首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   7687篇
  免费   358篇
  国内免费   241篇
电工技术   524篇
综合类   570篇
化学工业   810篇
金属工艺   342篇
机械仪表   531篇
建筑科学   957篇
矿业工程   458篇
能源动力   165篇
轻工业   898篇
水利工程   417篇
石油天然气   281篇
武器工业   78篇
无线电   635篇
一般工业技术   500篇
冶金工业   342篇
原子能技术   58篇
自动化技术   720篇
  2024年   26篇
  2023年   173篇
  2022年   149篇
  2021年   127篇
  2020年   129篇
  2019年   164篇
  2018年   186篇
  2017年   82篇
  2016年   109篇
  2015年   151篇
  2014年   505篇
  2013年   326篇
  2012年   317篇
  2011年   402篇
  2010年   334篇
  2009年   354篇
  2008年   325篇
  2007年   406篇
  2006年   393篇
  2005年   344篇
  2004年   273篇
  2003年   263篇
  2002年   230篇
  2001年   204篇
  2000年   280篇
  1999年   299篇
  1998年   215篇
  1997年   220篇
  1996年   188篇
  1995年   170篇
  1994年   188篇
  1993年   150篇
  1992年   137篇
  1991年   127篇
  1990年   103篇
  1989年   72篇
  1988年   23篇
  1987年   12篇
  1986年   28篇
  1985年   21篇
  1984年   15篇
  1983年   7篇
  1982年   16篇
  1981年   10篇
  1980年   12篇
  1979年   5篇
  1977年   2篇
  1975年   2篇
  1961年   2篇
  1951年   1篇
排序方式: 共有8286条查询结果,搜索用时 109 毫秒
31.
32.
鸭儿峡志留系是一个以千枚岩为储层的变质岩潜山油藏,该潜山高、中、低部位相差近千米,但各处都有油和水产出,其油水分布违反常态。本文研究认为:该潜山油气分布具窝团状特征,显示物性油藏特点;在各含油窝团内部,平面的中间部位和剖面的高部位油多水少,而边部和钻进潜山较深的部位,则含油变差、含水及产水较多。出现这种油水分布的原因,在于储层发育尤其裂缝发育具含油窝团中间和上部较好、向下向外逐渐变差的特征。  相似文献   
33.
本文简单回顾了3G发展的历史,介绍了3G发展的现状,并分别从网络、终端和业务三方面分析了3G发展的趋势。  相似文献   
34.
35.
PDP用铝酸盐荧光粉的制备技术研究进展   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
曹文奎  徐忠良  董岩  于金  蒋建清   《电子器件》2006,29(2):605-608
PDP用铝酸盐荧光粉的合成技术是发光材料领域的研究热点之一。对该类荧光粉的各种合成方法进行了综述,重点介绍了各种方法的特点和研究现状。认为喷雾热解法和化学共沉淀法是具有潜力的合成技术,若能解决颗粒大小和形貌控制等关键技术。将有望取代传统的高温固相法,具有良好的发展前景。  相似文献   
36.
37.
钟锋  张春英  张严建 《化工机械》2002,29(4):242-244
经分析认为中温换热器缺陷出现的主要原因是H2 S腐蚀。采取更换短管以及补焊上段下管板的措施进行修复 ,取得了满意的效果  相似文献   
38.
本文分析了设备漏油在机械等行业中对环境和生产造成的危害及经济损失,并通过对其漏油原因的分析,提出了治理的有效途径。  相似文献   
39.
赵广才:1956年出生于天津市武清县一个普通农民的家庭.1960年正值孩提时的他赶上了倒霉的三年自然灾害,使他从小就知道了贫穷饥饿的滋味.改变一切就要努力学习,学生时期的他一直都是年级的尖子生,后因工作需要他又攻读了MBA等其它专业课程.  相似文献   
40.
在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中,用高氢稀释硅烷和氮气为反应气氛制备纳米硅氮(nc-SiNx:H)薄膜结果表明:当N_2/SiH_4气体流量比(Xn)从1增加为4时,薄膜的晶态年从58%降至14%,晶粒尺寸从10nm降至5um,N/Si含量比从0.03增至0.12.当Xn≥5,则生成非晶硅氮(a-SiNx:H)薄膜.当Xn从1增加为10时,薄膜暗电导率从10 ̄(-5)(Ωcm) ̄(-1)降至10 ̄(-11)(Ωcm) ̄(-1),具有逾渗行为,这与薄膜的晶态率紧密相关.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号