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982.
983.
对EDGE技术进行了介绍,并对EDGE技术的现网测试进行了说明,对于EDGE技术的功能特点及现网应用的模型、性能指标进行了研究和探讨。 相似文献
984.
985.
986.
为了抑制空间行波管非线性特性产生的交调失真,本文通过理论分析、计算机仿真和实验验证,分别研究了谐波、交调和混合信号注入技术对空间行波管三阶交调(IM3)分量的抑制情况。实验结果表明:IM3注入技术能够得到25.2 dB的IM3最大抑制量,明显大于谐波注入技术的12.7 dB,两者对IM3失真分量的抑制效果都很良好,且就窄带空间行波管而言IM3注入技术比谐波注入技术更具优势。通过进一步仿真实验,证明双IM3注入技术可以在两个IM3频率处分别产生46 dB和53 dB的最佳抑制量,且混合注入谐波和交调信号也能最大抑制36.9 dB。 相似文献
987.
988.
Yifeng Shi Ying Wan Renyuan Zhang Dongyuan Zhao 《Advanced functional materials》2008,18(16):2436-2443
Herein, we demonstrate an ammonia nitridation approach to synthesize self‐supported ordered mesoporous metal nitrides (CoN and CrN) from mesostructured metal oxide replicas (Co3O4 and Cr2O3), which were nanocastly prepared by using mesoporous silica SBA‐15 as a hard template. Two synthetic routes are adopted. One route is the direct nitridation of mesoporous metal oxide nanowire replicas templated from SBA‐15 to metal nitrides. By this method, highly ordered mesoporous cobalt nitrides (CoN) can be obtained by the transformation of Co3O4 nanowire replica under ammonia atmosphere from 275 to 350 °C, without a distinct lose of the mesostructural regularity. Treating the samples above 375 °C leads to the formation of metallic cobalt and the collapse of the mesostructure due to large volume shrinkage. The other route is to transform mesostructured metal oxides/silica composites to nitrides/silica composites at 750–1000 °C under ammonia. Ordered mesoporous CrN nanowire arrays can be obtained after the silica template removal by NaOH erosion. A slowly temperature‐program‐decrease process can reduce the influence of silica nitridation and improve the purity of final CrN product. Small‐angle XRD patterns and TEM images showed the 2‐D ordered hexagonal structure of the obtained mesoporous CoN and CrN nanowires. Wide‐angle XRD patterns, HRTEM images, and SAED patterns revealed the formation of crystallized metal nitrides. Nitrogen sorption analyses showed that the obtained materials possessed high surface areas (70–90 m2 g?1) and large pore volumes (about 0.2 cm3 g?1). 相似文献
989.
990.
Fa Foster Dai Weining Ni Shi Yin Jaeger R.C. 《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》2006,41(4):839-850
This paper presents a direct digital frequency synthesizer (DDFS) with a 16-bit accumulator, a fourth-order phase domain single-stage /spl Delta//spl Sigma/ interpolator, and a 300-MS/s 12-bit current-steering DAC based on the Q/sup 2/ Random Walk switching scheme. The /spl Delta//spl Sigma/ interpolator is used to reduce the phase truncation error and the ROM size. The implemented fourth-order single-stage /spl Delta//spl Sigma/ noise shaper reduces the effective phase bits by four and reduces the ROM size by 16 times. The DDFS prototype is fabricated in a 0.35-/spl mu/m CMOS technology with active area of 1.11mm/sup 2/ including a 12-bit DAC. The measured DDFS spurious-free dynamic range (SFDR) is greater than 78 dB using a reduced ROM with 8-bit phase, 12-bit amplitude resolution and a size of 0.09 mm/sup 2/. The total power consumption of the DDFS is 200mW with a 3.3-V power supply. 相似文献