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采用信息融合技术的IR/MMW复合导引头的目标跟踪 总被引:2,自引:0,他引:2
从误差测量环节入手,基于IR/MMW双模结构,采用信息融合处理技术提高其估计跟踪精度,最终达到降低制导误差,提高武器性能的目的,仿真结果验证了该方法的有效性。 相似文献
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高温稀土永磁Sm2(Co,Cu,Fe,Zr)17 的制备和性能 总被引:5,自引:0,他引:5
制备了高温稀土永磁材料Sm(Coba1Fe0.26Cu0.05Zr0.026)7.0,研究了磁性能与工艺条件的关系.结果表明:提高烧结温度可使材料的Br和(BH)max增大,但是使Hci降低;适当提高真空预烧温度,可使材料在较低烧结温度下致密化,具有较高的Hci和(BH)max和温度稳定性.真空预烧温度过高使性能的急剧降低,其主要原因是Sm的析出.在最佳工艺条件下材料的磁性能参数分别为:Br1.08T3Hci2286kA/m,Hcb932kA/m,(BH)max220.8kJ/m^3;β20-200℃为-0.19%/℃. 相似文献
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XU Ying LIAO Xianbo DIAO Hongwei Li Xudong ZENG Xiangbo LIU Xiaoping WANG Minhua WANG Wenjing 《稀有金属(英文版)》2006,25(Z1)
Hetero-junction solar cells with an mc-Si:H window layer were achieved. The open voltage is increased while short current is decreased with increasing the mc-Si:H layer's thickness of emitter layer. The highest of V oc of 597 mV has obtained. When fixed the thickness of 30 nm, changing the N type from amorphous silicon layer to micro-crystalline layer, the efficiency of the hetero-junction solar cells is increased. Although the hydrogen etching before deposition enables the c-Si substrates to become rough by AFM images, it enhances the formation of epitaxial-like micro-crystalline silicon and better parameters of solar cell can be obtained by implying this process. The best result of efficiency is 13.86% with the V oc of 549.8 mV, J sc of 32.19 mA·cm-2 and the cell's area of 1cm2. 相似文献
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The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI. 相似文献