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应用新捕收剂、实现了铜硫分离的优先浮选的新工艺流程.提高了铜、银、硫的精矿品位和回收率,并简化了工艺流程.对低铜、高硫混合矿矿石的分选获得明显的效果. 相似文献
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用最小二乘法回归罐壁温度计算公式 总被引:1,自引:0,他引:1
一、概述在大容量计量中,对立式非保温金属油罐进行计量的最后结果应是标准温度20℃时的值。因此,在实际计量中应将油罐在某一温度t℃下的值换算到20℃时的值。但油罐的罐壁温度由于设备本身等限制,很难直接测得。罐壁温度主要是由罐内油品温度和罐外大气温度所决定,故通常是通过这两个温度推算得到罐壁温度。到目前为止,国内外尚未能得出罐壁温度 相似文献
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本文在前人工作的基础上,拟定了在PH值为5.0,以偶氮胂Ⅰ和2.4二硝基酚为指示剂,用吡啶2.6二羧酸络合滴定测定铀(VI)的方法,测定范围为0.2~10毫克铀(VI)。该法相对标准偏差小于±2%(六次测定结果),准确度优于3%。 相似文献
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Be基Ⅱ-Ⅵ族宽带四元合金的晶格参数与带隙参数 总被引:1,自引:1,他引:0
分析了三元合金bowing参数的计算公式,指出Z值应当为替换原子的价电子数;通过与实验值的比较,将三元合金分为共阳离子型和共阴离子型两类;对共阳离子体系忽略库仑屏蔽作用,库仑屏蔽参数Scr取零,对共阴离子体系具有较强的屏蔽作用,Scr取0.30.用二元化合物的晶格常数、带隙参数插值计算获得了三元合金的晶格常数、带隙参数.用三元合金的晶格常数、带隙参数插值获得了四元合金的晶格常数、带隙参数,直观地给出了带隙、晶格常数与组分的关系.本文同时修正了A1-x-yBxCyD型四元合金带隙的计算公式. 相似文献
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报道了用MBE的方法,在3英寸Si衬底上制备ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料的初步研究结果,该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTe IRFPA材料的生长.经过Si(211)衬底低温表面处理、ZnTe低温成核、高温退火、高温ZnTe、CdTe层的生长研究,用MBE方法成功地获得了3英寸Si基ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料.CdTe厚度大于10μm,XRD FWHM平均值为120arc sec,最好达到100arc sec,无(133)孪晶和其他多晶晶向. 相似文献
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对不同钝化层结构的分子束外延(MBE)生长的HgCdTe外延材料的Hg空位浓度控制进行研究。获得了更高Hg空位浓度调控范围的外延材料,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,HgCdTe外延材料的Hg空位浓度的变化随着钝化层结构的不同而发生改变。且这种改变是因为HgCdTe表层的钝化层的存在改变了原始热退火的平衡态过程。同时,通过二次离子质谱(SIMS)测试以及相应的理论拟合进行了验证。 相似文献
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