煤岩动力灾害声电协同监测技术及预警应用

为了提高煤岩动力灾害预测的准确性和可靠性,提出了声电协同监测技术,将电磁辐射和声发射进行融合,优势互补,开展了受载煤岩声电监测同步性测试及分析,开发了相应的监测系统及软件,并在采掘现场进行了监测及预警应用实践.结果表明:实验室和采掘现场不同尺度的煤岩声电信号同步性及相关性很好;采掘现场有煤岩动力灾害危险前,声发射和电磁辐射信号开始出现异常变化,且两者对危险响应的同步性很好,特别在临灾阶段,声、电信号在异常幅度和时域上的一致性变得更加明显;声电协同监测技术及系统,能够实现对冲击地压等动力灾害危险的实时监测及提前自动预警,与单方法相比,可靠性更高.     

冷鲜鸡胸肉主要腐败菌的分离及低温贮藏对货架期的影响

冷鲜鸡肉的货架期与其腐败菌的种类和数量密切相关。采用选择性培养基对冷鲜鸡胸肉中的主要腐败菌进行了分离,并对其低温条件下的货架期进行了研究。结果表明,假单胞菌、热死环丝菌、肠杆菌和乳酸菌是冷鲜鸡胸肉中的主要腐败菌;在低温贮藏过程中,前两种菌的数量呈明显上升趋势,并成为优势菌群。在2、4、8和10℃贮藏条件下,冷鲜鸡胸肉的货架期分别为14、10、5和3 d。     

细乳液聚合制备聚苯乙烯包覆溶剂蓝36的纳米色料

通过细乳液聚合成功制备了聚苯乙烯包覆溶剂蓝36的纳米色料乳胶液。系统研究了憎水剂的种类、乳化剂的浓度、染料浓度以及均化时间对纳米色料微观形貌的影响。结果表明,当乳化剂马来酸酐单十六酯羧酸钠(HEC16)浓度控制在13.3mmol/L～20mmol/L之间,均化时间控制在20min,染料加入量控制在单体质量的10%左右的时候,采用十二烷基硫醇作为憎水剂,可以制备出粒径小于100nm、粒径分布窄且具有核壳结构的高颜色亮度的纳米色料乳胶粒子。     

应用于大功率MMIC开关的AlGaN背势垒GaN HEMT

报道了应用于大功率开关的AlGaN背势垒0.25μm GaN HEMT。通过引入AlGaN背势垒,MOCVD淀积在3英寸SiC衬底上的AlGaN/GaN异质结材料缓冲层的击穿电压获得了大幅度的提升,相比于普通GaN缓冲层和掺Fe GaN缓冲层击穿电压提升幅度分别为4倍和2倍。采用具有AlGaN背势垒AlGaN/GaN 外延材料研制的GaN HEMT开关管在源漏间距为2μm、2.5μm、3μm、3.5μm和4μm时,估算得到的关态功率承受能力分别为25.0W、46.2W、64.0W、79.2W和88.4W。基于源漏间距为2.5μm的GaN HEMT开关管设计了DC-12GHz的单刀双掷MMIC开关。该开关采用了反射式串-并-并结构,整个带内插入损耗最大1.0dB、隔离度最小30dB,10GHz下连续波测试得到其功率承受能力达44.1dBm。     

Field plated 0.15μm GaN HEMTs for millimeter-wave application

SiN dielectrically-defined 0.15μm field plated GaN HEMTs for millimeter-wave application have been presented.The AlGaN/GaN hetero-structure epitaxial material for HEMTs fabrication was grown on a 3-inch SiC substrate with an Fe doped GaN buffer layer by metal-organic chemical deposition.Electron beam lithography was used to define both the gate footprint and the cap of the gate with an integrated field plate.Gate recessing was performed to control the threshold voltage of the devices.The fabricated GaN HEMTs exhibited a unit current gain cut-off frequency of 39 GHz and a maximum frequency of oscillation of 63 GHz.Load-pull measurements carried out at 35 GHz showed a power density of 4 W/mm with associated power gain and power added efficiency of 5.3 dB and 35%,respectively,for a 0.15 mm gate width device operated at a 24 V drain bias.The developed 0.15μm gate length GaN HEMT technology is suitable for Ka band applications and is ready for millimeter-wave power MMICs development.     

陀螺输出信号测试系统的设计

本文介绍了某型号陀螺检测系统的核心部分即基于PCI总线的脉冲计数板的设计.陀螺检测系统能够测量陀螺上电2s内的点火次数和每次点火的时间,在2.8～2.9s间连续测量陀螺6路输出脉冲每1ms时间段内的个数,在2.9s后以4ms为时间段连续采集陀螺的输出脉冲.脉冲计数板用2个计数器轮流采集1路输出脉冲,当一个计数器计数达4ms时,停止计数,马上切换为另一个计数器进行计数,两个计数器交替计数,这样既保证了采集的准确性,也兼顾了测量的连续性.脉冲计数板用可编程逻辑器件构建计时器、形成计数器的门控信号以及其他控制逻辑,并每4ms向PCI总线发送一次中断请求.该脉冲计数板测量频率的范围从0.01Hz～1.6MHz.     

吉利河水库大坝渗流观测资料分析

对吉利河水库粘土心墙砂壳坝的渗流观测资料分析表明，该坝粘土心墙的防渗效果较好，但坝前铺盖没起到防渗作用，且截渗槽较薄弱，渗透比降较大，可能发生渗透破坏。     

煤与瓦斯突出瓦斯压力变化规律实验研究

通过煤与瓦斯突出模拟实验,研究了突出过程中瓦斯压力的变化规律,分析了突出过程中瓦斯对煤体的破坏作用。研究发现:应力和瓦斯压力达到一定梯度才能引起煤与瓦斯突出,突出的发动明显滞后于卸压过程;突出发生时,瓦斯压力的变化有明显的规律性,瓦斯压力变化形态呈现出突然降低、快速升高并波动、达到波动峰值后逐渐降低,瓦斯压力的变化形态与突出发展的演化过程有较好的对应性;压出与突出过程中的瓦斯压力变化形态有显著差异。煤体在应力和瓦斯压力差的作用下发生剪切和拉伸破坏,靠近卸压口处的煤体层裂破坏特征明显。     

MOCVD生长AlGaN/GaN/Si(111)异质结材料

利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面密度分别达到1410cm2/V.s和1.16×1013cm-2。     

阴山北麓缓坡丘陵不同植被类型下土壤水分空间分布特征-以武川县为例

近年来由于农耕面积的进一步扩大,阴山北麓植被破坏程度加深,水蚀风蚀沙化现象日益严重。本文以内蒙古阴山北麓为研究对象,研究了这一地区缓坡丘陵的土壤水分分布特征及不同植被类型下土壤水分时空分布,为这一地区的生态治理过程中,植被类型、种植模式的选择提供数字依据。结果表明:(1)后山地区与内地相反,缓坡丘陵土壤水分以阳坡为最高,阴坡次之,顶部为最低;(2)该地区的土壤水分分布受植被类型等的影响,表现出一定的空间变异特性。