色度学在制浆造纸中的应用

色度学在制浆造纸中的应用秦梦华，付英娟山东轻工业学院２５０１００随着制浆造纸工业的发展，色度学在制浆造级领域内的应用日趋广泛［１］［２］。例如通过涂刷染料生产保种有色纸；在纸浆中添加少量品蓝使目视白度更高；生产某些功能纸，如计算机彩色打印纸、荧光彩色...     

基于VR技术的环境设计专业全景体验实训室构建研究

VR技术自正式出现以来就成为各领域的研究热点,在环境设计领域也有重要的应用价值.在环境设计专业全景体验实训室的规划建设中引入VR技术,有利于提升学生理论结合实践的工作能力,拓展学生的专业视野.为此,对VR技术在环境设计专业全景体验实训室构建中的意义、建设、管理措施以及实训室教学安排等进行分析研究,以期能够使国内环境设计专业的学生更快地提升专业能力.     

VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池

采用VHF-PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明：制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内．低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要．采用VHFPECVD技术制备的微晶硅电池效率为5%,Voc=0.45V,Jsc=22mA/cm2,FF=50%,Area=0.253cm2．     

电极结构对硅薄膜生长过程及材料特性的影响

在制备硅薄膜材料的PECVD系统中,分别采用普通平行板电极和网状电极,在相同的工艺条件下研究了电极结构对硅薄膜材料均匀性、电学性能以及微结构的影响．发现采用网状电极使薄膜（400～500nm）均匀性得到明显改善,在20cm×20cm内不均匀性从±12.6%下降到±2.1％．等离子体发光光谱的测试表明,网状电极可大大提高硅烷的利用率,因而在相同工艺条件下,生长微晶硅材料需要更高的功率密度．文中对实验结果进行了详细的讨论．     

NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-Si:H)/I(a-Si:H)/P(cryst-Si:H)/ITO/Al.为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法.通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺.结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5 min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5 min,N层沉积12 min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%.通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能.     

PCB微钻有限元分析的几个关键问题

随着印制板和封装技术的快速发展,印制板钻孔面临越来越大的挑战。钻孔质量受钻机、钻头、钻削参数和印制板材的影响,文章对微钻有限元分析的几个关键问题进行探讨,以提高微钻设计水平。首先评述了微钻有限元分析的研究现状,然后讨论了微钻三维模型的建模方法,最后对微钻设计中的几个重要参数对微钻性能的影响进行了重点分析。文章的主要创新点包括:(1)提出了通过CAD方法建立微钻三维模型的方法,保证了有限元分析的精度;(2)分析了微钻参数对微钻性能的影响,该结果可以指导实际的微钻设计。     

飞船光学瞄准镜分划板位置误差分析

光学瞄准镜是载人飞船对地观测的光学测量部件,航天员通过光学瞄准镜可以完成对地观测,确定飞船的飞行轨迹和飞行姿态.光学投影屏分划板是光学瞄准镜的重要组成部分,其位置精度直接影响宇航员对飞船姿态的确定.本文对光学瞄准镜的分划板位置误差因素进行了详细的分析,确定了影响光学分划板位置误差的主要因素,并计算得到了分划板实际位置与...     

OFDM-PON系统中基于混沌映射的密钥保护和PAPR降低的加密算法

针对正交频分复用-无源光网络(OFDM-PON) 传输系统中的数据安全与高峰均功率比(PAPR)问 题,提出一种基于混沌映射的PAPR降低与数据加密算法。该加密算法,首先利用拉格朗日多 项式隐藏混 沌映射初值实现密钥保护;然后,利用混沌映射生成二值序列,通过正向异或与反向异或对 明文进行加密 得到动态密文,以抵抗选择明文攻击;最后,采用混沌加密的恒包络零自相关(CAZAC)矩 阵与OFDM符 号相乘降低PAPR。实验结果表明,该加密算法可实现密钥的隐藏,且生成的动态密文能够有 效抵抗选择明 文攻击。同时,相较于普通的OFDM-PON系统,该算法能够实现~2.4 dB(PAPR=10－3 )的PAPR降低与~1dB(BER=10－3)的接收灵敏度提升,进一步提升了传输性能。     

Ka波段GaN HEMT功率器件

设计了Ka波段GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料及器件结构,采用AlN插入层提高了二维电子气(2DEG)浓度.采用场板结构提高了器件击穿电压.采用T型栅工艺实现了细栅制作,提高了器件高频输出功率增益.采用钝化工艺抑制了电流崩塌,提高了输出功率.采用通孔工艺减小源极寄生电阻,通过优化钝化层厚度减小了寄生电容,提高了器件增益.基于国产SiC外延材料及0.15 μm GaN HEMT工艺进行了器件流片,最终研制成功Ka波段GaN HEMT功率器件.对栅宽300 μm器件在29 GHz下进行了微波测试,工作栅源电压为-2.2V,源漏电压为20 V,输入功率为21 dBm时,器件输出功率为30 dBm,功率增益为9 dB,功率附加效率约为43％,功率密度达到3.3 W/mm.