GF增强母粒对微发泡PP/GF复合材料力学性能的影响

采用熔融共混挤出的方法制备了A、B两种玻璃纤维(GF)增强母粒。将两种母粒与自制发泡母粒、助剂母粒按一定比例混合,在二次开模条件下制备了PP/GF复合微发泡材料,研究了两种GF增强母粒对微发泡PP/GF复合材料力学性能的影响,同时还探讨了结晶行为对微发泡复合材料力学性能的影响。结果表明:A母粒制备的微发泡PP/GF复合材料性能优于B母粒,在GF含量为30%时,A母粒制备的微发泡复合材料的拉伸强度和冲击强度分别为55.72 MPa、7.58 kJ/m2,与B母粒制备的发泡PP/GF复合材料比较,其拉伸强度和冲击强度分别提高了9.97 MPa、1.1 kJ/m2。     

玻璃微珠对PVC/ABS合金材料性能的影响

研究了未经表面处理和用硅烷偶联剂进行表面处理的玻璃微珠(GB)的填充量对PVC/ABS合金材料力学性能、热性能和加工性能的影响。结果表明:玻璃微珠的加入使PVC/ABS合金材料的拉伸强度和缺口冲击强度大大降低,但是复合材料的加工性能和维卡软化温度得到改善。     

无机粉体形状对微发泡聚丙烯材料发泡行为的影响

选取粒径约为20μm的针状MgSO4晶须、片层状云母粉和粒状SiO2,以5%的用量加入到聚丙烯(PP)中,在二次开模条件下制备微发泡PP复合材料;通过异相成核理论和粉体分布的特性,分析了无机粉体形状对微发泡PP复合材料发泡行为的影响。结果表明,片层状云母粉具有良好的相容性、比表面特性和异相成核作用,发泡效果理想;泡孔直径达到22.10μm左右、泡孔密度为6.92×108个/cm3;聚烯烃类材料发泡的成核剂中,以片层状的云母粉较为理想。     

尼龙6/纳米三氧化二锑性能的研究

采用等离子体法生产的纳米三氧化二锑制备阻燃尼龙6(PA6),并通过氧指数(LOI)、锥形量热及TEM等检测,研究了纳米三氧化二锑对PA6阻燃性能和力学性能的影响。结果表明,当纳米三氧化二锑质量分数为6%时,LOI可达30%;热释放速率峰值减小了60 kW/m2,且达到峰值的时间较纯PA6延迟了约2 min;硅烷偶联剂KH-550改性的纳米三氧化二锑在PA6中的弥散度比未改性的高。与未改性纳米三氧化二锑相比,经过表面改性后,材料的拉伸强度提高60.7%、缺口冲击强度提高14.8%、弯曲强度提高36.8%、弯曲模量提高39.6%。     

低温去合金化处理对医用镍钛合金表面性质的影响

分析了近等原子比NiTi形状记忆合金实现去合金化的热力学条件,并采用低温去合金化处理法对其进行表面改性:经SEM、XRD、XPS、EDX,模拟体液(SBF)仿生沉积等分析研究表明,NiTi合金经去合金化处理后,在合金表面选择性地除去了有害元素镍,在距表层约130nm深度内原位制各出完全无镍的具有纳米结构的二氧化钛层;同时结合上羟基(OH-),在SBF溶液中,经低温去合金化处理后的合金表面具有诱导Ca/P沉积的能力,从而提高了NiTi形状记忆合金的生物相容性.     

第三代红外焦平面基础技术的研究进展

叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延以及台面结芯片技术研究的一些成果。对GaAs、Si基大面积异质外延、p型掺杂以及台面刻蚀等主要难点问题进行了阐述。研究表明,7.6 cm(3 in)材料的组分均匀性良好,晶格失配引发的孪晶缺陷可以通过合适的低温成核方法得到有效抑制。在GaAs和Si衬底上外延的HgCdTe材料的(422)X射线衍射半峰宽的典型值为55″~75″。对ICP技术刻蚀HgCdTe的表面形貌、刻蚀速率、反应微观机理、负载效应和刻蚀延迟效应以及刻蚀损伤进行了研究,得到了高选择比的掩模技术和表面光亮、各向异性较好的刻蚀形貌。采用HgCdTe多层材料试制了长波n?蛳on?蛳p以及p?蛳on?蛳n型掺杂异质结器件以及双色红外短波/中波焦平面探测器,取得了一些初步结果。     

InAs基中红外带间级联激光器中的自加热效应（英文）

制备并测试了Ⅱ型中红外带间级联激光器,制备的器件在脉冲和连续工作模式下最高工作温度分别为275 K和226 K. 80 K下器件激射波长为3. 8μm左右,阈值电流密度约17 A/cm~2.对器件在连续工作模式下的自加热效应进行了分析,并利用有限元方法模拟了器件连续工作时的温度分布图.分析和模拟结果均表明自加热效应是限制器件连续工作温度的重要因素.提高散热性能将是进一步提升器件工作温度的有效手段.     

天然绿色棉纤维中黄酮类化合物的最佳提取工艺探究

为了研究天然绿色棉麻纤维中黄酮类化合物的最佳提取工艺,在单因素实验的基础上,利用正交试验探究不同工艺条件的提取效果,得出超声波辅助提取天然绿色棉纤维中黄酮的最佳提取工艺为:氢氧化钠浓度为0.15%,提取温度70℃,乙醇浓度为50%,料液比为1:40,提取时间为1h,提取功率为500W。并且在所有影响因素中提取温度的影响最大,其他依次为乙醇浓度,料液比,氢氧化钠浓度,提取时间,提取功率。     

As在HgCdTe外延层中的扩散系数

使用二次离子质谱分析(SIMS)方法研究了As在碲镉汞分子柬外延样品中的扩散系数．获得了在240℃．380℃和440℃温度下As在碲镉汞材料中的扩散系数,并发现它与退火过程中Hg的分压有关,且Hg空位对As的扩散有明显的辅助增强作用．研究表明在低温段的240℃／24—48小时的退火中As的扩散非常有限,对样品中As的浓度分布影响不大,而在高温段380℃／16小时和440℃／30分钟退火中,As扩散较为明显,能使原来的PN突变结变缓．综合比较As杂质的电学激活以及As扩散因素,高温段440℃／30分钟的退火条件较理想．     

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究

报道了采用Cl_2/N_2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果,实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料。结果表明,气体流量比例直接对刻蚀速率和刻蚀形貌产生影响,氯气含量越高,刻蚀速率越大,当氮气含量增加,刻蚀速率降低并趋于一定值。当氯气和氮气的流量比例和等离子腔体内压力等参数一定时,随着温度升高,刻蚀速率和选择比在有限范围内同时线性增大,台面的倾角趋于直角,台面轮廓层状纹理逐渐消失,但沟道内变得粗糙不平,并出现坑点。在实验研究范围内,电感耦合等离子源的ICP功率和RF功率对刻蚀结果产生的影响较小。