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81.
Effect of doping of carbon nanotubes by magnetic transition metal atoms has been considered in this paper. In the case of
semiconducting tubes, it was found that the system has zero magnetization, whereas in metallic tubes the valence electrons
of the tube screen the magnetization of the dopants: the coupling to the tube is usually antiferromagnetic (except for Cr). 相似文献
82.
83.
水力脉动冲击钻井工具初步研究与试验 总被引:1,自引:0,他引:1
掘力脉动冲击钻井是将水力脉冲、机械冲击振动结合为一体提高钻井速度的一种方法,介绍了辽河油田研制的脉动冲击钻井工具的结构、工作原理及现场试验情况。在潜山混合花岗岩、砂岩,硬脆性泥岩等不同地层的现场试验表明:水力脉动工具工作平稳,未出现蹩跳钻现象,也没有出现脱、落、断、掉等问题,主体安全性、可靠性较好;在潜山混舍花岗岩、砂岩、硬脆性泥岩地层机械钻速提高幅度较大,但在部分泥岩地层效果不佳。试验中发现密封圈耐温性差、脉冲腔易磨损等问题,并据此提出了水力脉动冲击工具的下一步研究方向。 相似文献
84.
研究了厚膜永磁阵列微致动器中的磁场分布,并研究了永磁阵列单元几何尺寸对微致动器电磁力的影响。结果表明,厚膜永磁阵列单元高宽比和磁体单元间隔对微致动器电磁力影响较大磁徕单元高宽比为0.7是一个比较合适的尺寸。 相似文献
85.
86.
高压对气井套管接头螺纹接触应力的影响研究 总被引:6,自引:1,他引:5
高温高压气井对螺纹密封性的要求要比油井更为严格。对于高压气井中的整个管柱,每一段处于不同的力学环境中,发生泄漏的可能性也不同,因此研究压力对气井套管接头螺纹接触应力的影响,对高压气井套管的合理使用尤为重要。利用弹塑性有限元分析方法,建立了API偏梯型螺纹套管接头的有限元模型,分析了气井压力对套管接头接触应力的影响,提供了研究压力对套管接头螺纹接触应力影响的方法。对于井口压力或井底压力超过34MPa的高压气井,应选用气密性良好的特殊螺纹接头,建议采用金属对金属的螺纹接头套管,以加强螺纹部位的连接强度和密封性能。 相似文献
87.
Dong-Soo Yoon Jae Sung Roh Sung-Man Lee Hong Koo Baik 《Journal of Electronic Materials》2003,32(8):890-898
The effect of a thin RuOx layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuOx/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si
contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no
formation of a thin RuOx layer at the RuOx surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film
by pre-annealing leads to the formation of a thin RuOx layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity
of diffusion paths. In particular, the RuOx layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO2-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer.
Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the
RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system. 相似文献
88.
89.
90.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献