青海混合原油生产润滑油基础油方案研究合理加工工艺条件的确定(Ⅱ)

对青海混合原油经实验室加工的润滑油基础油进行了质量达标分析,并确定合理的加工工艺条件。结果表明：青海混合原油的中性油原料经适宜工艺加工后,300-350℃馏分可生产25号变压器油,350-400℃馏分可生产HVI 75SN中性油,400-450℃馏分可生产HVI 150SN中性油,450-500℃馏分可生产HVI 300SN中性油。光亮油原料经适宜工艺加工,除产品颜色外,其他性质可基本满足HVI 90BS光亮油的指标要求。     

PP/PP-g-MAH/MMT纳米复合材料微孔发泡的研究

通过熔融共混法制备聚丙烯/马来酸酐接枝聚丙烯/蒙脱土(PP/PP-g-MAH/MMT)纳米复合材料母粒。利用"二次开模"法注塑成型制得PP/PP-g-MAH/MMT纳米复合微孔发泡材料。研究了MMT和PP-g-MAH的用量对纳米复合微孔发泡材料发泡质量的影响。结果表明:5%的MMT和6%的PP-g-MAH有较好的协同效应,微孔发泡材料发泡倍率最大,泡孔平均直径最小,泡孔密度较大,泡孔尺寸分布范围较窄。     

爪哇檀香合成工艺优化研究

目的:探索最佳反应条件,对爪哇檀香的合成工艺进行优化。方法:以龙脑烯醛为原料,通过羟醛缩合反应、还原反应、环丙烷化反应得到爪哇檀香。采用单因素试验法分析不同碱溶液浓度、提取温度、投料比、催化剂及其交互作用对合成物中爪哇檀香含量的影响。结果:最优条件分别为第一步羟醛缩合反应:催化剂2%氢氧化钠,反应温度60℃,反应时间2 h,丙醛与龙脑烯醛进料比1.6:1 (摩尔比),收集馏分温度84℃-91℃;第二步还原反应:催化剂硼氢化钠,反应温度25℃,反应时间4 h,收集馏分温度84℃-91℃;第三步环丙烷化反应:催化剂氢化钠和石油醚,反应温度65℃,收集馏分温度120℃-122℃。此工艺方法馏出液中爪哇檀香纯度约为90%。结论:该方法具有工艺流程简单,操作安全,反应温和并且产率、纯度较高等诸多优点。优化后的提取工艺可为爪哇檀香在烟草中的进一步开发利用提供参考。     

空间斯特林制冷机的可靠性筛选

介绍了中国国内空间斯特林制冷机的早期失效模式及其对应的筛选试验方法,研究了长寿命制冷机的寿命筛选方法,采用温度循环为模拟应力,试验内容包括两部分:制冷机的开关机试验和连续工作试验,总试验时间约500 h.按照给定的筛选程序,可在短期内发现制冷机内部潜在的薄弱环节,诱发其早期失效,剔除不良产品,经过筛选之后的制冷机可有一个长期稳定的工作期,从而提高了制冷机的使用可靠性,推动了自研制冷机在空间任务中的应用.     

InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测技术

由于Ⅱ类超晶格探测器在红外成像探测技术上极大的应用价值和前景,对这一低维半导体结构的研究持续不衰.近年来,Ⅱ类超晶格探测器在国际上发展极为迅速,已经实现了高性能的中波和长波超晶格焦平面探测器并进行了成像试验.改变超晶格的周期,它的吸收截止波长可覆盖3～30μm的宽广范围.由于现代分子束外延材料生长技术,可以在单原子层的...     

X射线衍射形貌术在碲锌镉晶体中的应用

碲锌镉晶体中存在着各种典型晶体缺陷,X射线衍射形貌术是一种非破坏性地整体研究晶体材料结构完整性、均匀性的有效方法。本文将反射式X射线衍射形貌术应用于碲锌镉晶体质量的评价,研究了入射线狭缝宽度、积分时间、扫描步长等测试参数以及样品表面加工状态对X射线衍射形貌的影响。结果表明入射线狭缝宽度对碲锌镉晶体的X射线衍射成像及晶体质量筛选应用影响很大,积分时间、样品扫描步长等测试参数的选择与入射线狭缝宽度密切相关。     

高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响研究

对高温热退火前后分子束外延（MBE）生长的多层P-on-N结构HgCdTe外延材料的界面变化进行研究。研究发现,高温热退火将引起HgCdTe外延材料界面层的改变,从而破坏原生结构。这种改变可以一定程度上通过工艺条件进行控制。同时,对热退火前后P-on-N结构变化进行了二维数值模拟,研究了不同变化对其能带结构和光电流的影响。     

束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关.采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察,并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析.并设计了两个实验:其一,在CdTe/GaAs衬底上,低温下用Hg源照射20min,再在其上继续高温生长CdTe;其二,在CdTe/GaAs衬底上,一直用Hg源照射下高温生长CdTe.两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷,采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察,通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较,我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质.     

InAs/GaSb II类超晶格红外探测器光敏元蚀刻表面特性

采用刻蚀技术形成台面结构的红外探测器光敏元,其表面漏电流和器件热稳定性与半导体蚀刻表面的特性密切相关。对制备的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格中波红外探测器台面蚀刻区域特性进行了研究报道。通过台面结栅控结构和快速热退火相结合的实验研究,发现热退火处理使得样品在温度80 K,偏置电压-0.05 V下的暗电流密度从2.17×10~(-7)A/cm~2上升至6.96×10~(-5)A/cm~2,并且有无退火样品的暗电流随偏置电压变化表现出明显的不同。退火导致光敏元台面侧壁电荷密度上升2.76×10~(12)cm~(-2),引起了表面漏电流的增加,利用X射线光电子能谱(XPS)发现退火后台面蚀刻区域Sb单质含量增加。     

自适应交叉近似压缩的高阶矩量法的并行实现

高阶矩量法在计算电磁学中的应用越来越广泛, 为了进一步提高其计算规模, 引入并行的自适应交叉近似压缩算法(Adaptive Cross Approximation algorithm, ACA).该算法首先采用非均匀有理B样条建模(Non-Uniform Rational B-Splines, NURBS)的方法进行面片分组; 然后利用矩量法中远区阻抗矩阵的低秩特性进行ACA压缩; 最后采用稀疏近似逆预条件(Sparse Pattern Approximate Inverse preconditioning, SPAI)的共轭梯度法(Conjugate Gradient method, CG)快速求解矩阵方程.该算法中的ACA压缩过程和迭代求解过程都特别适合并行计算.数值实验表明, 对于电大尺寸问题, ACA压缩后的矩阵占用的内存远远低于原矩阵, 而预条件的共轭梯度法可以很快收敛.此外该算法在大规模并行时的效率较高.