铜离子注入T700/6421复合材料层板低速冲击损伤的研究

对T700/6421复合材料层压板进行铜离子注入,改变其表面性能,使得低速冲击损伤表面目视勉强可检(BVID).用TEM观察离子注入深度、形貌及分布情况,对离子注入前后的复合材料进行了显微硬度的测定,并进行了落锤冲击试验,结果表明:离子注入后的复合材料显微硬度明显增加,受低速冲击后,表面更容易出现深凹坑,表面目视可检损伤更容易实现,冲击后压缩强度增加,从冲击过程的动态力学响应特性可以得知,离子注入后的复合材料受冲击时分层起始载荷有所提高,最大接触力也有相应增加.     

静电纺丝法制备SiO2纳米纤维及其形貌的调控

一维SiO2纳米纤维以其独特的长径比,优异的力学性能以及热学性能,广泛应用于分离、催化以及传感器领域。以高压静电纺丝技术为基础,结合无模板剂的溶胶-凝胶法合成了直径均匀、连续无裂痕的SiO2纳米纤维。研究表明,合成的SiO2纳米纤维形貌良好,直径约为0.5～3μm,为无定形结构。通过改变陈化时间,调整凝胶的粘稠度,从而控制电纺SiO2的形貌与结构,得到了SiO2碗状结构和不同直径的纳米纤维,证明了利用无模板的溶胶-凝胶法静电纺丝的可行性。     

船舶冷藏集装箱内温度场数值分析及优化

为研究和改善载货后船舶集装箱内温度分布的不均匀性,以20 ft冷藏集装箱为研究对象,对现有T型槽道送风方式进行改进和优化,提出了一种新型局部送风方式;利用ICEM-CFD软件建立模型并进行仿真计算,揭示冷藏集装箱内温度分布特性,与原始模型进行对比分析,结果表明:在箱门附近引入局部送风系统可有效改善箱内温度分布,有效控制箱内温差1~2K,减小局部高温区域面积。局部送风系统还可以延迟装载货物时箱内温度上升速率,有效降低箱内能量损失。文章对进一步开展船舶冷藏集装箱内温度控制和节能优化具有借鉴意义。     

基于案例分析的国际标准优势评价指标研究

在国际贸易中,技术标准不仅成为限制他国产品准入的手段,也是影响一个国家产业发展的重要问题。因此,各发达国家均注重选择本国具有优势的技术标准并将其转化为国际标准。科学、合理地选择评价指标是技术标准优势评价的基础和关键。评价指标的选取和提炼,应以我国自主提出国际标准的典型案例为依据。本文通过对我国主导制定国际标准的典型案例开展研究,进而提炼优势评价关键指标,作为建立技术标准评价方法的基础。     

小型货车随机振动谱的测量

概述了包装/产品在流通过程中经受的随机振动.并在小型货车上对随机振动谱进行了实际测试.测试结果的分析,对包装/产品的设计有很好的意义.     

顶板冲击载荷作用下巷道支护体系动力响应特征研究

基于某矿实际地层分布与巷道支护情况,建立了全围岩煤矿巷道和邻近采空区巷道的动力学数值模型,分析了巷道上方不同位置冲击动力下巷道围岩和支护体系的动力响应规律以及邻近采空区小煤柱护巷对巷道支护防冲的影响.研究结果表明:巷道正上方坚硬顶板冲击动力下,巷道直接顶围岩质点运动速度和冲击力最大,随着冲击动力源沿顶板展布方向偏离巷道...     

柜式空调器室内机风阻的试验与计算研究

通过柜式空调器室内机KFR-70L两种不同进气状态下的整机风阻试验,拟合得出了一个计算整机风阻的公式,并用另一台柜式空调器室内机KF-60L的整机风阻试验数据对计算公式进行了检验和修正,公式可为类似柜机风阻的估算提供参考.同时也对KF-60L和KFR-70L产生风阻的各部件:进气面板、箱体、蒸发器,分别进行了风阻试验,结果表明:在较好的进气状态下,柜式空调器箱体的风阻占有最大的比例,依次是蒸发器与进气面板;进气状态的恶劣将会使整机风阻明显增高,性能变差.     

Deform有限元模拟软件材料数据库的开发与应用

Deform是专业化金属塑性成形有限元模拟软件之一,在金属2D/3D成形加工和热处理工艺的模拟分析方面得到了广泛应用。然而,在Deform自带的材料数据库中缺乏常用合金的数据,迫切需要对其进行完善。在Deform原有材料库的基础上对材料数据库进行二次开发,建立了涵盖常用60种钢、26种高温合金和30种钛合金的材料数据库,实现了材料数据库与Deform有限元模拟软件的无缝集成,完善了Deform材料数据库,并验证了所添加材料的可靠性,从而达到了Deform有限元模拟软件为实际生产提供方便服务的目的。     

使用XML实现DXF图形文件的数据挖掘

根据DXF图形文件的特点,设计了XML 模式,确定了XML文件格式.将DXF图形文件转换成XML文件,于是对DXF文件的数据挖掘变成了对XML文件的数据挖掘.确定了数据挖掘的体系结构,构建了数据仓库中的元数据.从XML文件中提取几何形体,并确定其位置关系,形成了工程图形数据仓库.     

Tunable SnSe2/WSe2 Heterostructure Tunneling Field Effect Transistor

The burgeoning 2D semiconductors can maintain excellent device electrostatics with an ultranarrow channel length and can realize tunneling by electrostatic gating to avoid deprivation of band‐edge sharpness resulting from chemical doping, which make them perfect candidates for tunneling field effect transistors. Here this study presents SnSe₂/WSe₂ van der Waals heterostructures with SnSe₂ as the p‐layer and WSe₂ as the n‐layer. The energy band alignment changes from a staggered gap band offset (type‐II) to a broken gap (type‐III) when changing the negative back‐gate voltage to positive, resulting in the device operating as a rectifier diode (rectification ratio ~10⁴) or an n‐type tunneling field effect transistor, respectively. A steep average subthreshold swing of 80 mV dec^?1 for exceeding two decades of drain current with a minimum of 37 mV dec^?1 at room temperature is observed, and an evident trend toward negative differential resistance is also accomplished for the tunneling field effect transistor due to the high gate efficiency of 0.36 for single gate devices. The I _ON/I _OFF ratio of the transfer characteristics is >10⁶, accompanying a high ON current >10^?5 A. This work presents original phenomena of multilayer 2D van der Waals heterostructures which can be applied to low‐power consumption devices.