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在悬浮聚合的条件下,以壳层负载的形式合成水滑石LDH-热膨胀微胶囊,并将其作为发泡剂制备发泡乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)复合材料.采用扫描电镜与能谱联用仪(SEM-EDS)、热重分析仪(TG)等研究了LDH-热膨胀微胶囊的膨胀性能及发泡EVA复合材料综合性能的变化规律.结果表明:存在于微胶囊表面的LDH提高了其膨胀温度,膨胀倍率增大五倍以上,稳泡温程达到了36℃左右.添加LDH-微胶囊明显改善了发泡EVA复合材料的发泡质量和力学性能,其泡孔平均直径为52.4μm,拉伸强度较添加未改性微胶囊时提高了26.3%.LDH-微胶囊/EVA复合材料具有优良的保温性能,导热系数为0.0908 W/(m·K). 相似文献
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开展了InAs基InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格长波红外探测器的湿法腐蚀工艺研究.选择的腐蚀液由柠檬酸、磷酸和过氧化氢组成,先后在InAs、GaSb体材料和InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格上进行了湿法腐蚀实验,分别获得了其最佳的腐蚀液组分及配比.使用优化的磷酸系腐蚀液对InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格进行腐蚀,获得的腐蚀表面粗糙度仅为1 nm.然后使用改进的工艺制备了50%截止波长为12μm的超晶格长波单元器件,实验结果表明磷酸系腐蚀液可以获得低暗电流密度的InAs基InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格长波红外探测器.另外,在81 K下,该探测器的表面电阻率(ρ_(Surface))为4.4×10~3Ωcm. 相似文献
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针对高工作温度红外探测器的迫切需求,设计并利用分子束外延技术制备了高晶格质量的2级带间级联中波红外探测材料,带间级联单元器件在最高323 K下可以测试到清晰的响应光谱,140 K下暗电流密度达到4×10~(-5)A/cm~(-2).并在此基础上利用干法刻蚀技术实现了320×256规模的台面型带间级联红外焦平面原型器件.焦平面测试结果表明其在80-120K范围内量子效率达到30%,127 K下噪声等效温差为55.1 mK,盲元率为2.3%.采用该焦平面器件在127 K下获得了较为清晰的演示性室温目标红外热成像. 相似文献
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基于分子束外延(MBE)生长技术获得了高量子效率的InAs/GaSb T2SLs中波红外(MWIR)光电探测器结构材料,表现出了层状结构生长的光滑表面和出色的晶体结构均匀性。此超晶格中波红外探测器的50%截止波长约为5.5 μm,峰值响应率为2.6 A/W,77 K下量子效率超过了80%,与碲镉汞的量子效率相当。在77 K,-50 mV偏压下的暗电流密度为1.8×10-6 A/cm2,最大电阻面积乘积(RA)(-50 mV偏压)为3.8×105Ω·cm2,峰值探测率达到了6.1×1012 cm Hz1 / 2/W。 相似文献
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浅谈工程项目评估的作用及认识 总被引:1,自引:0,他引:1
何力 《江汉石油职工大学学报》2009,22(3):75-76,80
项目评估是提高投资项目决策水平、提升投资效益、提高项目前期工作效率的需要。评估必须坚持独立、科学规范和客观公正原则,必须进行现状调研并确定好参数,必须对项目本身存在的问题和项目建设的必要性详细陈述。 相似文献
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本文通过对不同时间渗硼处理后的渗硼层结构进行X射线衍射分析,对硼化物形成初期的结构特点及其对FeB、Fe_2B生长形态的影响进行了讨论.认为Fe_2B的(200)晶面对Fe_2B形核过程产生重要影响,并导致Fe_2B后期沿<002>方向的择优生长. 相似文献
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研究了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波探测器的γ辐照效应.在~(60)Co源γ辐照下器件的电流—电压(I-V)特性并未随辐照剂量的增大而发生显著的变化,100 krad(Si)辐照剂量下的零偏阻抗相较辐照前的减小率仅为3.4%,表明该探测器具有很好的抗辐照性能.结合不同辐照剂量下的实时I-V特性曲线和辐照停止后器件电流随时间的演化情况,对辐照所带来的器件性能的损伤以及微观损伤机理进行了分析.发现零偏压和小反向偏压下,辐照开始后电流即有明显增大,辐照损伤以暂态的电离效应为主导,器件性能可以在很短时间内恢复.而大反向偏压下器件暗电流的主导机制为直接隧穿电流,辐照所引入位移效应的影响使得暗电流随辐照剂量增大而减小,损伤需通过退火效应缓慢恢复,弛豫时间明显长于电离效应损伤. 相似文献
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