似文献   
986.
刘梦  陆林  邱景义  陈俊红  赵鹏程 《电源技术》2021,45(11):1510-1513
氢的安全、经济和高效储运是制约燃料电池-氢能推广应用的重大障碍.金属化合物固态储氢因理论质量储氢密度高、体积占比小、储氢压力低和安全性高,是以潜艇为代表的密闭空间场合用燃料电池的首选氢源,但热力学稳定和动力学释放氢缓慢等问题限制了其性能的发挥.碳材料因强结构设计性、独特的电子性质和高导热性,在金属化合物储氢中的研究日益广泛.基于此,从纳米结构约束、催化剂和添加剂三个角度,对金属化合物储氢中碳材料的应用进行了归纳,阐述了金属化合物/碳复合材料的制备和结构以及碳发挥有益效果的作用机制.  相似文献   
987.
王海波  曹勇  王义飞  苏峰  卢兵荣 《电源技术》2021,45(11):1517-1519
导电剂作为锂离子电池电极配方中的重要组成部分,对降低电极和全电池电阻率,提高全电池使用性能具有重要作用,且不同类型导电剂对电池合浆工艺和电池性能具有显著影响.介绍了锂电池化学体系设计中常用的几种导电剂,分析了不同导电剂在合浆过程中的加工性能利弊,并结合导电剂的使用类型,提出了优化合浆工艺以改善电极及电池性能的方法.  相似文献   
988.
卢盛华  郭勇  刘俊杰 《无损检测》2007,29(3):165-167
焊缝射线照相中,在底片上得到的只是一张平面投影图,除中心透照法外,其它透照法所得到的缺陷影像会沿焊缝方向相对于实际位置产生不同程度的位移。有些标准如JB4730-2005和GB3323—2005对K值有严格要求,位移量还不是很大,但另一些标准,如SY4056-1993,GB/T12605-1990和美国API标准中对K值没有要求,  相似文献   
989.
模糊控制器以其结构简单、鲁棒性强、不需要被控对象的数学模型及粗调快速等优点被广泛应用于工业控制系统。但是,常规模糊控制器也存在控制精度不高、"调节死区"等问题。本文通过对普通模糊控制器的改进,研究出一种高精度模糊控制策略,并将其应用于校直机液压伺服控制系统。最后对控制系统进行了仿真研究,取得了较为满意的效果。仿真结果表明,与常规的模糊控制算法相比,该控制算法具有超调小,响应快等优点。  相似文献   
990.
新型咪唑啉衍生物油田注水缓蚀剂的研究   总被引:8,自引:1,他引:8  
使用长链脂肪酸、多胺、甲醛和三氯化磷等为原料合成了咪唑啉有机膦酸类缓蚀剂。在模拟油田注水条件下,采用静态挂片、极化曲线和交流阻抗等测试方法评价了缓蚀剂的缓蚀性能,并对缓蚀剂的成膜机理进行了一些研究与探讨。  相似文献   
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