InAs/GaSb超晶格中波焦平面材料的分子束外延技术

报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外廷生长技术研究.通过改变GaSb衬底上分子束外延InAs/GaSb超晶格材料的衬底温度,以及界面的优化等,改善超晶格材料的表面形貌和晶格失配,获得了晶格失配△a/a=1.5×10-4,原子级平整表面的InAs/GaSb超晶格材料,材料77 K截止波长为4.87 μm.     

液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性对红外透射光谱的影响

用多层模型和膜系传递矩阵计算了HgCdTe/CdZnTe外延薄膜的红外透射光谱，结果表明组分扩散区主要影响透射光谱的干涉条纹和透射率小于10％的区域，而组分梯度区则影响吸收边斜率．横向组分波动也将影响透射光谱的吸收边斜率，当组分均方差小于0.005时，横向组分波动对透射光谱影响可以忽略．用新的组分分布模型计算了HgCdTe/CdZnTe液相外延薄膜的理论透射光谱，并运用非线性二乘法使理论曲线能够很好地与实验结果吻合，从而获得了更加可信的HgCdTe外延薄膜的纵向组分分布和厚度参数．     

As在HgCdTe分子束外延中的表面粘附系数

报道了用二次离子质谱分析 (SIMS)方法对As在碲镉汞分子束外延中的掺入行为的研究结果 .发现As在CdTe、HgCdTe表面的粘附系数很低 ,并与Hg的介入密切相关 .对于单晶HgCdTe外延 ,在 170℃生长温度下As的粘附率相对于多晶室温淀积仅为 3× 10 -4,在此生长温度下 ,通过优化生长条件获得了表面形貌良好的外延材料 .通过控制As束源炉的温度可以很好地控制As在HgCdTe层中的原子浓度 .     

分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究

报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对ＨｇＣｄＴｅ生长关键参数实时监测的结果，建立了ＨｇＣｄＴｅ材料在生长温度下的标准光学常数数据库，在研究中对生长过程中材料的发射率以及红外辐射强度进行了理论分析，为生长温度的实时精确控制提供了理论依据，并在实验上获得了小于±１℃的生长温度控制精度．     

CdTe/ZnTe应变量子阱的静压光致发光研究

在77K和0—50kbar静压范围内研究了阱宽分别为m=4.8,12个单原子层的(CdTe)_m/(ZnTe)_n应变量子阱的静压光致发光。在常压下,m=8和12的量子阱的发光峰比m=4的量子阱的发光峰显著变宽。表明在这两个阱中应变已发生弛豫。用Kronig-Penney模型计算的峰值能量证实了这一点。在所测静压范围内峰宽无明显增加。它们的压力系数从m=12的6.81meV/kbar增加到m=4的8.24meV/kbar。计算表明,势垒高度随压力增加而增加是使压力系数随阱宽减小而增加的主要原因。     

用FoxPro编程的几个问题

FoxPro是优秀的数据库软件,但对大多数习惯使用FoxPro的用户来说,FoxPro还是个新鲜的工具。要掌握一门新的知识,必然会在学习中遇到或多或少的问题,笔者就个人实践谈几点体会: 1、关于菜单 FoxPro的菜单界面友好,程序     

MBE生长的p－Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜变磁场下的Hall系数及电导率

本文报道了利用分子束外延技术在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ异质结，并通过ＶａｎｄｅｒＰａｕｗ（ＶｄＰ）方法测量Ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜在不同温度及磁场下Ｈａｌｌ系数和电导率，采用最小二乘法对实验数据下行拟合，得到了混合导电机制下电子、重空穴和轻空穴的迁移率及载流子浓度．     

应用芳基铵黑药分离永平矿钢硫新工艺的研究

应用新捕收剂、实现了铜硫分离的优先浮选的新工艺流程.提高了铜、银、硫的精矿品位和回收率,并简化了工艺流程.对低铜、高硫混合矿矿石的分选获得明显的效果.     

用最小二乘法回归罐壁温度计算公式

一、概述在大容量计量中,对立式非保温金属油罐进行计量的最后结果应是标准温度20℃时的值。因此,在实际计量中应将油罐在某一温度t℃下的值换算到20℃时的值。但油罐的罐壁温度由于设备本身等限制,很难直接测得。罐壁温度主要是由罐内油品温度和罐外大气温度所决定,故通常是通过这两个温度推算得到罐壁温度。到目前为止,国内外尚未能得出罐壁温度     

用吡啶2.6二羧酸络合滴定快速测定铀(Ⅵ)

本文在前人工作的基础上,拟定了在PH值为5.0,以偶氮胂Ⅰ和2.4二硝基酚为指示剂,用吡啶2.6二羧酸络合滴定测定铀(VI)的方法,测定范围为0.2～10毫克铀(VI)。该法相对标准偏差小于±2％(六次测定结果),准确度优于3％。