分部积分在分数阶微积分逼近的误差估计中的应用

基于积分型余项的泰勒公式,通过分部积分,推导了在分数阶微积分的数值计算和理论分析中应用广泛的一次插值、二次插值逼近和半点逼近等几个逼近格式的误差估计,并用算例验证了理论公式的性能．     

绝缘栅双极型晶体管的研究进展

作为一种新型的功率半导体器件,绝缘栅双极型晶体管（IGBT）以其优越的性能,成为中高功率电力电子领域的主流功率开关器件,被广泛应用于智能电网、新能源、高速铁路、工业控制、汽车电子、家电产品、消费电子等领域。概述了IGBT的演变历程以及主要技术发展,同时对我国IGBT的发展现状进行了分析。     

~（60）Co靶件放射性比活度分布测量

经高通量反应堆（ＨＦＥＴＲ）辐照的￣（６０）Ｃｏ靶件（钴靶），其放射性比活度分布是生产高活度￣（６０）Ｃｏ密封源的关键参数。利用准直原理和水下测量装置，并实验确定转换系数后，获得了该参数，不确定度小于１０％。     

中国电信明确2013“云”发展规划 加速自身信息化转型

在已有云计算技术架构基础上,运营商可以实现企业信息化的多元化业务使企业信息化进程跨上新台阶。云计算是中国电信战略转型的重要方向之一。中国电信从2009年开始推进云计算的深入发展,近两年进行了多方向的IT、IDC云计算技术现场试验,将计算虚拟化、存储虚拟化、虚拟桌面等技术在企业内部的IT、办公桌面等领域进行了规模应用。     

VDMOS过温保护功能的实现

提出一种内部集成过温保护功能的VDMOS器件。对传统过温保护原理进行了分析,在此基础上,提出了一种适用于功率器件过温保护的改进电路结构。仿真结果表明,该器件在温度超过174℃时实现自关断,在温度降回142℃时实现自重启。该温度迟滞功能可有效防止热振荡。     

基于NAT跳转与ACL控制技术的安全策略研究

如今在核心网络中,基于ACL的安全防范技术应用其中。这种技术规定了网络中特定流量的传输,给网络运行带来了一定的安全性,相应的也带来了不便的限制因素。本文基于NAT跳转原理与ACL相结合的安全策略,从而解决了相应问题,提高了网络的安全性。     

基于用户偏好的体温测量仪造型设计

目的 研究体温测量仪造型特征与用户感性意象之间的映射关系,设计出符合用户偏好的体温测量仪。方法 以魅力工学理论为研究基础,运用评价构造法对目标用户进行访谈,整合收集的访谈资料,提炼出8项体温测量仪造型魅力因素,以及其包含的25项具体魅力形态特征,进一步运用数量化Ⅰ类理论,分析用户感性意象与体温测量仪魅力形态特征之间的映射关系,从而明确各个具体魅力形态特征对用户感性意象的影响程度,为设计出符合用户偏好的体温测量仪造型提供设计参考。结论 以实验研究结果为设计依据,完成体温测量仪的造型设计,通过对比实验对设计结果进行验证分析。结果表明,设计出的体温测量仪造型能很好地满足用户偏好,同时,可根据用户对体温测量仪的不同感知意象的偏好,有针对性地识别出相应的魅力形态特征,从而设计出满足用户偏好的体温测量仪。     

超结DMOSFET元胞区与终端区的耐压匹配优化设计

雪崩耐量是表征超结双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(SJ-DMOSFET)可靠性的重要指标。寻找提高SJ-DMOSFET雪崩耐量的方法一直是学术界和产业界的研究热点。通过对SJ-DMOSFET器件-电路联合仿真,深入分析了非钳位感性开关(UIS)过程中雪崩击穿点在元胞区和终端区之间的转移。结果表明元胞区和终端区的耐压匹配状况对SJ-DMOSFET的雪崩耐量具有显著影响。将元胞区耐压设计为略低于终端区耐压,是兼顾SJ-DMOSFET击穿电压和可靠性的最优方案。通过器件制作并测试,器件的雪崩耐量平均值由原来的0.65 J提高到0.89 J,验证了新设计的正确性。     

烷基硫醇饱和分子结中的电荷输运

利用导电探针原子力显微镜（CP—AFM）构成金属电极／烷基硫醇饱和分子的自组装单分子膜／金属电极的三层结构,研究了该类分子结的电荷输运。利用该结构测量了该分子结的Ⅰ-Ⅴ特性。实验结果表明分子结电导随分子长度的增长指数衰减,并且证实隧穿为饱和分子结中的主要电荷传输机制。同时,实验结果表明该分子结存在明显的整流效应,对该饱和分子结的整流特性进行了理论分析。     

CPLD 和FPGA 器件性能特点与应用

复杂可编程逻辑器件 (CPLD)和现场可编程门阵列 (FPGA)是近年来迅速发展的大规模可编程专用集成电路(ASIC) ,在数字系统设计和控制电路中越来越受到重视 .文章介绍了这两种器件的基本结构、性能特点、设计流程及设计方法 .给出了两种器件的区别和使用中的注意事项