磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺

针对磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(HEMT),进行了Ni/Ge/Au和Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au两种金属结构快速退火(10～40s)和长时间合金(10min)的实验.通过研究比较,得到了更适用于InP基HEMT器件制作的合金方法.利用Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au结构,在270℃下合金10min形成了典型值0.068Ω·mm的接触电阻.     

SA8000标准认证对我国小口制造业的影响与对策分析

在全球经济一体化的背景下，以SA8000为主要内容的劳工标准已经成为国际经济贸易中的“共同契约”。SA8000标准认证对于我国制造业出口来说既是机遇又是挑战。文章在对SA8000标准的含义及内容简要介绍的基础上，分析了其对我国出口制造业的弊利，并探讨了我国政府和企业的积极应对之策。     

高炉料车卷扬电力拖动方案原理的分析和比较

本文面向炼铁高炉主卷扬电力拖动方案，通俗简介了各种电机电气传动方式和它们的特点，重点分析了绕线电机串阻调速，直流电机调速和交流电机通用变频调速的适用性和优缺点，特别指出了变频调速的节能优势及应用中存在和应注意的问题。     

MPLS的原理与应用

MPLS是一个可以在多种第二层媒质上进行标记交换的网络技术.本文主要介绍了MPLS的工作流程,在实践中的应用,MPLS技术的意义,最后指出了MPLS还存在的一些问题.     

MIMO-OFDM系统空间分集定时同步算法

根据MIMO-OFDM系统无线传输信道的特性,提出了基于单个前导子符号的MIMO-OFDM系统空间分集定时同步算法,以克服高速无线多径信道中深衰落对MIMO-OFDM系统定时同步性能的影响,应用概率论推导出MIMO-OFDM系统空间分集算法的定时错误概率分布和概率密度数学表达式,并给出了MIMO-OFDM系统在无线多径信道中帧定时同步的仿真结果.     

GaAs PIN二极管的新等效电路模型

基于物理原理的分析,提出了GaAs PIN二极管的一种新等效电路模型.GaAs PIN二极管被分成P+n-结、基区和n-n+结三部分分别建模,总的模型由三个子模型组成,从而极大地提高了模型的准确性.相应的模型参数提取过程不要求苛刻的实验或测试条件,简便易操作.研制了15组GaAs PIN二极管来验证模型,测试结果表明模型准确地反映了GaAs PIN二极管的正向和反向特性.     

GaAs基单片集成InGaP／AIGaAs／InGaAs增强／耗尽型PHEMTs

提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V.     

无铅压电陶瓷的器件应用分析

随着社会可持续发展战略的实施和人们环保意识的加强,无铅压电陶瓷及其器件应用已成为当前铁电压电材料及其应用研究的热点之一。该文通过对近期铋层状结构和Bi1/2Na1/2TiO3基无铅压电陶瓷,以及研发的无铅压电陶瓷的相关压电参数的分析,对照传统PZT基压电陶瓷的器件应用,分析了无铅压电陶瓷相关性能参数对器件应用的影响。     

MIMO-OFDM系统无线衰落信道容量分析

推导了MIMO-OFDM系统在衰落信道下的各态历经容量、最优发送策略、使用等功率分配时的容量上界以及相对于单天线OFDM系统的容量增益。结果表明：天线数和平均接收信噪比是决定MIMO-OFDM系统信道容量的关键因素。天线数越多或者接收信噪比越大,信道的容量越大,信道容量几乎不受多径时延扩展的影响。慢衰落信道下的最大信道容量可以使用空-频两维注水算法得到,当接收信噪比足够大时,最大信道容量也可以用平均分配发送功率的方法逼近。     

RFID标签引脚阻抗的建模与计算

射频识别(RFID)标签的封装中,芯片与天线靠各向异性导电胶(ACA)连接。ACA的性质导致了芯片的引脚与天线连接处会有较大的阻抗,影响了标签的电参数,会对标签读写距离产生不利的影响。分析了芯片引脚处阻抗对标签的电性能的影响,对该处电阻与寄生电容进行了建模和计算。最后,依据理论计算了一款天线的引脚阻抗,并据此对该天线进行了优化与测试,验证了理论的正确性。