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41.
引入自然对流换热系数 ,将固液蓄能数学模型简化为仅用能量方程加以描述。并通过实验测得相变过程的实际温度场 ,证明了自然对流固液相变换热的影响不可忽略 ,验证了固液相变界面移动速率随自然对流换热系数的增大而增大的定性关系  相似文献   
42.
端点、折点、歧点和交点是骨架图形的重要特点是,提出用快速查表法检测侯选特征点,再进行侯选特征点聚集,用局部结构分析,去除假特征点,判别真特征点的类型,并对折点给以大致的定量描述。实验结果表明,该方法能快速有效地找出骨架图形的特征点,在目标识别、字符识别等应用中起着关键作用。  相似文献   
43.
西安脉冲堆计算值和实测结果分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍了西安脉冲堆堆芯布置、计算模型和程序以及计算值与实验测量结果分析。西安脉冲堆在满功率(2MW)下连续运行了72小时,证明西安脉冲堆整个系统和设备是良好的、安全可靠的。根据西安脉冲堆计算值与测量值的比较,证明计算程序可靠,具有较高精度。西安脉冲堆理论计算值与实验测量值符合较好,完全满足工程设计要求,实验测量结果达到了设计指标的要求。  相似文献   
44.
采用信息融合技术的IR/MMW复合导引头的目标跟踪   总被引:2,自引:0,他引:2  
从误差测量环节入手,基于IR/MMW双模结构,采用信息融合处理技术提高其估计跟踪精度,最终达到降低制导误差,提高武器性能的目的,仿真结果验证了该方法的有效性。  相似文献   
45.
高温稀土永磁Sm2(Co,Cu,Fe,Zr)17 的制备和性能   总被引:5,自引:0,他引:5  
制备了高温稀土永磁材料Sm(Coba1Fe0.26Cu0.05Zr0.026)7.0,研究了磁性能与工艺条件的关系.结果表明:提高烧结温度可使材料的Br和(BH)max增大,但是使Hci降低;适当提高真空预烧温度,可使材料在较低烧结温度下致密化,具有较高的Hci和(BH)max和温度稳定性.真空预烧温度过高使性能的急剧降低,其主要原因是Sm的析出.在最佳工艺条件下材料的磁性能参数分别为:Br1.08T3Hci2286kA/m,Hcb932kA/m,(BH)max220.8kJ/m^3;β20-200℃为-0.19%/℃.  相似文献   
46.
The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.  相似文献   
47.
测试了氧化锌颗粒膜电阻响应-恢复特性,讨论了颗粒形态,加热电压、环境气氛、气氛浓度和注入方式等因素对电阻响应-恢复特性的影响。结果表明,随着加热电压的升高,电阻响应-恢复的速度和程度明显加大;断续注入时颗粒膜电阻值的响应随着浓度的增加逐步减弱.  相似文献   
48.
三星公司推出的微处理器S3C44BOX在嵌入式系统中得到了广泛应用.本文提出了由S3C4480X.IS62WV25616BLL和MAX6361组成的掉电保持电路的设计原理.重点介绍了MAX6361微处理器监控电路的工作特性。此电路可实现电源监控.处理器复位、电源自动切换及掉电时的数据保持等功能。  相似文献   
49.
本文介绍了可靠性预计的目的,并对当前较为常见的可靠性预计模型或方法做了比较和说明,也对造成可靠性预计局限性的原因做了分析,最后对在可靠性工程工作中对待可靠性预计的态度做了探讨.  相似文献   
50.
基于VHDL实现单精度浮点数的加/减法运算   总被引:1,自引:0,他引:1  
覃霖  曾超 《电子工程师》2008,34(7):52-55
研究了单精度浮点数加/减法的结构及其设计方法,并在Aldec公司的Active—HDL软件环境下,采用VHDL语言进行设计,并进行了仿真验证,计算精度可以达到10^-7。  相似文献   
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