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991.
992.
我们采用透射光谱方法对Hg_(1-(?))Cd_xTe材料进行分类,用此方法,不仅可以确定材料的组份,而且可以判定材料组分的均匀性。通过测量不同温度下的透射光谱,并根据透射光谱随温度的变化趋势,可判定材料的质量,这种方法无损伤,且比其它方法更为有效。 相似文献
993.
作为面向数字城市规划的关键技术,地理信息系统技术、遥感技术支撑下的城市规划模型的研究已经成为城市规划领域的热点问题之一。根据规划模型研究的对象和目的的不同,提出将城市规划模型分为综合规划模型和工程专项规划模型,按照这种分类方式这两种模型的研究进展进行了简要的介绍,并对其研究趋势与研究对策进行了分析。 相似文献
994.
995.
996.
魏国平 《中国新技术新产品》2011,(21):175
随着加气混凝土砌块在建筑市场中的广泛使用,在使用过程中墙体出现了不同程度的质量问题,尤以开裂现象最为常见,影响美观和使用。本文试着分析加气混凝土砌体裂缝出现的原因,并结合工程施工工艺提出一些质量控制措施和解决办法。 相似文献
997.
由IETF最年轻的工作组之一的SIP(session initiation protocol)工作组发布的SIP相关标准已经成为通信和网络界的研究热点.目前SIP工作组发表的协议和草案超过30个,除了核心协议以外,其他协议涵盖QoS、安全、消息头和方法扩展、与PSTN等其他协议的互操作性、穿透防火墙和NAT、应用、多消息体、即时消息等诸多话题,其最终目标是为所有Internet成功的应用提供无所不在的接入,成为联系Internet和电信、多媒体的媒介.对SIP标准中的核心技术和研究进展进行了综述.着重介绍了以上SIP相关标准及应用中的核心技术和相关领域最新的研究动态,并指出了进一步的研究方向和应用前景. 相似文献
998.
在对冲击电晕的伏库特性分析的基础上,通过将线路分为多个不长的小段,在每段线路两边插入考虑冲击电晕的附加电容,从而既计及了冲击电晕对电磁暂态的影响,又与现有的线路模型相兼容。通过雷击输电线路的电磁暂态仿真表明,考虑冲击电晕与不考虑冲击电晕的电磁暂态过程相差很大,因此在研究行波保护的雷电波抗干扰方法时应该考虑冲击电晕对电磁暂态过程的影响。 相似文献
999.
氮流量对TaN薄膜微结构及性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaN薄膜,研究了氮流量(N2/(N2+Ar))对TaN薄膜微结构及性能的影响。结果表明,随氮流量的增大,TaN薄膜的氮含量、电阻率、方阻以及TCR的绝对值逐渐增大,而沉积速率逐渐降低。当N2流量较低(2%~4%)时,TaN薄膜中主要含有电阻率和TCR绝对值较低的六方Ta2N相(hcp),薄膜的电阻率在344μΩ.cm到412μΩ.cm范围内,薄膜的TCR绝对值约为几十ppm/℃。当氮气流量较高(5%~6%)时,薄膜中Ta2N相消失,薄膜中主要含有TCR绝对值较大的体心四方结构(bct)的TaN和四方结构(bct)的Ta3N5相,薄膜的电阻率在940μΩ.cm到1030μΩ.cm范围内,薄膜的TCR绝对值约为几百ppm/℃。 相似文献
1000.