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521.
2048元碲镉汞焦平面由8个中波256×1元芯片和8个光伏信号硅读出电路模块交错排列组成,与8个微型滤光片以桥式结构直接耦合后封装在全金属微型杜瓦内,形成了中波2048元长线列碲镉汞红外探测器件组件.基本解决了2048元焦平面杜瓦组件的关键技术,即高均匀性和一致性的焦平面模块技术、高精度的拼接技术、高可靠性的模块及其封...  相似文献   
522.
高质量的InAs/GaSbⅡ类超晶格(SLs)材料生长在晶格匹配的GaSb衬底上,由于GaSb衬底具有良好的导电性,传统的霍尔测量难以直接得到外延超晶格材料的载流子浓度等电学参数,所以,如何准确地获得InAs/GaSb超晶格外延材料中的载流子浓度成为了研究人员关注的焦点之一。主要介绍了InAs/GaSbⅡ类超晶格背景载流子浓度测量的四种典型的方法:低温霍尔技术;变磁场霍尔技术以及迁移率谱拟合;衬底去除技术;电容-电压技术。并给出了各种方法的基本原理,评价了每种方法的优缺点。  相似文献   
523.
第三代红外焦平面基础技术的研究进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延以及台面结芯片技术研究的一些成果。对GaAs、Si基大面积异质外延、p型掺杂以及台面刻蚀等主要难点问题进行了阐述。研究表明,7.6 cm(3 in)材料的组分均匀性良好,晶格失配引发的孪晶缺陷可以通过合适的低温成核方法得到有效抑制。在GaAs和Si衬底上外延的HgCdTe材料的(422)X射线衍射半峰宽的典型值为55″~75″。对ICP技术刻蚀HgCdTe的表面形貌、刻蚀速率、反应微观机理、负载效应和刻蚀延迟效应以及刻蚀损伤进行了研究,得到了高选择比的掩模技术和表面光亮、各向异性较好的刻蚀形貌。采用HgCdTe多层材料试制了长波n?蛳on?蛳p以及p?蛳on?蛳n型掺杂异质结器件以及双色红外短波/中波焦平面探测器,取得了一些初步结果。  相似文献   
524.
应用基于原子力显微镜与铁电分析仪联用的方法,在无顶电极的情况下,直接测试了PZT微阵列格点的电滞回线.结果表明,应用铁电分析仪与原子力显微镜联用的测试技术能够表征铁电电容的电滞回线,并且可以定性地评价薄膜微电容的铁电特性.  相似文献   
525.
廖永灵  何力  李良  何颖  房春燕  薛兵 《塑料工业》2007,35(11):46-48
研究了温度对微孔发泡PP材料冲击性能的影响。研究表明:发泡PP在高温及低温下均具有比未发泡PP高的冲击强度,其主要的增韧机理为:一是裂纹扩展时微孔周围的树脂变形消耗能量,二是微孔的存在松弛了裂纹尖端应力集中,并会诱使主裂纹分解成次生裂纹,使裂纹扩展的方向和方式都发生变化,表现为裂纹扩展的阻力。研究表明:高温和常温下两种机理都发挥作用,而低温下发泡PP韧性提高主要是第二种机理的作用。  相似文献   
526.
借助非均匀有理B样条在自由曲线设计方面的优势,给出了一种能够根据实际需要设计生成模糊隶属度函数的新方法.利用该方法生成了目前常用的5种类型模糊隶属函数,最后以设计生成模糊图像增强算法中的"S"型隶属度函数为例说明了新方法的便易和有效性.  相似文献   
527.
设计并完成了用于高纯锗探测器的硅基低本底前端电路基板。结合装配需求、基板特征阻抗和工艺可行性完成了尺寸为15 mm×15 mm,包含14个通孔结构的硅基板设计。利用光敏性苯并环丁烯在硅基板上进行焊盘开窗,同时作为金属布线保护性介质。通过微纳加工工艺完成了硅基板的制备,通过ASIC芯片的引线键合、无源器件的表面贴装完成了封装。实验测试表明:硅基板功能良好、噪声水平优于有机基板、可以通过初步的可靠性测试(冷热冲击100个循环、高温储存72 h)、在连续8 h工作中稳定性良好。  相似文献   
528.
简要介绍了红外光调制反射谱和调制光致发光谱的最新进展,并重点比较了相对于传统实验方法在信噪比,谱分辨率和实验耗时等方面所取得的显著进展.给出了在MBE生长HsCdTe薄膜样品研究中的应用实例,显示了该技术在光谱研究窄禁带半导体带间和低维结构带内跃迁方面的应用前景.  相似文献   
529.
制备并测试了Ⅱ型中红外带间级联激光器,制备的器件在脉冲和连续工作模式下最高工作温度分别为275 K和226 K. 80 K下器件激射波长为3. 8μm左右,阈值电流密度约17 A/cm~2.对器件在连续工作模式下的自加热效应进行了分析,并利用有限元方法模拟了器件连续工作时的温度分布图.分析和模拟结果均表明自加热效应是限制器件连续工作温度的重要因素.提高散热性能将是进一步提升器件工作温度的有效手段.  相似文献   
530.
为了研究天然绿色棉麻纤维中黄酮类化合物的最佳提取工艺,在单因素实验的基础上,利用正交试验探究不同工艺条件的提取效果,得出超声波辅助提取天然绿色棉纤维中黄酮的最佳提取工艺为:氢氧化钠浓度为0.15%,提取温度70℃,乙醇浓度为50%,料液比为1:40,提取时间为1h,提取功率为500W。并且在所有影响因素中提取温度的影响最大,其他依次为乙醇浓度,料液比,氢氧化钠浓度,提取时间,提取功率。  相似文献   
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