粒化高炉矿渣代砂混凝土干燥收缩性能的试验

通过对比试验及理论分析研究了不同配合比及不同代砂率条件下,粒化高炉矿渣代砂混凝土的干燥收缩发展规律。结果表明:粒化高炉矿渣代砂混凝土与普通混凝土的收缩变化趋势相同,均随着龄期的增长而逐渐增大,并且在120 d龄期后明显变慢;在相同水胶比条件下,粒化高炉矿渣代砂混凝土前期收缩速率小于或接近普通混凝土,后期逐渐超越普通混凝土,且通过曲线拟合预测可知其最终干燥收缩值均大于普通混凝土;当粒化高炉矿渣代砂率相同时,水胶比越小,混凝土的最终收缩值也越小。     

情绪欠佳换换衣服

心理学家发现，衣服有改善情绪的特殊功效。 一般在情绪欠佳的日子里，不要穿色彩晦暗或麻纱、易皱和质地粗糙的衣物，它会给人一种黯淡、凌乱、不舒服甚至糟糕的感觉，最好穿质地柔软的服装。如针织、棉布、毛织等面料的服装。     

数字图像处理课程实验教学过程设计

根据"数字图像处理"课程理论性与实用性的特点,在分析其课程教学体系结构的基础上,充分利用现代新技术和教学理念,文章介绍综合多层项目教学法的设计,以及在"数字图像处理"课程实验教学过程的实践。结果显示,该方法结合武汉大学国家电工电子实验教学示范中心教改项目的实践获得较好效果。     

冗各电站电气主接线方式分析与探讨

电站电气主接线是指高压电气设备通过连线组成的接受或者分配电能的电路。其形式与电力系统整体及变电所的运行可靠性、灵活性和经济性密切相关,并且对电气设备选择、配电装置的布置、继电保护和控制方式的拟定有较大影响。因此,主接线设计是一个综合性问题,应根据电力系统发展要求,着重分析电站在系统中所处的地位、性质、规模及电气设备特点等,做出符合实际需要的经济合理的电气主接线。     

AlGaN/GaN HEMT功率放大器设计

在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号S参数不易获得的情况下,利用ADS软件,采用负载牵引法和输入端共轭匹配,成功的设计出AlGaN/GaN HEMT微波功率放大器.为了解决晶体管端口出现负阻的问题,设计了输入输出端并联电阻和反馈网络两种方法,最后得到理想的结果为:工作绝对稳定,带宽3.6GHz～8.0GHz,最高增益11.04dB,最大输出功率33dBm,最大PAE达到29.2%,电压驻波比较小.     

基于改进模糊综合评价法的喀斯特山区水质评价研究

将水污染物浓度超标指数算法应用于双权重超标赋权法中,与超标倍数法划定组合新的综合权重,构建新模型,并与双权重超标赋权法、超标倍数法、灰关联数代替模糊隶属度综合评判法进行对比分析,为水质评价提供一种新的研究方法。以乌江流域喀斯特山区水质评价为例,选取3个具有代表性的监测断面中7种水质指标为研究对象。结果表明:(1)改进模糊综合评价法与单一权重评判法、灰关联数代替模糊隶属度综合评判法进行对比分析显示,前者克服了单一方法在计算过程中的不足,在评价结果上更为全面客观,断面污染评判与实际更加吻合,主要污染物筛选结果可靠,而后两者在不同程度上偏离实际检测评判结果,不能充分对水质进行合理评判;(2)改进模糊综合评价法对国控监测断面的评价结果显示,龙场断面全年水质较好,处在Ⅰ类水质的时间达到10个月;(3)改进模糊综合评价法对省控监测断面的评价结果显示,天文和叉河断面的水质污染状况较为严重,二者全年平均值均为Ⅴ类水质,其中天文断面有8个月属于Ⅴ类,叉河断面有5个月属于Ⅴ类。     

珠湖蓄滞洪区运用对鄱阳湖湿地公园项目的影响

鄱阳湖湿地公园旅游开发项目与珠湖蓄滞洪区有部分重叠。利用Infoworks软件,构建了珠湖蓄滞洪区二维水动力学模型,用于对珠湖蓄滞洪区分洪和1998年鄱阳湖水位两种工况下的鄱阳湖湿地公园旅游开发项目的水深、流速、洪水到达时间以及淹没历时等要素进行模拟。模拟结果表明:珠湖实施分洪时,其水源湿地保护保育区的大部分建设项目面临着被洪水淹没的风险,而且淹没水深均较大。模拟研究成果可为鄱阳湖国家湿地公园开发建设项目的选址以及对洪水损失的预估提供技术支撑。     

AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究

通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究.AlGaN/GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得.文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化,钝化后直流电流崩塌明显减少,仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲层中的陷阱对电子的捕获.传输线模型测量表明,钝化后电流的增加是由于钝化消除了表面态密度进而增加了沟道载流子密度.     

天然制冷剂丙烷替代R22的性能分析

本文对天然制冷剂丙烷与制冷空调热泵常用工质R22做了热物理性能及热力循环性能的对比并从理论及实验两个方面论证了丙烷代替R22的可能性     

AlN阻挡层对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN异质结和AlGaN/AlN/GaN异质结二维电子气材料,采用相同器件工艺制造出了AlGaN/GaN HEMT器件和AlGaN/AlN/GaN HEMT器件.通过对两种不同器件的比较和讨论,研究了AlN阻挡层的增加对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响.