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122.
聚氨酸/惭烯基酯树脂顺序互穿聚合物网络形成反应动力学的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用恒温DSC研究了聚氨酯/乙烯基酯树脂顺序互穿聚合物网络(PU-VER-IPN)的反应动力学。结果表明,顺序PU/VER-IPN的形成分二步。聚氨酯(PU)首先形成网络一,然后乙烯基酯树脂(VER)形成网络二。两步反应都用n级反应模型来描述。确定了反应动力学参数:PU的反应级数为n1=1.29,1gk1=3.271/min,Ea1=25.9kJ/mol;VER的反应级数为n2=0.961,1gk2=4.441/min,Ea2=40.2kJ/mol。根据动力学参数得出了反应速度、和反应温度三者之间的关系曲线及PU/VER-IPN形成的工艺参数;反应温度60℃、反应时间2h;反应温度,100℃、反应时间2h。 相似文献
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125.
126.
在一般Banach空间中取值的向量值函数组成的Lebesgue空间中,用算子半群方法,研究了含参数的抽象动力方程的解.以及抽象动力算子的部分实预解集.得到了直接求解公式和间接地将非零边值问题转化为零边值问题的求解公式,特别对空间和"系数"算子取消了苛刻的限制,并以板几何迁移问题作为特例. 相似文献
127.
128.
本文用3-阶拟总体紧算子逼近理论证明了迁移理论中第一类临界参数方程的解的存在性及其方向离散化逼近的收敛性。 相似文献
129.
130.
一、引言近年来,随着高亮度液态金属离子源的出现,亚微米聚焦离子束技术迅速发展。FIB(聚焦离子束)在半导体和微型特殊器件制作技术中将发挥越来越大的作用。日本日立用B~+FIB无掩模注入Si中,制作出一种新型亚微米沟道长度器件—离子束MOSFET,它在电流增益、漏极击穿电压和短沟道阈值效应等方面都优于传统方法制造的同类器件;在FIB无掩模刻蚀、曝光技术中,已获得30nm的高分辨率的图案;FIB已成功地制成分辨率小于0.25μm的同步辐射光、X射线曝光用的掩模;利用FIB还可修理亚微米的掩模缺陷,目前已有商品FIB掩模修正仪问世;用FIB刻蚀亚微米小孔阵列,可加工超导电子学器件。本文报道在我们设计加工的FIB系统上刻蚀金膜、硅片及自显影FIB曝光的实验结果。本系统已能进行亚微米级微细加工工艺研究。 相似文献