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11.
This letter presents some further results on the local stability in equilibrium for Internet congestion control algorithm proposed by Low et al., (IEEE/ACM Transactions on Networking, 1999). The propagation delay d(t) is assumed to be time-varying and have maximum and minimum delay bounds (i.e., d/sub m//spl les/d(t)/spl les/d/sub M/), which is more general than the assumption (0相似文献
12.
研究了用固体润滑石墨、碳化硅、二硫化钼等填料改性的聚苯硫醚 (PPS)涂层的耐磨性能。实验结果表明 ,聚苯硫醚复合涂层具有优良的耐磨性 ;加入适量 ( 3 0 % )的石墨、碳化硅等固体润滑剂 (石墨 :碳化硅 =2∶3 ) ,可以有效提高涂层的耐磨性能 ,而二硫化钼和三氧化二铬的减摩效果更佳 相似文献
13.
交流,共享,流动——现代大空间办公模式的优劣与对策 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了现代办公空间设计出现的新要求,通过办公空间演变趋势的探讨,归纳为若干大空间办公模式,并分析、比较其空间性质及特点,以及采用开放式办公布局的优势、不足及解决对策. 相似文献
14.
15.
This article introduces the basic structure of a symmetric self-electrooptic effect device (S-SEED), and applies the Kirchoff' s current law and a purely equivalent capacitive model, to analyze S-SEED's switch characteristics. Linear approximation and N-segment approximation are utilized to obtain S-SEED's voltage-time (V-T) and characteristics. Theoretical analysis is verified by simulations, and the results demonstrate that the precision of S-SEED's switch time can satisfy the requirement in applications with linear approximation. Moreover, the simulations compare S-SEED's switch characteristics with different input powers and input contrast ratios, which reveal that increasing input contrast ratio is an effective way to improve S-SEED's switch characteristics. 相似文献
16.
官泓 《有色冶金设计与研究》2003,24(3):49-51
阐述水厂设计中对水厂规模、水源地、净水厂位置及净水工艺的确定过程,根据原水的特点,通过分析对无阀滤池进行改良。 相似文献
17.
单轴-平面W型复合锶铁氧体的制备及其吸波特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用草酸盐共沉淀和微量掺杂法研制六角晶系W型Ni,Zn,Co,Al多元复合锶铁氧体,通过调节Ni2W同Co2W的摩尔比例,可使该种铁氧体易磁化方向从C单轴型向垂于C轴的平面型转化,控制置换锶铁氧体中部分Fe3 的微量掺杂Al3 ,可以调整4πMs值,提高磁晶各向异性场,测试分析了5种不同含Co量的W型复合锶铁氧体粉料涂层的吸波特性,发现其自然共振吸收峰随Co含量增加向低频方向偏移,最高吸收峰可达32.8dB,是适用于电子隐形技术的高品位的微波吸收剂。 相似文献
18.
19.
Guan L. Christou A. Halkias G. Barbe D.F. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1995,42(4):612-617
A model for the calculation of the current-voltage characteristics of strained In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs on InP substrate High Electron Mobility Transistors (HEMT's), based on a variational charge control model, is presented. A polynomial fit of the two-dimensional electron gas (2DEG) density is used for the calculation of the current-voltage characteristics. The effect of strain is introduced into the 2DEG density versus gate voltage relation. Very good agreement between the calculated and measured I-V characteristics was obtained. In addition, our results show that, for an indium mole fraction of the InxGa1-xAs channel in the range 0.53-0.60, increasing the indium mole fraction lowers the threshold voltage and hence increases the drain current at the same gate bias 相似文献
20.
双乙醛草酰二肼直接快速光度法测定食品中痕量铜 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了双乙醛草酸二肼与铜的显色反应,建立了分光光度法直接测定铜的新方法。试验结果表明,在pH8.0-10.0范围内,Cu2 与双乙醛草酸二肼形成稳定的紫红色配合物。该配合物在540nm处有一最大吸收峰,其表明摩尔吸光系数为2.4×104,铜量在0-12mg/50ml范围内符合比尔定律。共存离子干扰,误差仅 2.00%。用于食品中痕量钢测定.结果准确、可靠。 相似文献