碲镉汞深微台面列阵干法隔离的轮廓研究

文章报道了碲镉汞（HgCdTe）深微台面列阵干法隔离的轮廓研究的初步结果。采用诱导耦合等离子体（ICP）增强反应离子刻蚀（RIE）技术获得的HgCdTe深微台面列阵,在金刚刀解理后,通过扫描电子显微镜（SEM）观察了其干法刻蚀图形的剖面轮廓。进一步研究了刻蚀时间和刻蚀槽开口宽度对刻蚀图形轮廓的影响,获得了一些有助干深微台面芯片工艺设计的实验结果。     

替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理

基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B+离子注入的平面结汞空位n~+-on-p结构,替代衬底上的碲镉汞(HgCdTe)器件零偏阻抗(R0)在80 K以上与碲锌镉(CdZnTe)基碲镉汞器件结阻抗性能相当.但替代衬底上的HgCdTe因结区内较高的位错,使得从80 K开始缺陷辅助隧穿电流(I_(tat))超过产生复合电流(I_(g-r)),成为暗电流的主要成分.与平面n~+-on-p器件相比,采用原位掺杂组分异质结结构(DLHJ)的p~+-on-n台面器件,因吸收层为n型,少子迁移率较低,能够有效抑制器件的扩散电流.80 K下截止波长9.6μm,中心距30μm,替代衬底上的p~+-on-n台面器件品质参数(R0A)为38Ω·cm2,零偏阻抗较n-on-p结构的CdZnTe基碲镉汞器件高约15倍.但替代衬底上的p+-on-n台面器件仍受体内缺陷影响,在60 K以下较高的Itat成为暗电流主导成分,其R0A相比CdZnTe基n~+-on-p的HgCdTe差了一个数量级.     

洞庭湖四水流域入湖径流量变化特征及影响因素分析

为了揭示洞庭湖的径流量变化规律,为洞庭湖流域水土保持生态建设和湖泊水资源的合理利用以及流域综合治理提供科学依据,以典型水文站点近60年的长时间序列资料为基础,利用多年平均值法、原始数据趋势分析法、M-K趋势分析法对洞庭湖四水流域入湖的径流量变化特征及成因进行了分析.结果表明:湘资沅澧四水的径流量变化不大,石门站无明显下...     

天津市供用水情势及对策研究

通过分析天津市的水资源供需矛盾及未来供用水趋势,提出天津市应按照开源、节流并重的原则,解决未来的用水矛盾。开源方面的主要措施有再生水回用、海水利用、雨洪利用等;在节约用水方面应从节水型社会建设、水价杠杆、产业结构调整及增加虚拟水贸易量等方面入手。     

浅谈北京近代旅馆建筑的发展与再利用

北京控旅馆建筑可分为西式饭店、旧式旅店、新式旅馆三种类型其中，以前门地区商业馆建筑群为代表的折衷主义风格“新式旅馆”是北京近代旅馆建筑中的重要类型，具体地表现出半殖民地，半封建时期，北京地区建筑文化的变迁，目前北京近代旅馆建筑仍有大部分在使用。科学地保存和利用这些近代馆建筑，对于北京的历史性城市风貌的保护与沿续，具有重要的现实意义。     

标准维氏硬度块检定规程中的不确定度评估

对标准维氏硬度块检定中的工作基准机、标准维氏硬度块的检定结果的不确定度进行了评估.     

某高结合率土质氧化铜矿石强化浸出试验研究

对云南某黏土质氧化铜矿进行了浸出试验研究,试验结合不同粒级矿石的可浸性能差异,对矿石进行分级强化浸出。+0.074mm添加强化浸出剂ED-1搅拌浸出,-0.074mm加温80℃搅拌浸出。通过搅拌浸出条件试验,确定最佳浸出参数,最佳条件下铜综合浸出率81.93%,吨铜综合酸耗13.86t,铜浸出率较现有常温浸出工艺有了大幅提升。     

128×128短波/中波双色红外焦平面探测器

首次在国内报道了128×128面阵短波/中波(SW/MW)双色碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面探测器(infraredfocal plane arrays,IRFPAs)的研究成果.基于由采用分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p-p-P-N型碲镉汞(Hg1-xCdxTe)多层异质结材料,通过B+注入、台面腐蚀、台面侧向钝化和爬坡金属化,以及双色探测芯片与读出电路(Readout Integrated Circuit,ROIC)混成互连等工艺,得到了128×128面阵双色焦平面探测器.通过湿化学腐蚀方法的优化,将光敏元尺寸为(50×50)μm2的双色微台面探测器的占空比提高了一倍.该面阵双色红外焦平面探测器具有较好的均匀性和正常的光电特性.在液氮温度下,二个波段的光电二极管截止波长λc分别为2.7μm和4.9μm,对应的峰值探测率Dλ*p分别为1.42×1011cmHz1/2/W和2.15×1011cmHz1/2/W.     

128×128短波/中波双色红外焦平面探测器

首次在国内报道了128×128面阵短波/中波（SW/MW）双色碲镉汞（HgCdTe）红外焦平面探测器（infrared focal plane arrays, IRFPAs）的研究成果.基于由采用分子束外延（MBE）和原位掺杂技术生长的ppPN型碲镉汞（Hg1-xCdxTe）多层异质结材料,通过B+注入、台面腐蚀、台面侧向钝化和爬坡金属化,以及双色探测芯片与读出电路（Readout Integrated Circuit,ROIC）混成互连等工艺,得到了128×128面阵双色焦平面探测器.通过湿化学腐蚀方法的优化,将光敏元尺寸为（50×50）μm2的双色微台面探测器的占空比提高了一倍.该面阵双色红外焦平面探测器具有较好的均匀性和正常的光电特性.在液氮温度下,二个波段的光电二极管截止波长λc分别为2.7μm和4.9μm,对应的峰值探测率D*λp分别为1.42×1011cmHz1/2/W和2.15×1011 cmHz1/2/W.