语言报时表芯的再应用

带液晶显示的语言报时手表经使用一段时间后,常因液晶显示板失效及电池更换不便、使用寿命过短等被废弃搁置起来。 本文实测出常见三种表芯的基本电路,供检修时参考。并介绍用尚未损坏的表芯电路板改制成长寿型无显示语言报时器的方法。该报时器采用5号电池供电,取消了易损器件,使改制后的无显示语言报时器工作可     

俄罗斯基于超辐射机理相对论返波管实验研究进展

基于超辐射机理相对论返波管能产生高峰值功率、高峰值转换效率、快速上升前沿的纳秒／亚纳秒微波脉冲，正成为高功率微波源系统小型化的新技术途径．本文介绍了近几年来俄罗斯方面对超辐射返波管器件的实验研究情况，重点报道了Ka波段和X波段超辐射返波管器件的最新进展，并指出发展趋势及存在的一些关键技术问题．     

强流脉冲电子束特性对相对论速调管相位的影响分析

相位特性是强流相对论速调管放大器(RKA)的一个重要特征参数,而由高功率脉冲功率源产生的具有一定前沿的强流相对论电子束在驱动RKA时,会使得输出微波出现较大波动,影响RKA的输出微波相位稳定性及其应用.论文从强流脉冲电子束前沿分布状态出发,理论分析电子束前沿束流能量变化及其激励的腔体杂频对输出相位的影响,同时开展粒子模拟研究以及实验研究.研究结果表明:脉冲前沿段电子束能量变化将导致输出微波相位持续变化;此外,电子束前沿将激励杂模,导致输出微波相位在脉冲前沿段及平顶段初期持续抖动,在腔体参数一定条件下,脉冲前沿能量变化率越大,相位波动幅值越大,持续时间越长,通过减小杂频振荡频率处腔体的Q值可以有效缩短输出相位抖动时间,提高输出相位稳定性.     

玉龙露天铜矿高原冻土层大爆区精细化爆破技术

为解决高原高寒地区冻土、冻孔等因素对大爆区爆破效果的影响,提出了在2排主炮孔之间穿插浅孔辅助爆破技术,采用复式微差起爆网路,结合精细化爆破理念,制定了大爆区爆破方案,并进行现场试验.结果表明,运用该技术方案后,爆堆前冲距离约为20 m,爆区塌落线深度约5 m,爆堆内部松散性较好,大块率与根底率低,铲装效率高,取得了良好...     

鄂尔多斯盆地侏罗系软岩底鼓控制技术：案例研究（英文）

巷道底鼓引起的围岩变形是影响中国西部煤矿安全高效生产的主要难题。为了实现对软岩巷道底鼓变形的有效控制,本文以榆树井煤矿11505工作面轨道巷为研究背景,基于极限平衡法和滑移线场理论,建立了软岩巷道底鼓模型,分析了底鼓控制机理并提出优化支护方法;采用FLAC软件模拟分析优化支护前后巷道围岩的位移场、应力场和塑性区,通过现场应用验证支护技术的可行性和适用性。结果表明：底鼓是软岩巷道围岩变形的主要形式,较合理的反底拱厚度为0.5 m,其支护效果良好;挤压破坏带和剪切破坏带分别受到拉伸破坏作用和剪切破坏作用,巷道围岩的改性和有效支护是软岩巷道底鼓控制的关键;数值模拟与理论计算得出的破坏范围基本一致,数值模拟与现场实测得到最大底鼓量分别为220 mm和240 mm,相对于原始方案分别减少55%和60%,两帮移近量明显减小。优化后的支护方案可以较好地控制巷道底鼓,对榆树井煤矿及西部矿区软岩巷道底鼓控制具有较好的工程实践意义,为软岩巷道支护设计提供有益参考。     

自适应神经模糊推理网络在微波效应预测中的应用

针对微波效应的预测问题,采用自适应模糊神经网络的方法,以微波参数和作用阈值为参变量,初步建立基于自适应神经模糊推理网络的微波效应预测模型,并引入置信水平、置信区间等概率统计概念对模型的预测能力进行评价.通过学习样本和检验样本与模糊预测输出的对比结果表明:自适应神经模糊推理网络对样本需求少,预测能力强,泛化误差小,具有一定的应用推广价值.     

波混沌腔体中阻抗和散射的通用特性

以计算机机箱腔体为例,开展实验得到了大量的腔体散射矩阵和辐射散射矩阵。通过Dyson圆系综验证了微波腔体中波混沌散射的存在。对于给定波混沌腔体系统的损耗,可以通过随机矩阵理论得到系统的归一化阻抗和归一化导纳。将实验得到的以及依据随机矩阵理论得到的归一化阻抗进行比较,其结果一致,说明随机矩阵理论对波混沌系统具有预测功能。实验得到的归一化阻抗和归一化导纳的统计特性也一致,这两个物理量与系统的耦合无关。     

全新型无燃气电子打火机

打火机历经第一代火石汽油型,第二代火石燃气型,第三代电子打火燃气型之后,新研制的一种无燃气、无污染、长寿命,具有优良防风和抗低温性能的“第四代”电子打火机已经诞生。本文就其原理性能、结构特点及其派生的几种组合作一介绍。 原理性能 无燃气打火机完全取消了用火石或电子火花点燃液态气体的传统模式,采用小型充电镍镉电池作为“贮能体”,经“点燃头”中的铂阻元件加热“点火”。用充电补源插件,通过市电交流进行补源(图1),其特点如下。     

吸收因子对砷化镓高功率高速光导开关延迟时间的影响

本文用由于禁带变窄引起的吸收边漂移造成的电子吸收来研究了砷化镓高功率高速光导开关的延迟时间,给出了初始开态场、照射激光波长和温度对延迟时间的影响的简单公式.结果表明开关的半导体片对照射激光的吸收因子增大了开关的延迟时间,在计算中应该加以考虑.