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101.
本文介绍了用射频溅射技术制备InSb薄膜的方法,探索了溅射电压,工作气压,衬底温度及其片电压等条件对膜的特性和结构的影响,着重讨论了溅射条件对膜方块电阻的影响,并初步得出其变化规律。 相似文献
102.
InP 层对正面及背面入光 PIN 探测器响应度影响研究 总被引:2,自引:0,他引:2
InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射,使InP层对InGaAs/InPPIN探测器的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度,并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较,分析了InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度的影响。结果表明,随着InP层厚度的增加,响应度峰与峰的间隔Δλ不断减小,波形越来越密集。所以正面入光探测器的响应度起伏比较明显,且随着InP层厚度的增加,响应度极值对应的波长发生红移。背面入光探测器的响应度非常密集而成为准连续的带状。 相似文献
103.
104.
被动房标准与我国现行标准根本性不同点◇被动房用一次能源消耗量做限制性指标,而不用50%这类的相对指标表示能耗的高低。◇被动房对建筑的采暖能耗、制冷能耗和建筑物的总能耗做限制,而不是仅对采暖或制冷做限制。 相似文献
105.
Considering the impacts of ideal factor n, VBE and band gap changes with the temperature on current gain, the current gain expression has been corrected to make the results closer to the actual test. Besides, the accelerating lifetime study method in the constant temperature-humidity stress is used to estimate the reliability of the same batch transistors. Applying the revised findings from the expression, the current gains before and after the test are compared and analyzed, and, according to the degradation data of the current gain, the transistor lifetimes in the test stress are respectively extrapolated in the different failure criteria. 相似文献
106.
107.
108.
109.
110.
在理论的蜂窝小区模型上考虑了地理位置对位置区规划(LAP)的影响,添加了相邻不连通小区属于不同位置区的约束,并利用进化算法的群体搜索优势对LAP问题进行了求解,在初始解和位置区更新过程中借鉴了模糊聚类的方法,同时对约束进行了调整,最后,模拟实际的道路分布进行了计算机仿真实验,实验结果表明了算法的有效性。 相似文献