鄱阳湖国家湿地公园环境承载力定量研究

本文以鄱阳湖国家湿地公园为研究对象,选取17个可量化的指标构成环境承载力评估指标体系,采用区域环境承载力相对剩余率模型评估其湿地环境承载力状况.通过环境要素的相对剩余率结果分柝发现,自然环境准则层下的大气环境、水环境和生态环境的实际承载量都未超过承载力限度;人文环境准则层下的经济发展水平和人口压力指数领域层中各有一项指标的相对剩余率大于零,其余7项指标的相对剩余率均小于0,结果表明鄱阳湖国家湿地公园的自然环境状况较好,人文环境状况较差.但是,鄱阳湖湿地公园的综合环境承载力为0.199＞0,显示现阶段该区域综合环境承载力尚未出现超载现象,综合来看区域内的资源环境同人类社会经济的发展较为协调.     

GaN薄膜表面缺陷密度的提取

在GaN薄膜制备中，薄膜表面缺陷密度提取是改进质量的重要依据。文章通过对若干幅GaN薄膜缺陷图像的分析．提出一种GaN薄膜缺陷密度的提取方法。该方法首先果用闯值分割法二值化背影复杂的GaN薄膜表面图像：然后基于数学形态学方法提取出薄膜表面缺陷的密度；最后给出了薄膜表面缺陷粒径的分布模型。实验结果表明此方法使GaN薄膜表面缺陷提取简单且易于测量，为分析缺陷原因提高薄膜质量起到重要的指导作用。     

Th(Ⅳ)和UO2(Ⅱ)与希夫碱的双核配合物的合成与表征

合成了硝酸钍、硝酸铀酰与希夫碱邻香兰素缩邻氨基苯甲酸（Ｈ２Ｌ表示）的两种新双核固体配合物,通过元素分析、红外光谱、紫外光谱、差热－热重及摩尔电导分析等方法,确定配合物的组成分别为「Ｔｈ２（ＨＬ）３（ＮＯ３）２」（ＮＯ３）３、「（ＵＯ２）２（ＨＬ）３」ＮＯ３,并对它们的某些性质进行了研究。     

感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN

采用Cl₂/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al_0.27Ga_0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响．GaN与Al_0.27Ga_0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大．在Cl₂/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10％的O₂对GaN刻蚀速率影响不大,却使Al_0.27Ga_0.73N刻蚀速率明显下降,从而提高了GaN与Al_0.27Ga_0.73N之间的刻蚀选择比．对比了采用不同自偏压刻蚀的Al_0.27Ga_0.73N材料肖特基的特性,发现反向漏电流随自偏压的增大而增大．     

无真空、低成本Mist-CVD外延制备高质量单晶NiO/Ga2O3 p-n异质结与器件(英文)

在氧化镓(Ga₂O₃)材料p型掺杂困难的背景下,Ga₂O₃ p-n异质结器件在氧化镓器件的应用中起着重要作用.因此,寻找一种高效、经济的制备方法制备Ga₂O₃异质结对器件应用具有重要意义.在这项工作中,我们成功基于低成本、无真空的雾化学气相沉积(Mist-CVD)外延制备了单晶氧化镍(NiO)和β-Ga₂O₃异质结.其中,NiO(111)和β-Ga₂O₃(-201)的XRD摇摆曲线半高宽分别为0.077°和0.807°.NiO与β-Ga₂O₃之间的能带表现为Ⅱ型异质结构.基于此异质结,我们制备了准垂直器件,器件具有明显的p-n结整流特性,反向击穿电压为117 V.本工作为β-Ga₂O₃异质p-n结的制备提供了一种低成本、高质量的方法.     

采用清华一号和R12的冰箱性能对比研究

本文对分别采用清华一号和R12作为工质的家用电冰箱制冷系统进行了国家标准测试,分析了测试结果中采用清华一号的制冷系统与采用R12的制冷系统在性能上的差异,提出了对采用清华一号的制冷系统的改进方案。     

f_(max)为30.8GHz的超薄Al_2O_3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件(英文)

报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaNMOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽120μm,栅压为 3.0V时最大饱和输出电流达到720mA/mm,最大跨导达到130mS/mm,开启电压保持在-5.0V,特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz.     

中小企业财务管理存在的问题及对策分析

随着各项新会计准则的全面实施以及国家经济法律法规、制度的完善，我国中小企业的财务管理水平也有了较大程度的提升。在中小企业在竞争环境趋紧的形势下，增收创利难度不断加大，给财务工作者对于收入管理、成本管理、风险管理方面提出了新的课题。本文将对中小企业财务管理面临的问题进行分析，并提出改进建议。     

微波和高温器件的一种空气桥互连方法

空气桥是单片微波集成电路MMICs的一种高速互连技术,其目的是减少微波大功率器件单位而积的寄生电容,提高器件的频率特性.文中提出了一种灵活性很强,应用于微波和高温器件的空气桥定型方法.该方法利用不同性质的光刻进行多层甩胶、低温烘烤牺牲层,制出弧度很好的桥区拱形牺牲层,经低温烘烤的牺牲层的高度比烘烤前的高出60%.利用该方法可以制出高性能和高可靠性的窄气桥互连结构.     

MOCVD生长GaN和GaN：Mg薄膜的对比研究

对在SiC衬底上采用MOCVD方法制备的GaN和GaN：Mg薄膜进行X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和拉曼散射光谱的对比研究发现：两种样品均处于张力作用之下，但是GaN：Mg样品却由于Mg的掺杂会在样品中引入更多的缺陷和位错加剧薄膜的无序化程度，致使薄膜质量变差；其次因为Mg原子半径比Ga原子半径大，所以当Mg替代Ga以后会引发压力应力，从而使薄膜张力减小，最后通过计算说明对于GaN：Mg样品而言，除了载流子以外，薄膜质量同样也会对A1(LO)模式产生影响．