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52.
本文叙述了我所研制的10mV超导约瑟夫逊电压标准测量系统,总不确定度为2.4×10~(-(?),随机不确定度小于1×10~(-8)。1988年4月,精确测定了我国SI单位的2e/h值为483597.88GHz/V,与国际平差值仅相差4×10~(-(?)。由于该系统具有很高的准确性和可靠性,1992年8月被国家技术监督局批准为国家临时电压自然基准并正式启用。 相似文献
53.
离子束抛光硅片纳米级微观形貌的原子力显微镜研究 总被引:2,自引:1,他引:2
本文报道了用原子力显微镜(AFM)研究多种Ar ̄+离子抛光参数Si(lll)表面的微观粗糙度和三维微观形貌特征,发现用离子束抛光方法可以显著地改善硅片表面的微观粗糙度,抛光效果与离子束能量、束流强度、抛光时间和束流入射角度等有关。用400eV离子能量、100mA束流强度、60°入射角离子束照射2小时后再改用350eV、80mA束流强度以同样入射角照射2小时的样品,在1μm×1μm范围表面微观粗糙度(RMS)值可达到0.3nm左右。而当小入射角(<20°)照射时抛光效果很差,其表面明显地呈现出直径约几十到几百nm凹坑的蜂巢状形貌特征。 相似文献
54.
溅射法制备高取向Pt薄膜的工艺研究 总被引:5,自引:1,他引:5
采用射频磁控溅射工艺在SiO2/Si衬底上成功制备了适用于pZT铁电薄膜底电极的180nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。厚约50nm的Ti膜被用作过渡层,以增强Pt薄膜与衬底之间的黏着性。实验表明,在Pt薄膜的制备过程中,较高的衬底温度有利于薄膜晶化,促使Pt薄膜沿(111)晶向择优取向生长。而在薄膜沉积后加入适当的热处理工艺,能有效地提高Pt薄膜的择优取向性,同样可以得到沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。原子力显微镜分析表明,制得的薄膜结构相对致密,结晶状况良好,晶粒尺寸约为50nm。 相似文献
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56.
介绍了MPEG-2译码器的一种设计方法,由于译码器的设计采用了软硬件相结合的方法,使其功能多样,应用灵活。 相似文献
57.
江西景德镇电厂 SG220t/h 锅炉自投运以来,由于各种原因,过热器管爆漏现象时常发生。采取了相应的技术改进措施后,基本上消除了超温现象。本文对燃用劣质煤发电与过热器的安全运行,过热器长期超温运行及过热器管使用寿命问题进行了技术探讨,提出了今后在运行、检修中的注意事项。 相似文献
58.
枯水径流若干问题研究进展 总被引:13,自引:5,他引:13
着重对枯水径流频率分析、流量历时曲线、基流分割及退水分析等进行了阐述,分析了枯水径流特征与流域地形、地貌、水文地质特性和土地利用等空间信息之间的相关关系,并对无资料地区的枯水径流预测进行了探讨。 相似文献
59.
阐述了电流控制型开关电源的基本原理,并将其与电压控制型开关电源进行了比较,指出了电流型控制的优点,并介绍了一种常用的电流型控制芯片(TOPswitch-Ⅱ)及基于该芯片的开关电源。 相似文献
60.