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11.
数字图像相关用于印刷电路板全场微应变的测量   总被引:2,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
杨靖  吴思进  郑伟巍  李伟仙  杨连祥 《红外与激光工程》2017,46(11):1103004-1103004(8)
提出了利用数字图像相关技术测量印刷电路板全场微应变的方法,用于评估电路板由应力所导致的失效风险,克服传统实验测试方法不能有效测量全场应变以及难以给出应变集中区域的不足。设计了基于三维数字图像相关技术和应力加载策略的实验方法,通过所获得的全场主应变分布及局部区域内应变历史曲线来评估电路板的失效风险。实验结果表明,所提出的电路板微应变测量方法的重复性优于100 ,能够有效地获得电路板全场的微应变分布,尤其是能够直观地显示电路板应变超过额定值的区域分布,为改进电路板设计、降低电路板失效风险和保护电子元器件的安全提供了重要的实测数据。  相似文献   
12.
洛美  Magger  小仙  高翊 《数码》2004,(8):171-173
上期我们已经了解了正面光、侧光和逆光的特性,光从不同方向照射到被摄物上,会带来不同的效果。了解了这些特性,在每次拍摄时,就可以根据表现的需要,选择不同的光线方向来拍摄。本期从运用角度上总结了三点技巧,并用实际图例来分离笔者的一些经验,希望能对读者有所启示。  相似文献   
13.
开鲁盆地陆西凹陷经历多期构造运动,构造复杂多样,针对该区构造演化规律不清的问题,运用构造解析、层序地层学等研究方法,通过地震剖面分析和相干体切片技术,明确了陆西凹陷早白垩世断裂体系与构造演化过程及油气成藏模式。研究结果表明:早白垩世以来,陆西凹陷构造样式主要包括半地堑构造样式、滚动背斜构造样式、断块构造样式。依据构造样式形成时间可划分出4个构造演化时期:初始裂陷期(九佛堂下段沉积期)、沉降拗陷期(九佛堂上段沉积期)、稳定沉降期(沙海组沉积期)、回返萎缩期(阜新组沉积期)。研究结果认为,早期形成的断块型圈闭和晚期压扭性构造运动为构造圈闭成藏的主控因素,沉降坳陷期发育的多期扇体为油气成藏提供储集空间,多期次构造运动有利于油气运移和大规模构造油气藏的形成。研究结果为确定陆西凹陷东陡坡的有利勘探方向提供了依据和指导。  相似文献   
14.
从串扰的角度分析了在1650V直流高压馈电杆上共杆架设通信电缆线路的可行性,并介绍了实验中所采取的安全措施。  相似文献   
15.
针对现在空战中指挥系统与攻击系统的数据融合存在的不足,给出了经过改进后的现代空战指挥系统及攻击系统流程图及原理;介绍了攻击系统中的火控解算原理并进行了分析和优化计算,为完善现代空战指挥及攻击系统理论提供了一定依据;同时对战术决策及逻辑攻击有一定的指导作用。  相似文献   
16.
17.
仙巍 《数字技术与应用》2012,(7):181-182,184
年来城市气候和环境问题引起广泛关注,其中城市热环境是当前城市气候、环境研究的热点问题。地表热环境的变化会对人类的生产和生活带来影响,因此,热环境的时空分布状况已经成为全球环境变化研究的重要内容之一,也是城市的发展规划和环境问题的防治提供了依据。本文基于遥感技术及GIS空间分析功能,选择西南地区经济快速发展的重庆市区作为研究区域,利用1992年和2002年的两期LandsatTM影像,对重庆市区的地表热环境效应做了相关分析,以期为重庆规划城市发展、保护城市环境、建设生态型城市提供依据。  相似文献   
18.
根据机载激光测深系统扫描部分结构,针对圆镜偏轴卵形扫描方式,从光束发射方向出发,基于扫描结构轴向关系利用光线反射定律推导出激光出射方向向量,结合激光出射位置到海表点距离获得海面激光点坐标;依据光线折射定律,利用变折射率光线追踪算法推导出海底测深点坐标计算公式,建立海面激光入射点及海底测深点坐标严密计算模型。根据模型定位公式,分析扫描系统视准轴误差影响,通过数值模拟,分析扫描系统视准轴误差对定位精度影响,为扫描系统单体设备加工、装调、集成检校提供依据,为机载雷达测深系统提供海底测点精确计算、改正提供参考。  相似文献   
19.
郁健  张振国  吕德品  李博文 《信息技术》2015,(2):106-109,113
对比分析单级型和多级型光伏并网逆变系统的优缺点,以及光伏阵列可扩展性,确定了双级型并网逆变器拓扑结构,电压源电流控制方式,带工频变压器隔离的拓扑方式,对BOOST电路、逆变器、LCL滤波器等主要元件进行设计,为主电路设计提供了理论依据。仿真验证了LCL滤波器设计的合理性。  相似文献   
20.
研制了与0.5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件.提出了具体的工艺制作流程-在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程,并成功进行了流片试验.测试结果显示,高压NMOS耐压达到98V,高压PMOS耐压达到-66V.此结构的高压CMOS器件适用于耐压要求小于60V的驱动电路.  相似文献   
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