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111.
公伯峡水电站通信系统是一个集有线和无线为一体的综合性通信系统,担负着电站调度管理信息及自动化信息的传输。通信系统的运行质量将直接影响电站生产调度管理水平及安全运行。文章主要介绍了公伯峡水电站通信系统组成及组网方案及其特点。 相似文献
112.
贮丝筒换向电机始终处于频繁的正反转状态,虽然其负荷不大,但由于贮丝筒直径较大,所以,旋转惯量是相当大的。其与电机出轴联接处始终受到相当大的正反向扭矩,这样,对电机轴的疲劳强度要求很高。而一般电机出轴端多做成如图1形状,清角台阶处应 相似文献
113.
RADIATION EFFECT ON FLUORINATED SiO2 FILMS 总被引:3,自引:0,他引:3
A systematic investigation of γ radiation effects in gate SiO2 as a function of the fluorine ion implantation conditions was performed.It has been found that the generation of interface states and oxide trapped charges in fluorinated MOSFETs depends strongly on implantation conditions.The action of F in oxides is the conjunction of positive and negative effects.A model by forming Si-F bonds to substitute the other strained bonds which easily become charge traps under irradiation and to relax the bond stress on Si/SiO2 interface is used for experimental explanation. 相似文献
114.
对氢氧合成和干氧栅氧化后注F的P沟MOSFEET和N沟MOSFET进行了γ射线辐照试验,比较了两种栅介质注F的电离辐射响应特性。研究表明,氢氧合成栅氧化后注F的MOSFET具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态生长的能力。用一个新的模型对实验结果进行了讨论,该新模型中用Si-F结键替代其它在辐射场中易成为电荷陷阱的应力键,并考虑到不同氧化方式导致栅介质本身具有的电子陷阱数、空穴迁移率和氧化时所引 相似文献
115.
掺HCIPMOSFET的电离辐射总剂量效应 总被引:1,自引:0,他引:1
用亚阈技术分析研究了干氧栅氧化期间通入HCI所制作的PMOSFET的60Co辐照响应。结果表明,栅介质中掺入少量HCI能抑制辐射感生阈电漂移和界面态增长;固定HCI流量为15ml/min的最优通入时间范围为10-150s,过量的HCI掺入,其抑制辐射损伤能力减或消失。用HCI参栅介质中的作用是正负效应的综合,解释了实验结果。 相似文献
116.
117.
118.
非金属材料腐蚀数据库 总被引:1,自引:0,他引:1
设计和开发了一个全中文的非金属材料腐蚀数据库,库内有九大数81种在900多种腐蚀介质的不同浓度和不同温度下的腐蚀数据,使用C语言编制数据管理系统。 相似文献
119.
120.
白酒工艺操作机械化、自动化主要分为四个部分:制曲生产,包装生产流水线,酿酒操作工艺、酒库计算机自动管理。对每个部分又进行了原状态与现状态的历史对比、大陆与台湾的地区对比及基本工艺流程介绍。 相似文献