赛里木传统酸奶品质评价及风味物质分析

为进一步了解赛里木传统酸奶样品间品质差异,解析优质赛里木传统酸奶风味物质,该文从赛里木及周边采集12 个传统酸奶样品,对酸奶营养成分、微量元素以及酸奶特性指标进行测定,并利用顶空固相微萃取-气相色谱-质谱技术,对其中优选酸奶挥发性物质进行分析。结果表明,12 个赛里木传统酸奶样品营养成分和微量元素存在较大差别,其中,蛋白质、脂肪含量最大可达3.78%和3.57%,微量元素钙、镁最高分别可达173.7 mg/100 g 和54.5 mg/kg。赛里木传统酸奶普遍表现酸度高和黏度高,最高分别可达201°T 及7 325 mPa·s,其中H4 样品因黏度高（7 325 mPa·s）、持水力强（80.74%）和风味好,被优选出进行风味物质分析,共检出挥发性物质22 种,其中苯甲酸及1-辛烯-3-醇、异辛醇、3-羟基-2-丁酮、3-辛酮等为主要风味物质。     

数字图像处理课程实验教学过程设计

根据"数字图像处理"课程理论性与实用性的特点,在分析其课程教学体系结构的基础上,充分利用现代新技术和教学理念,文章介绍综合多层项目教学法的设计,以及在"数字图像处理"课程实验教学过程的实践。结果显示,该方法结合武汉大学国家电工电子实验教学示范中心教改项目的实践获得较好效果。     

情绪欠佳换换衣服

心理学家发现,衣服有改善情绪的特殊功效。一般在情绪欠佳的日子里,不要穿色彩晦暗或麻纱、易皱和质地粗糙的衣物,它会给人一种黯淡、凌乱、不舒服甚至糟糕的感觉,最好穿质地柔软的服装。如针织、棉布、毛织等面料的服装。     

AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究

通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究.AlGaN/GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得.文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化,钝化后直流电流崩塌明显减少,仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲层中的陷阱对电子的捕获.传输线模型测量表明,钝化后电流的增加是由于钝化消除了表面态密度进而增加了沟道载流子密度.     

冗各电站电气主接线方式分析与探讨

电站电气主接线是指高压电气设备通过连线组成的接受或者分配电能的电路。其形式与电力系统整体及变电所的运行可靠性、灵活性和经济性密切相关,并且对电气设备选择、配电装置的布置、继电保护和控制方式的拟定有较大影响。因此,主接线设计是一个综合性问题,应根据电力系统发展要求,着重分析电站在系统中所处的地位、性质、规模及电气设备特点等,做出符合实际需要的经济合理的电气主接线。     

采用清华一号和R12的冰箱性能对比研究

本文对分别采用清华一号和R12作为工质的家用电冰箱制冷系统进行了国家标准测试,分析了测试结果中采用清华一号的制冷系统与采用R12的制冷系统在性能上的差异,提出了对采用清华一号的制冷系统的改进方案。     

珠湖蓄滞洪区运用对鄱阳湖湿地公园项目的影响

鄱阳湖湿地公园旅游开发项目与珠湖蓄滞洪区有部分重叠。利用Infoworks软件,构建了珠湖蓄滞洪区二维水动力学模型,用于对珠湖蓄滞洪区分洪和1998年鄱阳湖水位两种工况下的鄱阳湖湿地公园旅游开发项目的水深、流速、洪水到达时间以及淹没历时等要素进行模拟。模拟结果表明:珠湖实施分洪时,其水源湿地保护保育区的大部分建设项目面临着被洪水淹没的风险,而且淹没水深均较大。模拟研究成果可为鄱阳湖国家湿地公园开发建设项目的选址以及对洪水损失的预估提供技术支撑。     

基于改进模糊综合评价法的喀斯特山区水质评价研究

将水污染物浓度超标指数算法应用于双权重超标赋权法中,与超标倍数法划定组合新的综合权重,构建新模型,并与双权重超标赋权法、超标倍数法、灰关联数代替模糊隶属度综合评判法进行对比分析,为水质评价提供一种新的研究方法。以乌江流域喀斯特山区水质评价为例,选取3个具有代表性的监测断面中7种水质指标为研究对象。结果表明:(1)改进模糊综合评价法与单一权重评判法、灰关联数代替模糊隶属度综合评判法进行对比分析显示,前者克服了单一方法在计算过程中的不足,在评价结果上更为全面客观,断面污染评判与实际更加吻合,主要污染物筛选结果可靠,而后两者在不同程度上偏离实际检测评判结果,不能充分对水质进行合理评判;(2)改进模糊综合评价法对国控监测断面的评价结果显示,龙场断面全年水质较好,处在Ⅰ类水质的时间达到10个月;(3)改进模糊综合评价法对省控监测断面的评价结果显示,天文和叉河断面的水质污染状况较为严重,二者全年平均值均为Ⅴ类水质,其中天文断面有8个月属于Ⅴ类,叉河断面有5个月属于Ⅴ类。     

微波和高温器件的一种空气桥互连方法

空气桥是单片微波集成电路MMICs的一种高速互连技术,其目的是减少微波大功率器件单位而积的寄生电容,提高器件的频率特性.文中提出了一种灵活性很强,应用于微波和高温器件的空气桥定型方法.该方法利用不同性质的光刻进行多层甩胶、低温烘烤牺牲层,制出弧度很好的桥区拱形牺牲层,经低温烘烤的牺牲层的高度比烘烤前的高出60%.利用该方法可以制出高性能和高可靠性的窄气桥互连结构.     

f_(max)为30.8GHz的超薄Al_2O_3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件(英文)

报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaNMOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽120μm,栅压为 3.0V时最大饱和输出电流达到720mA/mm,最大跨导达到130mS/mm,开启电压保持在-5.0V,特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz.