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101.
对w(Si)=3%无取向硅钢进行表面机械研磨处理(SMAT)和异步轧制(CSR),获得表面纳米结构,再进行550~650℃、4 h固体粉末渗硅处理,用透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)研究表层组织演变。结果表明:经过SMAT后,w(Si)=3%无取向硅钢表面形成了等轴状、取向呈随机分布的、晶粒尺寸为10 nm的纳米晶组织;异步轧制后,表面纳米晶组织保持不变;550~650℃、4 h渗硅处理后,SMAT+CSR样品表面形成化合物层,其厚度随着温度的升高由17μm增加到52μm;化合物层由Fe3Si和FeSi相组成. 相似文献
102.
研究了装载机车架铰接系统铰点位置对铰点载荷的影响;给出了ZL50装载机铰点纵向位置、上下铰点距离、下铰点到路面距离与铰点径向、轴向载荷的关系;得出了一些对铰接式车辆铰接系统的设计及改进具有一定指导意义的结论。 相似文献
103.
为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应;高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显;辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置。 相似文献
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105.
106.
带电检测是判断高压电气设备内部绝缘性能的重要手段之一,特高频局部放电检测技术可以实现由绝缘缺陷引起其内部局部放电源放电类型的诊断及定位。采用粒子群优化算法求解不同时间段局部放电源所在位置,建立三维空间模型,采用粒子群优化算法优化定位初值,降低电气设备特高频局部放电定位精度对到达时间差法时延的依懒性。试验证明带电检测过程中对特高频局部放电定位采用粒子群优化算法求解与优化可以将外界环境对到达时间差算法的时延干扰降至最低,提高定位精度与定位速率,适用于高压电气设备内部局部放电的带电检测。 相似文献
107.
108.
现有光伏电站通过检测频率变化,采用下垂控制调节出力抑制源侧随机无规则出力波动,调频过程存在时间滞后性。基于自校正控制,提出一种可平滑光伏秒级出力波动的光伏电站频率主动支撑控制策略,根据受扰光伏电站光照波动情况,通过前馈补偿主动校正自身有功参考值,重新自适应分配各光伏电站有功给定值,实现在频率明显变化前主动补偿受扰电站的出力波动。基于Matlab/Simulink搭建仿真算例,仿真结果表明:相较下垂控制,自校正控制在扰动下可将频率最低点提高约0.04 Hz,并使得平均频率变化率降低约26.06%,有效提升了系统频率性能。 相似文献
109.
110.