金属超微粉末制备技术中的几个问题

评述了能工业规模制备金属超微粉末的气相蒸发法制备技术和化学还原反应法制备技术，重点讨论了制备工艺中的几个关键问题，并对该技术的发展方向作了展望。     

平面应变断裂韧性KIC的研究

综述了平面应变断裂韧性KIC的影响因素及提高断裂韧性的一般措施，并对断裂韧性KIC今后的研究方向进行了论述。     

等径角挤压道次对SiC_p/Al复合材料显微组织的影响

为改善超高强度SiCp/Al复合材料的塑性,以Bc路径对喷射沉积SiCp/7090Al（SiC颗粒体积分数15%,名义尺寸10μm）复合材料进行等径角挤压变形,研究了复合材料显微组织和力学性能的演变规律.结果表明：经过4个道次变形后,获得等轴晶粒,尺寸大约为400 nm;SiC颗粒在剪切应力作用下被破碎,尺寸约2μm;...     

颗粒增强铝基梯度复合材料的摩擦磨损性能

摘要采用新型喷射沉积技术制备SiC体积分数呈连续分布(0～30%)的Al-Si基梯度复合材料,利用MG-2000型销-盘磨擦磨损试验机,研究不同滑动转速和载荷对该梯度复合材料摩擦磨损性能的影响.采用SEM和MHV-2000型维氏硬度计研究该梯度复合材料的显微组织、硬度及其耐磨性的梯度分布规律.结果表明随着滑动转速和载荷的增大,梯度材料的摩擦因数逐渐降低;材料的磨损率随载荷的增加而增大,随滑动转速的提高先增大后减小,在转速500 r/min时达到最大;对比研究沉积态与热压态材料的摩擦磨损行为,喷射沉积态由于孔隙等缺陷的存在,其磨损形式主要是磨粒磨损和剥层磨损;热压后,梯度材料的磨损形式以磨粒磨损和粘着磨损为主;随基体中SiC含量的逐渐增加,锭坯各部分硬度和耐磨性也随之提高.     

ZK60镁合金高应变速率压缩变形的流变行为及显微组织(英文)

在250~400°C的温度范围和0.1-50 s-1的应变速率范围内对ZK60合金进行压缩变形,对其流变行为和显微组织进行研究。结果表明,在低应变速率(0.1~1 s-1)下压缩变形时,再结晶主要发生在初始晶界上;在高应变速率(10~50 s-1)下压缩变形时,再结晶同时在初始晶界和孪晶上发生。合金在应变速率10~50 s-1和温度250~350°C的变形条件下获得均匀、细小的再结晶组织。因此,合金的最佳热加工工艺范围为应变速率10~50 s-1、变形温度250~350°C。高应变速率压缩变形条件下的孪生诱发动态再结晶过程分三步,首先,高位错密度孪晶分割初始晶粒;然后,孪晶内的位错发生重排形成亚晶;最后,随着应变的增加而形成再结晶晶粒。     

深冷处理原理及其在工业上的应用

作为一种新型的热处理工艺 ,深冷处理已经受到越来越广泛关注。综合现有的资料 ,较为详细的介绍了深冷处理的机理以及在生产实际上的应用。并针对国内外研究现状提出了一些观点和展望     

反应合成原位(In-Situ)复合材料制备技术进展

在现有的复合材料制备技术中，反应合成原位（Ｉｎ－Ｓｉｔｕ）复合材料制备技术具有显著的技术优势和经济优势，它的研究已成为当今复合材料领域的前沿课题。本文综合评述了这种复合材料制备新技术。     

ZK60镁合金高温压缩道次间软化规律的研究

在Gleebe-1500热力模拟机上,采用双道次间隙式等温热压缩实验,对ZK60镁合金双道次热变形过程中的道次间软化规律进行了研究.变形温度为200℃和300℃,应变速率为0.005s-1和0.05s-1,道次间隙停留时间在1～300s之间变化.结果表明:材料在变形道次间的主要静态软化机制是亚动态再结晶,建立了亚动态再结晶动力学模型,相应的亚动态再结晶激活能约为50.12kJ/mol,远小于动态再结晶激活能.     

热影响区连续孔隙状裂纹的表征及产生机理

以凝固温度范围极宽的合金为对象,研究焊接热影响区的液化现象,表征该区域中出现的连续孔隙状裂纹,并分析其产生机理. 结果表明,连续孔隙状裂纹的产生与母材中残余第二相颗粒的连续分布、热影响区中出现的严重液化现象及液相的流失密切相关. 其产生机理在于:焊接加热时,第二相颗粒加剧了晶界液化的程度,并形成连接热影响区和焊接熔池的液相通道;冷却过程中,由于熔池区熔体体积收缩促使热影响区中的液相流向熔池;凝固末期,通道因胞状晶生长而被堵塞,导致液相无法从熔池回填,从而在热影响区形成连续孔隙状裂纹.     

以苯并三氮唑为分散剂的高分散银粉制备工艺研究北大核心CSCD

以硝酸银(AgNO3)为银源、抗坏血酸为还原剂、苯并三氮唑(BTA)为分散剂,通过液相还原法制备了分散性好的超细银粉。实验研究了BTA用量,反应温度和还原剂溶液pH值等对制得银粉形貌和粒径的影响,并通过红外光谱分析了分散剂BTA的作用机理。结果表明:采用BTA为分散剂可以明显提高银粉的分散性,制得高分散的球形银粉;升高反应温度会降低银粉的粒径,但温度过高会导致银粉颗粒之间的团聚;通过调节还原剂溶液的pH值,可以将银粉的平均粒径控制在0.83~2.40μm;红外光谱分析表明,BTA分子能吸附在银粒子的表面,从而产生空间位阻作用有效阻止银颗粒间的团聚。