焦炉集气管压力系统PID参数寻优控制策略仿真研究

对于焦炉集气管压力控制系统参数优化问题,提出一种先进方法,采用时间和误差的绝对值乘积的积分(即ITAE准则)作为目标函数,采用单纯形法来进行PID参数寻优,运用临界灵敏度法进行PID参数初始整定,使得目标函数为最小就可达到优化目的。最后,仿真结果和分析表明了此方法是适用的,改善了控制系统的动态性能。     

基于LSSVM逆系统在污水处理系统DO控制中的研究

针对污水处理控制系统的非线性及时变等特点,在分析常规PID控制和模糊控制不足的基础上,以溶解氧DO为控制对象,提出一种由LS-SVM的逆模型与PID结合的复合控制系统,由LS-SVM辨识非线性系统的逆模型作为前馈控制器,形成直接逆控制。同时,由PID控制器构成反馈控制,克服直接逆控制鲁棒性不强的缺陷。仿真研究结果表明LS-SVM的逆模型辨识能力强,具有更好的抗干扰能力和鲁棒性。     

减轻与消除涩北气田钻井中起下钻严重阻卡的方法

涩北气田是青海油田的主力天然气田，属于第四系自生自储的生物成因原生天然气藏，气层埋藏浅，欠压实，成岩性差，结构疏松；储层岩性以粉砂岩、泥质粉砂岩为主，有少量的细砂岩组成，因此在钻井过程中泥质粉砂岩遇水分散，使泥浆的粘度上升，泥浆的流变性变差，如果泥浆的处理与净化工作滞后，泥浆中的有害固相增加，则泥饼质地松散且厚，摩擦系数大，造成井径偏小“缩径”，而且钻井机械钻速偏高，再加上地层压力系统紊乱等原因，使钻井过程容易出现阻卡等现象。     

漫谈短波电台的SINPO代码

<正> 自1930年荷兰国际广播电台(Radio Netherlands)与意大利国际电台(RAI)相继播音以来,短波国际广播已有76年的历史,而掀起收听短波广播高潮的是上世纪八十年代。当时全球的短波电台如雨后春笋般地冒出头来。各电台为掌握所发出电波的覆盖区域范围和目标区的传输效果,约定成俗地设计了一个收听报告模式(SINPO表),让听众按其所在地实际接收情况填寄。各地听众反映的 SINPO 数据,是电台工程部门改善传输质量的重要依据。电台收到来自各国听众的 SINPO 报告,经对比时间、频率、节目细节等参数无误后,作为回报,签发回寄QSL 卡(为保险起见,听众应在 SINPO 表中注明需要QSL 卡)。SINPO 亦称 SINPO 代码(Code),每个项目以"1-5"的阿拉伯数字代表5个等级来评定,数字越大,表示接收效果和环境越好。分级如下:     

工控机在调度数据采集系统中应用

本文根据某储运厂调度数据分布的情况，从现代监测要求出发应用研华公司的IPC－610型486（386）PC 总线工业控制计算机及配套通讯卡、A／D转换卡和I／O接口卡，采用二级分布方式，设计了一个调度数据采集系统，该系统对 加强生产管理和提高生产效益起了一定的作用。     

和利时DCS在多焦炉集气管压力系统中的应用

以鼓风机调速系统为核心的多焦炉集气管压力控制系统是一个工况复杂多变、大滞后、强耦合、非线性且频发强干扰的工业系统,结合该系统在实际生产过程中对现场仪表及生产过程控制调节的需求,设计了一套基于和利时DCS的自动控制系统。该系统完成了对焦化工艺过程的监控、控制过程参数调整、实时趋势分析、故障诊断等组态。投运结果表明,焦炉生产自动化控制水平得到提高,改善了工作环境;保证了系统可靠稳定运行。     

焦化鼓风机系统智能控制策略研究及应用

针对焦化鼓风机系统具有非线性时变、多变量、强耦合及存在随机干扰的特点,通过采用基于最近邻聚类方法的RBF神经网络快速学习算法,实时在线辨识,建立被控对象的精确逆模型并用于控制,实现了将具有强耦合特性的多输入多输出(MIMO)系统解耦成单个独立的伪线性对象,并提出一种基于RBF神经网络逆控制与非线性比例积分微分(PID)控制相结合的智能控制策略,保证了系统稳定的同时改善了控制系统性能.仿真和应用结果证实了该控制策略具有快速适应对象和过程变化的能力及较强的鲁棒性.     

节能环保型双预热炉数字PID控制器设计及应用

节能环保型双预热炉的炉温调节系统具有强干扰、纯滞后的特点.针对这一特点,设计了自适应预测数字PID控制系统,提高了温度控制精度,且通过应用表明,系统稳定性好,可靠性高,具有较强的鲁棒性.     

市政道路施工质量通病分析及对策

市政道路的施工质量关系着行车的安全性和舒适性、路面结构的耐久性,一旦产生质量通病会严重地影响道路施工的质量。文章主要分析了市政道路中的排水系统和路基与路面施工中容易出现的质量通病,并提出了相应的解决对策。     

功率VDMOS器件ESD防护结构设计研究

随着半导体工艺的不断发展,器件的特征尺寸在不断缩小,栅氧化层也越来越薄,使得器件受到静电放电破坏的概率大大增加。为此,设计了一种用于保护功率器件栅氧化层的多晶硅背靠背齐纳二极管ESD防护结构。多晶硅背靠背齐纳二极管通过在栅氧化层上的多晶硅中不同区域进行不同掺杂实现。该结构与现有功率VDMOS制造工艺完全兼容,具有很强的鲁棒性。由于多晶硅与体硅分开,消除了衬底耦合噪声和寄生效应等,从而有效减小了漏电流。经流片测试验证,该ESD防护结构的HBM防护级别达8 kV以上。