新一代深度张力面板

新一代深度张力面板不仅具有基本的深度、张力采集、处理、显示功能,同时还具有多种报警及通讯功能.其最大的特点是采用了液晶显示屏和触摸屏,使得信息的显示更加丰富、直观和醒目.同时,触摸屏的采用,省去了传统的按钮、开关及键盘操作模式,使操作更加方便简洁、自然.该面板可以单独工作,也可以配备于测井、录井地面系统中使用.     

高生产能力重选的应用

前言最近20年,重选工艺有显著进展,处理各种重矿物矿石的高生产能力的重选厂有效地进行了生产。最为持续的进展见之于处理3厘米至50微米的粒级,为此已研制出如赖克特圆锥选矿机之类的高给矿浓度、高处理量的重选机。螺旋选矿机已得到改进和提高,使之在一定空间内有较高的处理能力;人们已认识到,     

IOT电视发射机的特点与维护经验

本文以泰克诺３０ｋＷ ＩＯＴ发射机为例，分析了ＩＯＴ发射机的特点，介绍了其主要电路的特点及工作原理，为了解掌握ＩＯＴ发射机提供了参考。文中介绍了ＩＯＴ发射机的维护，对使用该类发射机的台站有一定参考价值。     

台阶式溢流坝跌落水流时压强特性研究

当台阶均一的台阶式溢流坝在跌落水流流态时,台阶面上的脉动压力主要由跌落水舌影响,台阶水平面上压强均大于竖直面。由于水舌掺气,时均负压主要集中在台阶竖直面自台阶凸角至台阶凹角3 4的台阶高度范围内;受到跌落水舌在台阶水平面上的冲击,时均正压则主要集中在台阶水平面凸角水舌跌落处附近。台阶竖直面上的脉动压强强度远小于台阶水平面,而台阶水平面上的脉动压强强度则集中于水舌跌落处。     

面向全光信号处理的三角形光脉冲产生技术

三角形光脉冲在时域范围内具有前后沿恒定变化特性,使得其在全光信息处理领域获得了广泛应用。主要针对目前国内外提出的两类三角形光脉冲产生方法：（1）电光法;（2）全光法,简单介绍了几种具体的获得稳定三角形光脉冲串的方法,从所产生三角形脉冲的重复频率、脉冲宽度以及系统稳定性、实验优缺点等方面进行分类比较,并重点介绍了一种利用连续波光调制结合色散所致功率衰落的脉冲生成方法。     

基于特征融合的HJ-1-CSAR图像道路特征提取算法

在SAR图像中精准地提取道路网络是大量军事和民用技术开发的重要环节。针对HJ-1-C SAR图像道路提取问题,该文提出一种融合比率信息和方向信息的道路提取算法。在进行道路提取前,针对HJ-1-C数据动态范围窄、信噪比低等特点,提出非线性量化和建立在多尺度自回归模型基础上的图像滤波相结合的预处理方法;随后,使用该文提出的基于特征融合的道路提取算法进行道路提取,算法综合考虑了道路比率和方向性信息,通过对比率图进行Radon变换提取道路主方向,然后进行主方向对齐和2次道路提取步骤,最大可能性地去除了交叉道路的干扰,使得提取道路的准确度和连续性都得到提升。采用HJ-1-C获取的武汉地区数据进行算法验证,实验表明,该方法在大场景复杂地形区域具有更高的正确率(80.5%)和品质因数(70.1%)。     

一种高性能全分集LDPC码的构造方法

块衰落信道上全分集LDPC的构造与性能分析成为近期研究的热点。ML译码算法下全分集LDPC码可以通过设计列满秩的校验子矩阵来实现。然而,基于ML准则的全分集码字,采用迭代译码算法时,不能保证全分集。因此,该文通过设计特定结构的校验矩阵,实现了在迭代译码算法下能取得全分集的LDPC码,分析了其密度演化过程。 在此基础上,进一步研究了全分集LDPC码字结构与性能的关系,提出了提高全分集LDPC码编码增益的方法。仿真结果表明,该文构造的LDPC码不仅能够取得全分集,并且具有较高的编码增益。     

SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展

回顾了SiC单晶的发展历史，总结了目前的发展状况，同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺，最后介绍了SiC单晶的加工技术. 通过模拟计算与具体实验相结合的方法，调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场. 近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展，进而有利于减少缺陷提高晶体的质量. 由于SiC硬度非常高，对单晶后续的加工造成很多困难，包括切割和磨抛. 研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体，可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片；采用化学机械抛光法，可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层，加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm.     

高压变频器在母管制给水系统中的应用

本文阐述了给水泵变频调节原理，改造方案和应用实践，热电厂的热，电负荷是随用户需要变化的。给水泵定速方式，节流调节的主要弊病是：给水泵起停频繁，节流损失大，母管压力变化大，给水泵单耗相对较高。应用变频器对运行中的给水泵（特别是母管制给水泵）进行变频改造，能够实现母管压力恒定，减少给水泵频繁起停，降低单耗。给水泵变频调速，是母管制给水系统实现自动调控，降低给水泵单耗的最佳途径。     

高压LDMOS I—V特性宏模型的建立

目前LDMOS已经广泛应用于功率集成电路和微波集成电路中,建立LDMOS的SPICE等效电路变得很重要。以往的模型都是将LDMOS分为线性区和饱和区两段来分析,公式复杂而且计算量大。因此在数值模拟的基础上提出了全导通区域的伏安特性方程,建立了LDMOSI-V特性的宏模型。该模型的特点是参数少,易于提取,得到的SPICE等效电路简单,仿真容易收敛。