片式抗电磁干扰滤波器Ni-Zn铁氧体材料与工艺研究

通过添加适量CuO和Bi2O3，将Ni-Zn铁氧体材料的烧结温度降至870—920℃，达到Ni-Zn铁氧体材料与Ag电极共烧匹配的目的。试制了片式抗电磁干扰滤波器，并对其插入损耗特性进行了计算机模拟，表明所研制的抗电磁干扰滤波器不仅适合高密度表面封装技术的要求，也可满足宽频域抗电磁干扰需要。     

挤压及退火对Mg-0.6Zr系合金力学性能及阻尼行为的影响

研究了挤压及退火对Mg-0．6Zr系合金力学性能及阻尼行为的影响。结果表明，挤压变形可以提高合金的抗拉强度．能最大限度的发挥镁合金的塑性变形潜力，但降低其阻尼性能；退火后，合金的强度降低，塑性提高，阻尼性能大幅提高。     

高校计算机机房建设和管理探讨

高校计算机机房是使用率高、学生密集的学习场所.以合理建设计算机机房为基础,管理好机房,提高设备工作效率,延长设备使用寿命,更好地为教学服务.     

网上评卷系统安全可靠问题探析

本文首先介绍了网上评卷系统的发展概况，然后在参考多个现有案例与亲历评卷的基础上，对网上评卷系统的工作原理与操作流程、特点与优势、安全认证与体系结构(B／S／S模式)做了探讨与研究，重点就安全问题展开论述。     

退火工艺对Mg-8Li-3Al-1Y镁锂合金组织和力学性能的影响

本文对冷轧态Mg-8Li-3Al-1Y镁锂合金进行了不同的退火工艺试验,并对不同退火工艺试验后的试样进行了显微组织观察和室温拉伸试验。结果表明,在退火处理过程中发生静态再结晶和α相球化行为,在360℃退火100 min时,合金发生了脱锂现象。同时得到了最佳的退火工艺制度为360℃×70 min,此时屈服强度、抗拉强度和延伸率分别为216.29 MPa、182.66 MPa和21.05%。     

洁净电子厂房大跨超重桁架结构吊装技术

大型洁净电子厂房钢结构施工于整个项目建设过程中参与度极高,其施工难度及存在的安全风险较大。文章以超视堺第10. 5代TFT-LCD显示器生产线项目为背景,论述了主体钢结构施工的综合技术。结合工程实践,根据现场实际运行情况,总结出大型洁净电子厂房大跨超重桁架结构吊装若干项关键技术。     

不同Sn含量氧化铟锡靶材的制备及其第二相特征EI北大核心CSCD

以气化In2O3和SnO2粉为原料,在原料体系中按照SnO2为4%(质量分数)、6%、8%和10%的比例分别与In2O3混料,使用模压辅助冷等静压(CIP)成型的方法制备出ITO(氧化铟锡)靶材坯体,并在1550℃氧气氛条件下烧结,制得不同Sn含量的ITO靶材;将靶材试样粉碎、过筛后腐蚀,并提取腐蚀产物,对不同Sn含量靶材表面及腐蚀产物的显微组织、物相组成、密度和电阻率进行了观察和测试,并进行分析。结果表明:腐蚀产物为ITO靶材第二相In4Sn3O12;ITO靶材的晶粒尺寸随SnO2含量的增加而减小,晶界第二相总量逐渐提高并稳定在3μm以下;靶材晶内小颗粒尺寸随SnO2含量的增加而增大,并稳定在100 nm以下;靶材第二相均出现微量失氧,且失氧率均在1.1%左右;靶材的实际密度和理论密度均随SnO2含量的增加而提高,其中,实测密度由7.110 g/cm3提高至7.145 g/cm3;靶材电阻率随SnO2含量的增加而提高,由1.3×10–4?·cm提高至约1.9×10–4?·cm。     

猪血亚硝基血红蛋白制备的研究

用血红蛋白与亚硝酸盐反应生成的亚硝基血红蛋白是色素良好的替代物。为取得猪血红蛋白与亚硝酸盐反应生成亚硝基血红蛋白(HbNO)的最佳生产工艺条件,通过对亚硝盐量的添加量、pH值的影响、以及反应的温度进行试验得出其反应最佳生产工艺条件即∶在pH值为5,添加亚硝酸钠为0.3%,加热温度为60℃时,猪血亚硝基血红蛋白(HbNO)的产量最高。     

掺杂ZnO超快闪烁体单晶研究进展

近几年,由于在惯性约束聚变诊断,核反应机理和时间飞行正电子发射断层扫描（TOF-PET）等多个重要领域具有潜在的应用,ZnO基超快（衰减时间小于1ns）闪烁体受到广泛关注。文章综述了ZnO基单晶闪烁体的发展。有文献报道,Ga³⁺、In³⁺、Sc³⁺和Fe³⁺等几种不同的n型掺杂ZnO单晶体已经被广泛用作极紫外、X-射线、α粒子等重离子的检测和成像。随着晶体生长技术的发展,提高了ZnO基闪烁体的性能,进而拓宽了其应用范围。上述ZnO材料促进了新一类超快半导体闪烁体的兴起。因此,ZnO基闪烁体的下一步的工作,主要是通过优化浓度和掺杂剂的种类,以提高光输出。     

柴油机气门座孔热处理工艺研究

柴油机采用无气门座圈结构后,为实现气门-气门座孔摩擦副硬度匹配合理,采用激光表面淬火工艺,通过对激光功率、扫描速度、保护气量等参数的合理调整。最终使气门座孔锥面硬度满足了气门-气门座孔摩擦副要求。