全文获取类型
收费全文 | 4490篇 |
免费 | 362篇 |
国内免费 | 171篇 |
专业分类
电工技术 | 356篇 |
综合类 | 383篇 |
化学工业 | 568篇 |
金属工艺 | 172篇 |
机械仪表 | 276篇 |
建筑科学 | 637篇 |
矿业工程 | 321篇 |
能源动力 | 99篇 |
轻工业 | 499篇 |
水利工程 | 173篇 |
石油天然气 | 192篇 |
武器工业 | 86篇 |
无线电 | 383篇 |
一般工业技术 | 223篇 |
冶金工业 | 146篇 |
原子能技术 | 99篇 |
自动化技术 | 410篇 |
出版年
2024年 | 134篇 |
2023年 | 182篇 |
2022年 | 167篇 |
2021年 | 186篇 |
2020年 | 190篇 |
2019年 | 185篇 |
2018年 | 175篇 |
2017年 | 104篇 |
2016年 | 104篇 |
2015年 | 127篇 |
2014年 | 314篇 |
2013年 | 230篇 |
2012年 | 251篇 |
2011年 | 287篇 |
2010年 | 226篇 |
2009年 | 228篇 |
2008年 | 215篇 |
2007年 | 186篇 |
2006年 | 194篇 |
2005年 | 148篇 |
2004年 | 135篇 |
2003年 | 113篇 |
2002年 | 99篇 |
2001年 | 105篇 |
2000年 | 75篇 |
1999年 | 82篇 |
1998年 | 64篇 |
1997年 | 51篇 |
1996年 | 58篇 |
1995年 | 43篇 |
1994年 | 36篇 |
1993年 | 35篇 |
1992年 | 49篇 |
1991年 | 22篇 |
1990年 | 25篇 |
1989年 | 26篇 |
1988年 | 17篇 |
1987年 | 22篇 |
1986年 | 19篇 |
1985年 | 15篇 |
1984年 | 16篇 |
1983年 | 12篇 |
1982年 | 12篇 |
1981年 | 17篇 |
1980年 | 15篇 |
1979年 | 7篇 |
1978年 | 3篇 |
1966年 | 2篇 |
1962年 | 2篇 |
1958年 | 2篇 |
排序方式: 共有5023条查询结果,搜索用时 31 毫秒
61.
采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源。它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特性,以实现一个零温度系数的输出电压。为了实现较低的功耗,大部分MOS晶体管均工作在亚阈值区。仿真结果表明:电路可工作在0.7V到3.6V电压范围内;在0℃~120℃范围内,电压基准的温度系数可达2.97×10-6/℃;在1V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为1.48μW和430.6mV;在没有滤波电容的情况下,在1kHz时,输出电压的电源电压抑制比为-61dB。 相似文献
62.
本文讨论了三维成像多媒体展示系统的实现原理以及PLC与计算机和计算机之间的串口通信。通过一个实例,阐明了如何在Visual Basic 6.0环境下实现三维动画文件的控制与播放。 相似文献
63.
64.
针对印刷电路板(PCB)光电图像在获取过程中 含有噪声和较模糊的边缘等各种原因,提出 了一种基于图像融合的含噪声且较模糊PCB光电图像边缘检测方法。首先,讨论了基于小波 变换 及Canny边缘检测算子的图像边缘检测法,分析了其基本原理。然后,结合两种方法的优点 ,提 出了基于图像融合检测方法的PCB光电图像边缘检测基本原理及中值滤波、增强去模糊、小 波分解、图像融合、图像去噪等步骤。最后,将由CCD成像系统及显微镜获取的主要含有高 斯噪声且较模糊的PCB光电图像用三种检测方法进行了主观实验对比,采用本文融合方法得 到的边缘图像效果最好,在抑制噪声的同时得到了连续的边缘;为了客观地评价PCB光电图 像边缘检测的效果,用峰值信噪比及图像边缘信息熵作为评价指标,采用本文方法的峰值信 噪比及信息熵的实验结果值都是最大的。 相似文献
65.
66.
无线电系统对于低空机动目标的跟踪,特别当目标转弯或直线过航捷时,目标相对于跟踪系统的速度为零,这将给靠速度滤波来分离目标的低空测量系统带来很大的困难。针对这一问题进行了深入细致的分析,提出了无线电系统组网的解决办法。该方法的实现将为用于低空测量的无线电系统解决目标转弯和过航捷时丢失的问题提供很好的理论参考依据。 相似文献
67.
68.
69.
采用高温熔融水淬的方法,制备了w(Bi2O3)为50%~65%,w(B2O3)为25%~40%的Sb2O3掺杂Bi2O3-B2O3系玻璃粉体,研究了Bi2O3和B2O3含量对所制玻璃的玻璃转变温度tg、软化温度tr,线膨胀系数α1以及电阻率ρ等的影响.结果表明,随着w(Bi2O3)的增加,玻璃的tr缓慢下降并维持在490℃左右,熔封温度为550~600℃,α1从62.3×10-7/℃上升至69.1×10-7/℃;在80~200℃,玻璃的ρ为1011~1013Ω·cm. 相似文献
70.