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用固相反应法制备了La0.5-xPrxBa0.5CoO3系列化合物,系统研究了Pr不同含量时材料的磁性和电输运特性,结果表明:Pr掺杂没有改变Co的3d电子的巡游特性。随Pr掺杂量增加,材料的分子磁矩单调下降,其原因是当Pr逐渐取代La时,Co离子的3d电子逐渐由中间自旋态向低自放态转变。随Pr含量增加,材料的居里温度逐渐下降,这是由于稀土离子的尺寸效应,电阻测量表明:在所研究的温度范围内,居里温度以下,所有掺Pr材料的导电机制为热扩散型。居里点以上,导电机制为变程跳跃导电。 相似文献
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在La0.67Ca0.33MnO3和La0.67Ba0.33MnO3中用Dy对La进行了置换研究。结果发现,随掺Dy量的增加,两类材料的居里温度和金属-绝缘体相变温度单调下降,峰值电阻率单调增加。在Ca系样品中,掺入13%的Dy后,在5T的磁场下,最大磁电阻比达到7900%。在Ba系样品中.掺Dy对磁电阻的影响要小得多。掺Dy对材料性质的影响可以用晶格效应来解释,但晶格效应产生的作用与碱土离子的品种有明显关系。 相似文献
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在溶胶-凝胶法制备的La0.47Ba0.38MnO3(LBMO)微粉中掺入CuO粉,制成一系列(LBMO)//(CuO),(x=0.01~0.1,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现.随着Cu掺杂量的增加,材料的磁化强度和居里温度变化不大,材料的电阻率先快速减小,而后缓慢增大,当x=0.01时在全温范围内电阻率都达到最小值,这与Cu离子的价态变化有关。实验还发现Cu离子的掺入可以使材料的室温磁电阻逐步提高.当掺入10%的Cu时,室温磁电阻比达到-8.4%。比未掺杂的LBMO提高了50%。低电阻率导电陶瓷材料和大的室温磁电阻效应都是应用研究所关注的课题。 相似文献
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在La0.5Ba0.5CoO3中,系统研究了Ce对La的替代效应.Ce的掺入首先产生了电荷转移效应.材料高温磁化率测量表明,每个Ce原子向Co的3d壳层转移2.86个电子,结果随Ce掺入量增加,材料磁矩成线性下降.另外,随Ce含量增加,材料居里温度单调下降,这是由于稀土离子的尺寸效应.在所研究的温度范围内,所有材料的导电机理都属于极化子的变程跳跃导电.由于电荷转移效应,使材料电阻率随Ce掺入量增加而迅速加大.当La全部被Ce替代后,室温下材料的电阻率提高了五个数量级以上. 相似文献
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用射频溅射法制备了非晶态CoZr合金薄膜,在0.5Pa的氩气压下,可以得到性能优良的软磁薄膜。研究了非晶态CoZr膜的饱和磁化强度与Zr含量及温度的关系,发现对各种成分的非晶态CoZr膜,在很宽的温度范围内都可满足Bloch T~(3/2)定律。根据刚带模型计算出每个Zr原子向Co的3d能带转移的电荷数约为2.27。 相似文献
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非晶态和纳米晶FeCuNbSiB中首次研究了其磁致阻抗效应,阻抗Z(f,H)与交流驱动电流的频率f以及外加直流磁场H均有密切关系。磁致阻抗ΔZ/Z=(Z(Hmax)-Z(o))/Z(Hmax)随f的变化是首先快速增加,在300~500kHz附近达到最大,然后下降。纳米晶的变化比非晶态要大。对550℃退人3h的样品,在300kHz处可获得的最大碰致阻抗为-227%(H=75Oe),而退火5h的样品在1MHz、H=10Oe时,最大磁致阻抗为+250%。 相似文献