双纵模激光拍频干涉仪的研究

介绍了一种可对大尺寸工件进行无导轨精密测量的系统。以有高稳定性和强抗干扰能力(室外可达10^-7)的双纵模热稳频He-Ne激光器为光源，其拍频约为790MHz，拍频波长约376μm；以节点为对准标志，最邻近节点到被测点的间距用组合于同一光路中的分系统激光干涉仪测量，分辨率为0．08μm。采用自适应滤波和小波运算大幅度地降低了光电信号噪声，并强化波形。测试表明，测量的不确定度优于30μm／10m，整个测量系统可在0～20m范围内工作。     

谱色散均匀化的计算研究

利用光传输理论对ICF驱动器中使用的光谱色散平滑(SSD)技术作了理论分析，并结合典型的随机相位板(RPP)技术，用计算机模拟了使用光谱色散平滑技术前后激光靶面辐照不均匀性的变化及其技术中不同带宽和调制频率下激光靶面辐照不均匀性的变化。     

模块化蓝光光存储性能静态测试系统

蓝光光存储是信息存储领域发展的一个重要方向。测试系统是研究蓝光光存储材料的必备条件，为建立蓝光光存储研究平台，设计和搭建了一套模块化蓝光光存储性能静态测试系统。激光工作波长为406．7nm。系统采用调制解调技术降低系统噪声，提高测量粘度：采用光点移动模式降低对样品尺寸的要求；采用纳米平台提高记录点的反复定位性能。实验结果证明测试系统性能良好，可以满足蓝光光存储性能静态测试要求。     

热容激光器激光输出特性的数值模拟

热容激光器在激射过程中，激光介质的温度快速升高，导致了热容激光器具有特殊的激光输出特性。通过理论分析、数值模拟和实验研究等方法，对热容激光器的激光输出特性进行研究，掌握热容激光器工作的基本规律，为热容激光器的设计、实验提供了重要的参考。建立了描述热容激光输出特性的理论模型，给出了输出功率随激光介质温升及工作时间的变化关系。数值模拟研究结果表明。激光介质的温度从300K升高到400K过程中，阈值功率密度从2．6W／cm^3增加到33．6W／cm^3，输出功率下降7％。利用建立的热容激光器实验装置．测量了不同占空比情况下的输出功率，占空比越高输出功率随时间下降得越快，与数值模拟结果相符。在低占空比时，数值模拟和测量结果吻合较好；在高占空比时出现误差，而且占空比越高误差越大。     

采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件

为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN／GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN／GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积（PECVD）的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN／GaN MOS—HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA／mm,最大跨导为44．25ms／mm,最高栅偏压＋6V。     

室温晶片键合界面的弹性理论分析

利用接触弹性力学的DMT(Derjaguin,Muller,Toporov)理论,考虑晶片表面起伏的随机性,导出了晶片键合的实际接触面积和有效键合能。并对结果进行了数值分析。讨论了影响室温键合强度大小的各种因素。     

新颖的波长可选择调谐外腔激光器研究

采用增益芯片与取样光纤光栅双端耦合、双端可调的新颖外腔调谐方式,得到了36 nm的准连续调谐范围、约35 dB的边模抑制比、模式稳定性良好的实验结果。讨论了取样光纤光栅参量对可调谐激光器性能的影响,检验了取样光纤光栅波长漂移的应力响应。提出了一种新颖的、简单的调谐方案,详细地阐明了其调谐机理。     

超分辨率成像系统的FPGA控制研究

介绍了一种基于异型结构传像光纤束,以DSP（DM642）和FPGA（xilinx XC3S1500）为核心处理器的超分辨率实时彩色成像系统,着重讨论了FPGA在系统中的功能实现,包括Bayer图像的双线性插值,RGB和YUV图像格式之间的转换,以及与USB控制器的通信等。系统中FPGA直接与DM642特有的Vport口...     

Fractal characteristics of far-field diffraction patterns for two-dimensional Thue-Morse quasicrystals

We report a numerical method to analyze the fractal characteristics of far-field diffraction patterns for two-dimensional Thue-Morse (2-D TM) structures. The far-field diffraction patterns of the 2-D TM structures can be obtained by the numerical method, and they have a good agreement with the experimental ones. The analysis shows that the fractal characteristics of far-field diffraction patterns for the 2-D TM structures are determined by the inflation rule, which have potential applications in the design of optical diffraction devices.     

SiGe HBT MEXTRAM模型参数的直接提取

提出了一种锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)MEXTRAM集约模型参数的直接提取方法。该方法通过有效地区分各种器件物理效应对器件性能的影响,无需电路仿真器,就能够提取器件的模型参数,简便实用。通过提取实验制备的SiGe HBT器件的整套MEXTRAM模型参数,仿真曲线与测试数据吻合良好,证实了该方法的精确性和有效性。