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在DOS环境-中。我们常用type命令来显示文件,用重定向功能实现打印,即:type filename>prn。但type命令有一很大的缺点:不能实现程序的分段显示,也不能让人清楚地知道所显示的源程序有多大。 基于上述缺点我开发了display程序。此程序最大的特点是实现了源程序的灵活显示和打印,即可以任意显示或打印源程序的某一部分。大家可 相似文献
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报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在~ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 . 相似文献
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利用自行研制的垂直开管富汞热处理设备,研究了碲镉汞(HgCdTe)富汞热处理技术。经富汞条件下3000C热处理和后续的常规N型热处理,As掺杂的Hg1-xCd,Te分子束外延材料中的As原子已被激活成P型受主,As原子激活率同石英管封管热处理试验的结果基本一致。对包括3in Si基衬底在内的材料退火前后表面形貌进行的比较显示,样品表面形貌可得到很好的保护。研究结果表明,碲镉汞开管富汞热处理技术可用于第三代碲镉汞红外焦平面技术所需大面积多层掺杂异质外延材料的制备。 相似文献
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文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果.首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模.扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整度差,台面侧壁垂直度低.因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀.结果发现,SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面.但是深入的测试表明,介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤.最后通过优化生长条件,获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术. 相似文献
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焦平面技术是光电探测的核心技术,是影响光电探测技术长远发展的关键技术。长期以来,焦平面技术受到广泛关注,它的发展涉及物理、技术、测试等许多基础条件。全国先进焦平面技术研讨会,集中研讨了共同关心的基础物理和技术问题。为促进交流,本刊在有关方面支持下,以专集形式刊出部分交流论文以飨读者。[编者按] 相似文献
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实行增超产煤炭加价是统配煤矿投入产出总承包的一项重要配套政策。它是一项鼓励煤矿增产,完成包干产量的政策;它有利于满足国民经济发展对能源需求的增长;同时,对适当缓解煤价过低带来的种种矛盾,充实企业财力,促进煤炭工业持续、稳定、健康地发展也产生了一定的积极作用。国家自1983~1984年对东部37个统配煤矿试行超核定能力加价之后,从1985年又进一步扩大到全国统配煤矿;并对承包期间超包干基数递增的煤炭,按国家调拨价格加价50%;超产煤在提供国家使用并纳入指令性运输计划的前提下加价一倍。对于具体加价结算和分配,经近几年几次调整、改进、修订为目前的“按区核定幅度,供需直接结算,内部调剂平衡”的方法。各企业按隶属区域的加价幅度直接与用户结算。由于企业隶属区域不同,各企业间加价收入不同,这个问题应由全国煤炭主管部门在行业内部统一调剂平衡 相似文献