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81.
张荣  曲宏伟 《微电子学》1998,28(6):437-439
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。  相似文献   
82.
苏杰  李荣 《钢铁》1995,30(5):52-55
采用双时效处理工艺研究了热轧18Ni(350)马氏体时效钢的磁滞特性。结果表明,820℃· hAC+(59-610)·。hAC+510℃·。hAC和820℃· hAC+(690-710℃)·3hAC+150℃·3hAC处理具有较高的磁滞性能,在对大量数据进行二元线性回归的基础上得出了18Ni(350)马氏体时效钢磁滞特性的分段关系式。  相似文献   
83.
随着油田开发时间的延长,油水井井下套管的损坏将越来越严重,套管故障井将越来越多,为了恢复套损井生产,将套管损坏所造成的损失降到最低,在配套波纹管补贴,水动力补贴,爆炸补贴等专门修套技术的基础上,通过认真调查研究,又配套了操作方便简单,适用套管损坏类型广的自动力套管补贴加固技术,使各种套管变形,套管断错(错开没有位移或位移量不大时)、套管破裂,误射孔井段封堵,已射开水层封堵等修井作业的难度进一步降低,从而进一步提高了修复井综合开发经济效益。  相似文献   
84.
朱玉琴 《锅炉技术》2002,33(10):15-17
为了加热炉和锅炉的安全经济运行 ,分析了烟气余热回收中低温腐蚀的机理 ,提出了行之有效地解决和防止低温腐蚀的几种技术方法  相似文献   
85.
水溶性防氧化剂在SMT用印制板上的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
朱民 《电子工艺技术》2002,23(3):104-107
水溶性的防氧化剂是一种有机可焊性保护剂。其方法是在印制板完全阻焊、字符层的印刷,并经电检之后,通过表面浸渍在裸铜的贴片位或通孔内形成一种耐热性的有机可焊性膜层。这种有机、可焊、耐热的膜层,膜厚可达0.3-0.5mm,其分解的温度可达约300℃,传统的印制板的热风整平法亦无法满足QFP愈来愈密集的需求,同时也无法满足SMD表面平整度的要求,更无法适应PCB薄型化生产。烷基苯并咪唑的OSP法能弥补这项缺陷,因而在PCB业乃至SMT产业中得到了广泛的应用。  相似文献   
86.
预处理工艺对硬质合金与金刚石膜间粘结力的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
在两种经不同预处理的硬质合金YG8基底上,采用微波等离子体化学气相沉积法,在微波功率2kW,压强4.0kPa和6.5kPa,CH4和H2流量分别为1.6cm/s和100.0cm/s的条件下生长金刚石薄膜。利用X射线衍射检测了金刚石薄膜是否存在,用拉曼光谱分析了薄膜的质量,用金相显微镜观察了薄膜的洛氏硬度压痕,标定并比较了不同预处理工艺膜与基底的结合力。实验结果表明,不同的预处理方法对于粘结力的影响不大,最主要的因素是钴含量的多少。  相似文献   
87.
柳沟庄—窟窿山油藏储集层裂缝类型及特征   总被引:13,自引:3,他引:10  
根据岩心描述、薄片观察、X-CT扫描以及钻井、测井等资料,研究了酒西盆地青西坳陷柳沟庄-窟窿山油藏裂缝性储集层的类型及特征,分析了控制裂缝发育的地质因素及裂缝对油气的控制作用,认为储集层裂缝有3种基本类型,即构造裂缝、构造熔蚀缝和饼状破裂,主要受构造应力场及构造位置等因素的控制。根据裂缝形态、充填特征及其相互关系,裂缝的形成主要有3个期次,其中喜马拉雅运动晚期形成的第三期理解缝对油气运移和聚集最有效。研究结果表明,裂缝是柳沟庄-窟窿山油藏主要的储集空间和控制油气富集的因素。  相似文献   
88.
孤岛油田西区注聚区1997年3月投入注聚后,高渗层得到有效封堵,吸水剖面得到明显改善。注聚期间,通过实施注聚区外围水井降水或停注、油井放大生产压差和调整注聚井注入速度等开发措施,扩大了聚合物波及体积,聚合物驱取得了明显效果。  相似文献   
89.
地壳应力场和密度场资料在油气检测中的应用   总被引:3,自引:1,他引:2  
依据卫星轨道摄动测量结果反演的地壳区域构造应力场和密度场资料,可圈定油气区域构造圈闭和储集油气的低密度层。计算绘制了闽江口扇形洲区域构造应力场和密度卫星遥感图,图上显示出东海近海闽浙中拗陷含油气带与温东丽水油气构造带相接,敖江口官岭与闽江口川石储岛沥青苗等迹象都在此范围内,在闽江口扇形洲东部沿海沙泥沉积区,邻区东海宽长带深厚海沙软泥沉积区及本区北部罗源湾,用大地电磁CSAMT检测到1000-3000m深度范围内的低阻率地层,与本区卫星遥感图图低密度场相符。  相似文献   
90.
高质量ZnO薄膜的退火性质研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
在LP-MOCVD中,我们利用Zn(C2H5)2作Zn源,CO2作氧源,在(0002)蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜,并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后,(0002)ZnO的XRD衍射峰强度显著增强,c轴晶格常数变小,同时(0002)ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大,这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小,PL谱的带边发射则加强,并出现红移,蓝带发光被有效抑制,表明ZnO薄膜的质量得到提高。  相似文献   
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