GaN薄膜发光特性的研究

通过扫描电子显微镜和室温光荧光谱仪研究了生长气氛、缓冲层厚度、掺杂浓度不同对GaN薄膜发光特性的影响。实验证明,缓冲层可以较好地改善外延膜的结构和表面形貌。n型GaN薄膜的光荧光谱图显示,主峰的积分强度随着掺硅浓度的增高而增高,黄带峰的发光强度反而下降。     

基于多尺度压缩感知金字塔的极化干涉SAR图像分类

提出了一种新的基于多尺度压缩感知(Compressed sensing, CS)金字塔的分类方法, 用于合成孔径雷达(Synthetic aperture radar, SAR)图像的分类. 首先通过原始图像上的小波平滑和特征提取构建多尺度极化干涉特征空间, 然后利用压缩感知提取每一个尺度上图像子块的观测域特征并在数据域重建稀疏特征, 最后组合多尺度的稀疏特征生成最终用于分类的多尺度金字塔表达. 针对稀疏编码和一般金字塔算法的局限性, 提出了基于压缩感知和多尺度金字塔的方法, 利用观测矩阵降低特征维数的优势的同时, 对SAR图像的纹理特征进行不同尺度的分析. 在国内首批极化干涉SAR数据上的实验证明了上述算法的有效性.     

海南黄帝椒酶促褐变控制的研究

本文采用丙酮法提取了海南黄帝椒中的多酚氧化酶（PPO）,并对其酶学特性进行了研究。海南黄帝椒PPO的米氏常数K m为117.38mmol/L,最大反应速率V max为416.67U/min,最适温度为40℃,最适pH为6.0。不同抑制剂对PPO活力的影响表明,较低浓度的柠檬酸、L-抗坏血酸、半胱氨酸盐酸盐对黄帝椒PPO活力具有一定的的抑制作用,而EDTA抑制效果较差;在单因素实验的基础上,通过正交实验设计对黄帝椒酶促褐变的抑制剂配方进行了优化,结果表明当添加L-抗坏血酸0.35%、半胱氨酸盐酸盐0.02%和柠檬酸0.2%时,黄帝椒的褐变度最小。此研究结果为海南黄帝椒产品的深度开发提供了基础。      

基于Arduino与LabVIEW的直流电机转速控制系统

大多数Arduino控制器都是基于Atmel公司的AVR系列单片机的,AVR单片机的片内资源非常丰富,有ADC、定时器、外部中断、SPI、12C、PWM等功能,且Arduino控制器的PWM采用的是定时器相位修正PWM（频率约为490Hz）和快速PWM（频率约为980Hz,     

煤矿清洁生产审核中/高费方案的经济分析

针对许多煤矿在清洁生产审核时对中/高费方案的可行性分析仅在技术、环境等方面进行全面论证,但在经济方面只对投资重视,而对其它指标基本不作分析比较等问题,以蒋庄煤矿为例,从年现金流量、投资偿还期、净现值率及内部收益率等指标出发,对清洁生产审核中/高费方案的经济评估方法进行了论述,找出最佳方案.     

WH70低碳高强钢热处理性能研究

本文针对实际设备选材中WH70板材因厚度过大不能满足变形的问题,通过对不同热处理后微观组织、力学性能的对比研究,找出了适合该种材料锻件的最佳热处理工艺,满足了生产需求.     

槽栅MOSHEMT研制与特性分析

An A1GaN/GaN recessed-gate MOSHEMT was fabricated on a sapphire substrate. The device, which has a gate length of 1μm and a source-drain distance of 4μm, exhibits a maximum drain current density of 684mA/mrn at Vgs = 4V with an extrinsic transconductance of 219 mS/mm. This is 24.3% higher than the transconductance of conventional A1GaN/GaN HEMTs. The cut-off frequency and the maximum frequency of oscillation are 9.2 GHz and 14.1 GHz, respectively. Furthermore, the gate leakage current is two orders of magnitude lower than for the conventional Schottky contact device.     

钝化与场板结构对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响

由于AlGaN／GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应,栅漏区域的电场很大,以至于电子可以从栅隧穿到AlGaN表面．隧穿的电子在表面累积,导致栅下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降．文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以及场板三种结构的AlGaN／GaNHEMT的电流崩塌程度．实验结果表明,钝化隔断了电子从栅隧穿到AlGaN表面的通道,场板结构能够有效降低栅边缘电场,均减少了电子从栅隧穿到表面陷阱的几率,从而使虚栅的作用减弱,有效地抑制了电流崩塌效应．     

GaN薄膜表面缺陷密度的提取

在GaN薄膜制备中，薄膜表面缺陷密度提取是改进质量的重要依据。文章通过对若干幅GaN薄膜缺陷图像的分析．提出一种GaN薄膜缺陷密度的提取方法。该方法首先果用闯值分割法二值化背影复杂的GaN薄膜表面图像：然后基于数学形态学方法提取出薄膜表面缺陷的密度；最后给出了薄膜表面缺陷粒径的分布模型。实验结果表明此方法使GaN薄膜表面缺陷提取简单且易于测量，为分析缺陷原因提高薄膜质量起到重要的指导作用。     

ICP刻蚀损伤对n-GaN-Ni/Au肖特基接触特性的影响

通过电流-电压法(I-V),电容-电压法(C-V)对n-GaN材料的ICP(感应耦合等离子体)刻蚀样品和未刻蚀样品上的肖特基势垒二极管的电学特性进行了分析.利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对刻蚀样品的表面形貌,以及退火前后肖特基接触金属的表面形貌变化进行了研究.试验表明,ICP刻蚀会在GaN表面引入损伤,形成电子陷阱能级从而引起肖特基二极管的势垒高度降低,理想因子增大,反向泄漏电流增大.刻蚀样品在400 ℃热退火可以恢复二极管的电特性,退火温度到600 ℃时二极管特性要好于未刻蚀的样品.