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991.
以氢氧化铜为前驱体,在超声和微波作用下制备纳米氧化铜。借助透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、粒度分析等手段,研究了超声、分散剂、微波等制备条件的影响。结果表明:采用该法可以制备粒径小(15nm)、分散良好的纳米氧化铜粉体;超声可使前驱体Cu(OH)2转变为CuO,并粉碎颗粒间形成的团聚;分散剂通过表面修饰抑制颗粒的团聚;微波加热促进了前驱体的转化,并抑制颗粒的长大。 相似文献
992.
L分子筛芳构化催化剂与传统的双功能重整催化剂相比,链烷烃芳构化活性和选择性高得多。粘合剂影响L分子筛催化剂的强度、芳构化活性和选择性。Pt/K BaL催化剂比Pt/KL催化剂的芳构化活性和选择性高。钡含量影响Pt/K BaL催化剂的芳构化活性和选择性。微反结果表明,自制的Pt/KL和Pt/K BaL催化剂比文献报导的载铂L分子筛催化剂的芳构化活性和选择性高,100mL装置评价结果也证明两种自制催化剂具有很高的芳构化活性和选择性。 相似文献
993.
994.
针对过共晶铝硅合金经过P变质后初生硅仍然粗人大的问题,采用Cu-9%P合金变质处理Al-15%Si、Al-18%Si、Al-20%Si合金,变质处理后对熔体进行搅拌,研究了搅拌工艺对变质处理效果的影响,分析了熔体搅拌提高变质效果机理。结果表明,Cu-P合金变质过共晶铝硅合金时,对熔体进行搅拌可显著提高变质效果,初生硅最高可细化85%;在最佳搅拌时间内,搅拌强度越大、硅含量越高,变质效果越好;搅拌熔体迫使富P区域内AIP停止生长,熔体流动速度越快,对富PP区域内AlP的冲刷越强烈,越容易得到细小的AlP;搅拌熔体能够增加组织中初生α相的数量,搅拌工艺合适时,典型的共晶组织基本消失,可获得连续的α基体上均匀分布细小初生硅的凝固组织。 相似文献
995.
Free-standing diamond films were prepared by hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) method under different conditions. Inter-digital transducers (IDTs) were formed on the nucleation sides of free-standing diamond films by photolithography technique. Then piezoelectric ZnO films were deposited by radio-frequency(RF) reactive magnetron sputtering to obtain the ZnO/diamond film structures. Surface morphologies of the nucleation sides and the IDTs were characterized by means of scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscope (AFM) and optical microscopy. The results indicate that the surfaces of nucleation sides are very smooth and the IDTs are of high quality without discontinuity and short circuit phenomenon. Raman spectra show the sharp diamond feature peak at about 1 334 cmI and the small amount of non-diamond carbon in the nucleation side. X-ray diffraction (XRD) patterns of the structure of ZnO/diamond films show a strong diffraction peak of ZnO (002), which indicates that as-sputtered ZnO films are highly c-axis oriented. 相似文献
996.
Characterization of (100)-orientated diamond film grown by HFCVD method with a positive DC bias voltage 总被引:1,自引:0,他引:1
The (100)-orientated diamond film was deposited by hot-filament chemical vapor deposition (HFCVD) technology with a positive DC bias voltage. The morphology, X-ray diffraction (XRD), RMAN spectrum and dark current versus applied voltage characteristics analysis show that the positive dc bias can increase the nucleation density and (100)-orientated growth, making the growth of the high quality diamond film easier and cheaper than using other methods. 相似文献
997.
998.
用毛细管流变仪研究了茂金属聚乙烯蜡改性聚乙烯共混体系的流变行为,探讨了茂金属聚乙烯蜡用量对共混体系熔体流变行为、熔体黏度、非牛顿指数和流动活化能的影响。结果表明:茂金属聚乙烯蜡对LLDPE/LDPE流动黏度降低明显,增加用量可使黏度逐渐降低;而对MPE/LLDPE/LDPE共混体系流动行为的影响比较复杂,在低剪切应力下黏度随茂金属聚乙烯蜡用量增加而逐渐降低,而在高剪切应力下黏度先增后减;茂金属聚乙烯蜡与MPE/LLDPE/LPDPE的相容性好于LLDPE/LDPE共混体系。 相似文献
999.
1000.