微机接口技术系列课程实践教学改革

本文结合我校自动化专业人才培养方案的实施以及微机接口类课程具有实践性和工程性强等特点,在课程化改革系列课程的实验内容、方法和手段基础上,提出并建立了以"微机原理与接口技术"实验课程为基础的课程群实践教学体系;构建综合实践创新平台,加强实践教材内涵建设和信息资源建设。此项实验教学改革成果表明,改革促进了创新人才培养,提高了学生的实践能力和综合素质。     

H.264编码器软硬件设计和运动估计算法研究

介绍了基于DSP的H.264编码器实现硬件设计,对其关键部分作了功能说明,给出了基于DSP的软件设计思想,提出了多参考帧的运动估计快速算法--三维菱形搜索法(TDDS).     

等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展

先进过程控制(APC)是一个多层次的控制系统,其包含了实时的设备及工艺控制和非实时的RtR控制.APC引入等离子体刻蚀过程控制可极大提高刻蚀机的使用效率.针对等离子体刻蚀过程,本文分别从实时控制和RtR控制两个不同层次展开了论述,概述了RtR控制器中所使用的线性回归模型和神经网络模型.最后,讨论了APC技术的发展趋势.     

Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes

Studies on first GaN-based blue-violet laser diodes(LDs) in China mainland are reported.High quality GaN materials as well as GaN-based quantum wells laser structures are grown by metal-organic chemical vapor deposition method.The X-ray double-crystal diffraction rocking curve measurements show the fullwidth half maximum of 180″ and 185″ for (0002) symmetric reflection and (10-12) skew reflection,respectively.A room temperature mobility of 850cm2/(V·s) is obtained for a 3μm thick GaN film.Gain guided and ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated with cleaved facet mirrors at room temperature under pulse current injection.The lasing wavelength is 405.9nm.A threshold current density of 5kA/cm2 and an output light power over 100mW are obtained for ridge geometry waveguide laser diodes.     

溶胶-凝胶提拉法制备MgxNi1－xO薄膜与表征

利用溶胶-凝胶提拉法在石英玻璃衬底上制备出吸收边波长位于地球表面太阳光谱日盲区(240～280nm)内的MgxNi1－xO薄膜．XPS和XRD结果显示，MgxNi1－xO在1000℃下形成具有立方结构的固溶体；紫外可见吸收谱结果表明，MgxNi1－xO吸收边随着Mg含量的变化而发生改变，当Mg含量x在0.2～0.3之间时，薄膜的吸收边波长在248～276nm范围内可调;光电响应测试结果表明，MgxNi1－xO薄膜（ｘ＝0.3）对太阳光不敏感,而对波长为254nm的紫外光具有很好的光电导特性，光照前后薄膜电阻变化率达40％，因此，我们可以认为MgxNi1－xO（x=0.2～0.3）薄膜材料有望应用于日盲区的紫外探测．     

A High Performance InP HEMT with Saw-Toothed Source and Drain

Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒｗａｖｅ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｉｓ　ｖｅｒｙ　ｉｍｐｏｒｔａｎｔ　ｆｏｒ　ＭＭＩＣ　ｄｅｓｉｇｎ　ａｎｄ　ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ．Ａｎ　ＩｎＰ　ＨＥＭＴ　ｗｉｔｈ　ｓａｗｔｏｏｔｈｅｄ　ｓｏｕｒｃｅ　ａｎｄ　ｄｒａｉｎ　ｉｓ　ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ．Ｔｈｅ　ｐａｔｔｅｒｎ　ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ　ｄｕｅ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　ｉｓ　ａｖｏｉｄｅｄ．Ｈｉｇｈ　ｙｉｅｌｄ　ＩｎＰ　ＨＥＭＴ　ｗｉｔｈ　ｇｏｏｄ　ＤＣ　ａｎｄ　ＲＦ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓ　ｉｓ　ｏｂｔａｉｎｅｄ．Ｔｈｅ　ｄｅｖｉｃｅ　ｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ　ｉｓ　１０５０ｍＳ／ｍｍ，ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｉｓ　－１.０Ｖ，ａｎｄ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｇａｉｎ　ｃｕｔ　ｏｆｆ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｉｓ　１２０ＧＨｚ．     

金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证

在正统理论的基础上，使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程．将电容、电阻和温度等参数代入器件模型得到的I-V特性曲线与实验结果吻合较好，从而验证了模型、算法以及程序流程的正确性．此外，通过详细讨论模拟与实验的三组曲线差别，得到模型使用主方程的稳态解是导致模拟与实验之间结果存在差别的主要原因，即求解含有时间的主方程将增加模拟精度；而且，指出镜像电荷引起的电势使电流随电压呈现指数增加的主要影响因素，明显偏离理论模拟的线性增加趋势．     

基于TMS320VC5402的数字式音频前级处理系统设计

介绍了自行研制的一种基于TMS320VC5402的模块化数字式音频前级处理系统。阐述了系统的硬、软件设计,讨论了其中关键技术的实现途径。最后介绍了该方案在客运广播系统中的应用。     

GaAs分子束外延中硅阶梯掺杂优化及C-V测量

以硅作为砷化镓分子束外延（MBE）生长中的n型掺杂剂，为了确定硅的掺杂浓度，在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层，每一层中进行不同浓度的Si掺杂，然后用电化学C—V的方法确定各层中的载流子浓度，一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的温度之间的关系曲线。本文还介绍了如何采用控制生长的条件得到陡峭的界面，使不同掺杂浓度的层与层之间的界面变化非常明显。     

HgCdTe焦平面探测阵列干法技术的刻蚀速率研究

首次报道了HgCdTe焦平面探测器微台面列阵成形工艺的干法技术有关刻蚀速率的一些研究结果。从HgCdTe外延材料的特点出发,详细分析了其干法刻蚀适用的R IE(Reactive Ion Etching)设备、刻蚀原理以及刻蚀速率的影响因素。采用ICP ( Inductively Coup led Plasma)增强型R IE技术,研究了一种标准刻蚀条件的微负载效应( etch lag)对刻蚀速率的影响,以及刻蚀非线性问题,并获得刻蚀速率随时间的关系。