多层喷射沉积铝/钢双金属板材的研究

采用多层喷射沉积技术制备铝／钢双金属板，分析了其中对双金属板界面结合产生影响的因素。结果表明多层喷射沉积技术在制备双金属板材方面有工艺设备简单，结合强度高等特点。其中在沉积前应对沉积的基板进行预热，预热的温度是双金属结合的关键。另外适当地热轧也能提高铝／钢双金属的界面结合强度。     

引线框架铜合金氧化特性的研究现状

铜合金由于具有优良的导电导热性能，已在现代集成电路塑料封装中占据了引线框架材料80%的份额。但铜合金容易氧化，其氧化膜被认为是塑料封装再流焊工艺中的分层和裂纹的主要原因之一，因此引线框架铜合金的氧化特性引起了人们的广泛注意。为获得铜合金引线框架良好的可靠性，不少材料工作者对铜合金在塑料封装中的氧化特性及其对铜合金与环氧树脂模压料（EMC）的粘接强度的影响进行了研究，为此，本文对引线框架合金的氧化物结构及动力学、铜合金与环氧树脂模塑料（EMC）粘接强度的影响因素等领域的研究进行了综述。     

铜基引线框架材料的研究与发展

引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一，其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等。随着IC向高密度、小型化、大功率、低成本方向发展，集成电路I/O数目增多、引脚间距减小，对引线框架材料提出了高强度、高导电、高导热等多方面性能上的要求。由于拥有良好的导电导热性能，铜合金已成为主要的引线框架材料。本文对电子封装铜合金引线框架材料的性能要求、国内外研究与发展等进行了综述。     

封装中的滚镀工艺研究

针对封装中的陶瓷外壳经常出现的电镀镀层不稳定的现象，通过滚镀工艺的阴极导通方式和面积加以改进，以改善电镀时镀件表面电流分布的均匀性，从而提高了滚镀的镀层质量，通过对比，发现影响镀层的关键性因素是与镀件连接的阴极，改进工艺后镀层的质量有明显的提高。     

La，Fe（或Co）／Ti对Cu-Cr-Zr合金时效特性的影响

研制了新型集成电路引线框架Cu-Cr-Zr系列合金，通过电导率、硬度、抗拉强度测试以及透射电镜观察，考察了微量合金元素La，Fe／Ti，Co／Ti元素以及时效工艺对合金性能的影响。结果表明：稀土元素La可以改善A合金(Cu-Cr-Zr-Zn)的硬度及导电率；加入Fe／Ti，Co／Ti元素，大大提高了合金的强度和硬度，并使其时效的强度及硬度峰值延后。在970℃固溶处理、70％冷变形及不同温度时效2h后，A合金(Cu-Cr-Zr-Zn)及B合金(Cu-Cr-Zr-Zn-La)在450℃时达到硬度和强度峰值，分别为HV1770MPa和525MPa及HV1840MPa和554MPa，电导率分别为78％和80％IACS；在970℃固溶处理，60％冷变形，500℃时效2h，50％冷变形及不同温度2次时效2h后，C合金(Cu-Cr-Zr-Zn-Fe-Ti-La)及D合金(Cu-Cr-Zr-Zn-Co-Ti-La)在450℃时达到硬度和强度峰值，分别为HV2120MPa，683MPa及HV2040MPa和651MPa，电导率分别为65％和70％IACS。     

溶液法氧化物薄膜晶体管的印刷制备

溶液法印刷制备电子器件因具有绿色环保、低成本、流程简单、柔性好和适应性强等优良特性,受到世界各个国家的重视,尤其高性能薄膜晶体管是平板显示和消费电子行业的基石,更成为了研究的热点。本文综述了基于溶液法氧化物薄膜晶体管印刷制备的最新研究进展,详细讨论了印刷氧化物薄膜晶体管结构优化、半导体层材料、电极层材料和绝缘层材料以及相关前驱体选择等,指出了提升器件性能的关键,明确了器件后处理与稳定性的关系。最后,本文总结了氧化物薄膜晶体管在印刷制备和应用过程中存在的问题以及发展前景。     

喷墨打印电极在薄膜晶体管中的应用

喷墨打印技术具有成本低、环境友好、效率高和直接写入等优势,被广泛应用于薄膜晶体管(TFTs)中图形化电极的制备。高密度、大尺寸、柔性和低能耗电子器件的快速发展,对打印电极质量提出了更高的要求。文章对导电墨水、喷墨打印技术及喷墨打印电极工艺优化进行了总结,并指出了现阶段喷墨打印电极在薄膜晶体管应用中存在的问题及今后的研究方向。     

磁控溅射制备铝、钛掺杂钽氮化合物薄膜的微观结构与电学性能研究

采用反应射频磁控溅射法,在Al₂O₃陶瓷基片上通过共溅射的方式成功制备了Al-TaN和Ti-TaN薄膜,并通过调节Al和Ti靶的溅射功率以实现了掺杂,研究了掺杂元素变化对薄膜微观结构和电学性能的影响。结果显示,随着掺杂元素Al和Ti的增加,TaN薄膜的粗糙度逐渐增大,晶体结构逐渐向非晶转变;Al元素掺杂时,当Al靶掺杂功率由0 W升至70 W,薄膜电阻率由0.88 mΩ?cm增至82.72 mΩ?cm;Ti元素掺杂时,当Ti靶掺杂功率由0 W升至70 W,电阻率由1.03 mΩ?cm降至0.32 mΩ?cm。此时,随着Al和Ti靶材掺杂功率由0 W升至70 W,薄膜的TCR值分别从-1 313×10^-6 ℃^-1逐渐负偏至-3 831×10^-6 ℃^-1和从-1 322×10^-6 ℃^-1正偏至-404×10^-6 ℃^-1。该研究为溅射制备掺杂TaN薄膜提供了深刻的理论和实验基础。