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接近室温的更高工作温度是第三代红外探测器发展的重要方向。本文论述了用MBE在InSb(100)衬底上外延生长制备P-i-N型三元In1-xAlxSb薄膜合金材料,并通过制备单元器件进行了验证。采用RHEED振荡和X射线双晶衍射对In1-xAlxSb薄膜的Al组分进行了调控和检测。5.3 μm厚薄膜的FWHM≈50 arcsec,Al组分约1.9%。10 μm×10 μm原子力表面粗糙度RMS≈0.6 nm。制备的单元器件获得了预期的理想效果,为下一步面阵焦平面的制备奠定了基础。 相似文献
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"龙腾R"是西北工业大学自主研制的32位高性能微处理器.该处理器的分支处理单元(BPU)能有效降低控制相关带来的延迟.通过分析已有的分支方向预测算法和分支目标地址预测策略,在分支处理单元总体约束下,合理分配分支方向预测和目标地址预测的实现代价,提出了一种基于混合分支预测器和经过改进的目标地址缓冲(grB)结构的分支处理单元结构.该结构不仅比传统的由gshare分支方向预测器构成的分支处理单元预测准确率平均高出1%~2%,并具有面积小、功耗低的特点. 相似文献
75.
采用三步工艺进行了GaAs基InSb的异质外延生长并结合实验数据和文献资料研究了生长温度和速率、InSb层的厚度、低温缓冲层质量和双In源工艺对材料Hall电学性能等的影响。发现温度和生长速率对室温载流子迁移率和本征载流子浓度影响不太大;晶体XRD FWHM随膜厚的增加而逐渐地减小;低温缓冲层的界面质量和厚度对表面形貌具有一定的影响,低温缓冲层的界面厚度不应小于30 nm,ALE低温缓冲层的方法可以降低局部表面粗糙度;实验发现在优化的工艺参数基础上采用双In源生长工艺可以生长出电学性能不发生反常的理想本征InSb异质外延薄膜材料。获得2μm厚GaAs基InSb层在300 K和77 K的Hall迁移率分别为3.6546×104 cm^2 V^-1 s^-1和7.9453×104 cm^2 V^-1 s^-1,本征载流子迁移率和电子浓度随温度的变化符合理论公式的预期。 相似文献
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针对运输系统中运动目标在运动垂直方向上边缘信息缺失的问题及运动目标检测实时性差的缺点,提出了一种改进的融合边缘检测算法的四帧差分法,结合现场可编程门阵列(FPGA)芯片的并行工作特性,满足了运动目标检测的实时性要求。改进的四帧差分算法是采用间隔帧间差分的方式,将运动目标区域提取出来与边缘检测相融合,同时利用FPGA中多端口SDRAM图像缓存技术对实时图像进行缓存和输出。系统实现了对运输带上运动目标的检测,结果表明,该算法能够较好地解决在传统帧间差分法中运动目标在运动垂直方向上边缘缺失的问题,同时也能准确且实时地检测出待测运动目标。 相似文献
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索尼CE-P13是面向中低端的一款闪存式MP3,属于索尼最新发布的P系列,P系列产品还拥有512MB和1GB版本,本次体验中的CE-P13是系列中容量最小的产品,只有256MB的容量。[编者按] 相似文献
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某日,如花家烧饭的铁锅被烧穿了,老婆当即指示如花到市场上去买个新的。如花不敢违令,慌忙打的来到超市。一来到卖锅区,吓了如花一跳,大大小小的锅儿摆满了整个区域,真是让如花目不暇接,直呼厉害。仔细一看价格,如花心里一紧,却不敢喊出声来,就一个烧饭锅,怎么就卖到了1888,2888元这样的天价?旁边一名促销员精确地捕捉到如花脸上一闪而过的表情,立马凑上前来:
“同志,看锅吗?” 相似文献
80.
InSb材料由于其优异的光电性能,一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向,开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜,通过金相显微镜、X射线双晶衍射仪、原子力显微镜、SEM和EDX等检测手段对InSb外延膜进行表面缺陷、晶体质量表征和分析,并采用标准的InSb器件工艺制备128×128焦平面探测器芯片进行材料的验证,结果表明该材料性能可以满足制备高性能器件的要求。 相似文献