论原生态民歌及其保护

原生态民歌是我国非物质文化遗产的重要组成部分,记载了我国民间灿烂艺术文化的发展历程,具有悠久的历史和丰厚的文化内涵。在全球商业文化的挤压下,我国的原生态民歌也正面临一个从未有过的危险境地。文章着重分析了原生态民歌所面临的危机,并就如何保护原生态民歌提出了建议。     

WH70低碳高强钢热处理性能研究

本文针对实际设备选材中WH70板材因厚度过大不能满足变形的问题,通过对不同热处理后微观组织、力学性能的对比研究,找出了适合该种材料锻件的最佳热处理工艺,满足了生产需求.     

感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN／A1GaN

采用Cl2/Ar作为刻蚀气体．研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27，Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响．GaN与Al0.27Ga0.72N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小．随感应耦合等离子体功率的增大变化不大．在Cl2／Ar为3：l的刻蚀气体中加入10％的O2对GaN刻蚀速率影响不大．却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降．从而提高了GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比．对比了采用不同自偏压刻蚀的Al0.27Ga0.73N材料肖特基的特性．发现反向漏电流随自偏压的增大而增大．     

SiC/SiC-哈氏合金异质连接机制及其氟熔盐腐蚀特性分析

以Cu-2.67Ni钎料, 采用钎焊工艺获得了SiC/SiC复合材料-哈氏合金异质接头, 并研究了其在800 ℃的FLiNaK熔盐中的腐蚀行为。利用不同手段表征了接头微观结构和氟熔盐腐蚀行为。结果表明, Ni、Cr、Mo等合金元素以及SiC中的Si元素发生互扩散。Cr元素替代Ni元素, 在焊料-复合材料界面富集并形成不连续碳化物层。高温钎焊加速Ni扩散并侵蚀SiC, 低温钎焊导致焊料熔融不充分。钎焊过程中的元素扩散改变了哈氏合金的组成,导致其耐腐蚀性能恶化。Cr与Si的选择性溶出导致钎焊接头及合金的腐蚀损伤, 这与热力学计算结果一致。     

ICP刻蚀损伤对n-GaN-Ni/Au肖特基接触特性的影响

通过电流-电压法(I-V),电容-电压法(C-V)对n-GaN材料的ICP(感应耦合等离子体)刻蚀样品和未刻蚀样品上的肖特基势垒二极管的电学特性进行了分析.利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对刻蚀样品的表面形貌,以及退火前后肖特基接触金属的表面形貌变化进行了研究.试验表明,ICP刻蚀会在GaN表面引入损伤,形成电子陷阱能级从而引起肖特基二极管的势垒高度降低,理想因子增大,反向泄漏电流增大.刻蚀样品在400 ℃热退火可以恢复二极管的电特性,退火温度到600 ℃时二极管特性要好于未刻蚀的样品.     

钝化与场板结构对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响

由于AlGaN／GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应,栅漏区域的电场很大,以至于电子可以从栅隧穿到AlGaN表面．隧穿的电子在表面累积,导致栅下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降．文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以及场板三种结构的AlGaN／GaNHEMT的电流崩塌程度．实验结果表明,钝化隔断了电子从栅隧穿到AlGaN表面的通道,场板结构能够有效降低栅边缘电场,均减少了电子从栅隧穿到表面陷阱的几率,从而使虚栅的作用减弱,有效地抑制了电流崩塌效应．     

渗硅工艺制备ZrB2-SiC涂层的微观结构与抗氧化性能

为了提高陶瓷基复合材料的抗氧化性能,分别采用气相、液相渗硅工艺制备了ZrB₂-SiC涂层,利用静态氧化试验测试了ZrB₂-SiC涂层的抗氧化性能,并分析了涂层的微观结构演化过程。结果表明：气相渗硅工艺制备的涂层抗氧化性能更优良,氧化试验后在涂层表面形成一层致密结构的氧化物层,有效抑制氧化性气体向涂层内部扩散,提高涂层的高温抗氧化防护能力。由于液相渗硅工艺制备的涂层存在残留硅成分和微裂纹,导致涂层高温抗氧化防护能力较差。     

Th(Ⅳ)和UO2(Ⅱ)与希夫碱的双核配合物的合成与表征

合成了硝酸钍、硝酸铀酰与希夫碱邻香兰素缩邻氨基苯甲酸（Ｈ２Ｌ表示）的两种新双核固体配合物,通过元素分析、红外光谱、紫外光谱、差热－热重及摩尔电导分析等方法,确定配合物的组成分别为「Ｔｈ２（ＨＬ）３（ＮＯ３）２」（ＮＯ３）３、「（ＵＯ２）２（ＨＬ）３」ＮＯ３,并对它们的某些性质进行了研究。     

感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN

采用Cl₂/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al_0.27Ga_0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响．GaN与Al_0.27Ga_0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大．在Cl₂/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10％的O₂对GaN刻蚀速率影响不大,却使Al_0.27Ga_0.73N刻蚀速率明显下降,从而提高了GaN与Al_0.27Ga_0.73N之间的刻蚀选择比．对比了采用不同自偏压刻蚀的Al_0.27Ga_0.73N材料肖特基的特性,发现反向漏电流随自偏压的增大而增大．     

无真空、低成本Mist-CVD外延制备高质量单晶NiO/Ga2O3 p-n异质结与器件(英文)

在氧化镓(Ga₂O₃)材料p型掺杂困难的背景下,Ga₂O₃ p-n异质结器件在氧化镓器件的应用中起着重要作用.因此,寻找一种高效、经济的制备方法制备Ga₂O₃异质结对器件应用具有重要意义.在这项工作中,我们成功基于低成本、无真空的雾化学气相沉积(Mist-CVD)外延制备了单晶氧化镍(NiO)和β-Ga₂O₃异质结.其中,NiO(111)和β-Ga₂O₃(-201)的XRD摇摆曲线半高宽分别为0.077°和0.807°.NiO与β-Ga₂O₃之间的能带表现为Ⅱ型异质结构.基于此异质结,我们制备了准垂直器件,器件具有明显的p-n结整流特性,反向击穿电压为117 V.本工作为β-Ga₂O₃异质p-n结的制备提供了一种低成本、高质量的方法.