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利用磁控溅射制备了银含量在100%至80%之间的单层银铜合金薄膜和TiO2/AgxCu-1x/Ti/TiO2:纳米四层膜。利用x射线衍射、扫描电子显微镜、扫描俄歇微探针,分光光度计、红外发射率测量仪对样品进行表征,研究了单层金属膜和多层膜的光学、电学性质随着银含量的变化以及热处理前后薄膜性能的变化。结果表明:相同厚度的合金膜,随着Ag含量的降低,导电性能下降,Ag含量低于80%的合金已不适合作为多层膜的金属层;1500C大气下热处理30min,纯银薄膜性质发生明显变化,明视透过率下降10%,方块电阻由2.5W/口增加至18W/□,红外发射率由0.17增加到0.69。AgCu合金薄膜性质未发生明显变化。方块电阻相近的TiO2/AgxCu1-x/Ti/TiO2纳米多层膜,经250℃大气下热处理40min后,TiO2/Ag/Ti/TiO2和TiO2/Ag80Cu20/Ti/TiO2纳米多层膜的性质变化较小,热稳定性较好,其余的多层膜性质发生较大变化,红外发射率显著增加。 相似文献
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柔性衬底ITO透明导电薄膜的光电性能研究 总被引:2,自引:1,他引:2
利用直流磁控溅射方法在柔性聚酯薄膜衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,采用X射线衍射、紫外.可见分光光度计、四探针电阻测量仪等测试手段对薄膜样品进行表征,研究了氧含量、薄膜厚度、村底负偏压对ITO薄膜的晶体结构和光电性能的影响,优化了柔性衬底ITO薄膜的制备工艺条件。制得样品的最佳可见光平均透过率为85.6%,方块电阻为6Ω/口。 相似文献
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低红外发射率TiO2/Ag/TiO2纳米多层膜研究 总被引:4,自引:2,他引:2
利用磁控溅射在玻璃衬底上制备了具有良好的光谱选择性透过率的TiO2/Ag/TiO2纳米多层膜.通过用X射线衍射、扫描电子显微镜、UV-VIS-NIR分光光度计、傅里叶红外光谱仪对样品进行表征,优化了薄膜的制备工艺,研究了多层膜的光学特性.结果表明,当Ag膜的厚度为12nm时,多层膜具有高的可见光透过率和优良的导电性能.样品在555nm波长处的透过率最高达93.5%,红外波段平均反射率为90%左右,8μm~14μm波段红外发射率ε<0.2.Ag层厚度的增加使可见光高透过率波段变窄,透过率下降.内层及外层TiO2厚度的变化引起薄膜可见光透过峰的位置及强度发生变化,外层的影响高于内层. 相似文献
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基底温度对NiOx薄膜性质的影响及其电致变色机理研究 总被引:1,自引:1,他引:0
摘要采用磁控溅射法在不同基底温度的条件下制备NiOx薄膜。对制备的薄膜采用XRD、SEM、Raman、XPS、可见光分光光度计及循环伏安曲线等测试手段进行对比分析。结果表明,在低温条件下制备的NiOx薄膜比常温沉积的薄膜会提供更多的Ni^2+离子参与变色反应,同时薄膜中疏松的孔洞有利于离子进出。SEM图中可以看出液氮流量越大,温度越低则晶粒越小,会造成沉积组织明显疏松,这些孔隙非常有利于H^+的拉入抽出。通过Raman测试发现,低温沉积的薄膜可以提供更多的Ni^2+空位。XPS测试发现NiOx薄膜在KOH溶液中的变色是由H^+引起的,反应机理为:Ni(OH)2←→+NiOOH+H^++e^-。循环伏安测试发现173K条件下制备的NiOx薄膜(η=38.2cm^2/C,λ=550nm)比室温制备的NiOx薄膜(η=16.3cm^2/c,λ=550m)有更高的着色系数,表现出更好的变色效率。 相似文献
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为提高射频溅射成膜率,本文报道了一种配置于磁控溅射装置的射频(RF)增磁装置.基于此装置的实验结果表明,在不对原有装置作任何改动的情况下,在完全相同的溅射参数下,采用此装置可使射频溅射成膜率增大为原来的4倍左右.进而,该装置提供了一种能有效地节省溅射制备时间,改善薄膜结构的简便易行的新型手段. 相似文献
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介绍了利用磁控溅射和一种液氮冷却装置,制备非晶态WO3薄膜、非晶态LiNbO3薄膜和纳米微晶态NiOx薄膜的有效方法.进而,使用这种液氮冷却装置,采用全程基片冷却方法,制备了单基片无机全固态智能窗--G│ITO│NiOx│LiNbO3│WO3│ITO器件.实验结果表明,在400~800nm的可见光范围内,该器件经过1000次循环后,它的漂白态透射率为63.0%,而着色态透射率为10.6%,这一初步工作表明,基片冷却方法应该是制备有优异性能的无机全固态电致变色智能窗的有效方法. 相似文献
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采用旋铸急冷工艺在大气环境中制备出Co6.85Fe4Si10B17.5非晶合金带材.XRD分析表明:样品为完全非晶.用DiamondTG/DTA差热分析仪在高纯氩气保护下测量了非晶薄带的等温晶化动力学曲线.采用JMA方程计算出了合金的晶化动力学参数,在不同的晶化温度下,Avrami指数的值在2.11~2.58之间,晶化激活能Ec为113.67 kJ/mol.Co6.85Fe4Si10B17.5非晶合金的晶化方式是初晶型(761、791、803 K)和共晶型晶化(813 K),合金的晶化百分比与退火时间的关系曲线均为S型曲线. 相似文献
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