SiC/SiC-哈氏合金异质连接机制及其氟熔盐腐蚀特性分析（英文）

以Cu-2.67Ni钎料,采用钎焊工艺获得了SiC/SiC复合材料-哈氏合金异质接头,并研究了其在800℃的FLiNaK熔盐中的腐蚀行为。利用不同手段表征了接头微观结构和氟熔盐腐蚀行为。结果表明, Ni、Cr、Mo等合金元素以及SiC中的Si元素发生互扩散。Cr元素替代Ni元素,在焊料–复合材料界面富集并形成不连续碳化物层。高温钎焊加速Ni扩散并侵蚀SiC,低温钎焊导致焊料熔融不充分。钎焊过程中的元素扩散改变了哈氏合金的组成,导致其耐腐蚀性能恶化。Cr与Si的选择性溶出导致钎焊接头及合金的腐蚀损伤,这与热力学计算结果一致。     

用新电器要常开窗通风

张老过80岁生日，儿子送了一台电视，女儿送了一台电脑。老两口在屋子里看电视、玩电脑，时间一长没想到不住声地咳嗽起来，吃抗生素也不管用。一问才知道这都是新电器惹的祸。     

GaN薄膜发光特性的研究

通过扫描电子显微镜和室温光荧光谱仪研究了生长气氛、缓冲层厚度、掺杂浓度不同对GaN薄膜发光特性的影响。实验证明,缓冲层可以较好地改善外延膜的结构和表面形貌。n型GaN薄膜的光荧光谱图显示,主峰的积分强度随着掺硅浓度的增高而增高,黄带峰的发光强度反而下降。     

农作物秸秆纤维浸出物对水泥硬化过程的影响

通过对农作物纤维浸出液的成分分析，并针对此浸出物对水泥的减水性能，缓凝性能的影响及对水泥水化热，水泥石强度的影响，进行了实验研究与分析。     

绿色建筑设计理念的探索研究与实践

以某绿色保障性住房建设项目为例,结合GB/T 50378-2006绿色建筑评价标准,对该项目的节地、节能、节水、节材措施进行了分析说明,并研究了该项目的室内环境质量控制方法及运营管理策略,为绿色建筑的设计积累了经验。     

Hasselmann方法从SAR图像反演海浪方向谱及其印证研究

介绍了从星载SAR海浪图像反演海浪方向谱的Hasselmann方法.在第一猜测谱的选取上采用了文氏谱的最新结果.设计了一个针对该方法的印证实验.反演所得的有效波高、有效波周期与浮标实测结果基本一致.     

硼含量对碳硼化合物结构、力学影响行为研究

利用低压化学气相沉积技术, 以BCl₃-C₃H₆-H₂为反应气体制备了不同掺硼量的热解碳薄膜B_xC_1-x(x=0.05, 0.10, 0.16, 0.30, 0.50), 并研究了硼含量对B_xC_1-x微观结构及力学性能的影响。B_0.1C_0.9展现了高度结晶的类石墨结构, 其中大部分B取代石墨层中的C。随着B含量上升, B主要形成B-C键, B_xC_1-x结构向无定型转变。纳米压痕测试结果显示, B_0.1C_0.9的弹性模量和硬度较低, 载荷位移曲线显示其力学变形接近弹性变形, 随着B含量增加, 碳化硼生成量增加, 其弹性模量和硬度显著提升, 载荷位移曲线表现出典型的脆性材料力学行为。     

MOCVD生长GaN和GaN∶Mg薄膜的对比研究

对在SiC衬底上采用MOCVD方法制备的GaN和GaN :Mg薄膜进行X射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM)和拉曼散射光谱的对比研究发现 :两种样品均处于张力作用之下 ,但是GaN∶Mg样品却由于Mg的掺杂会在样品中引入更多的缺陷和位错加剧薄膜的无序化程度 ,致使薄膜质量变差 ;其次因为Mg原子半径比Ga原子半径大 ,所以当Mg替代Ga以后会引发压力应力 ,从而使薄膜张力减小 ,最后通过计算说明对于GaN :Mg样品而言 ,除了载流子以外 ,薄膜质量同样也会对A1(LO)模式产生影     

钝化与场板结构对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响

由于AlGaN/GaN HEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,导致柵下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降.文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以及场板三种结构的AlGaN/GaN HEMT 的电流崩塌程度.实验结果表明,钝化隔断了电子从柵隧穿到AlGaN表面的通道,场板结构能够有效降低柵边缘电场,均减少了电子从柵隧穿到表面陷阱的几率,从而使虚柵的作用减弱,有效地抑制了电流崩塌效应.     

fmax为30.8GHz的超薄Al2O3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件

报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽120μm,栅压为 3.0V时最大饱和输出电流达到720mA/mm,最大跨导达到130mS/mm,开启电压保持在-5.0V,特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz.