高功率固体激光器研究的新进展

本文主要介绍近年来高功率固体激光器研究的一些新进展和关键技术，分别对高功率、高光束质量板条固体激光器，高功率、高效率管状固体激光器，高功率二极管泵浦固体激光器作了评述和分析。指出高功率固体激光器的发展前景是光明的。     

变形镜热形变及其对光束质量的影响分析

在考虑中红外高反膜系的非均匀吸收情况下,利用ANSYS有限元分析软件,建立了带高反膜系的变形镜模型。定量分析了连续激光辐照下,变形镜的温升、热形变及其对光束质量的影响。研究结果表明,在使用有限元软件进行分析时,高反膜系的非均匀吸收不可忽略;变形镜极头间距越窄,热形变带来的波前畸变空间频率越高;当入射波前峰谷(PV)值与变形镜热形变面形PV值相差不大时,热形变带来的影响最明显;在总吸收能量一定的情况下,入射激光功率越大,热形变对光束质量的影响越明显。此外,针对不同的换热条件,讨论了变形镜热形变对光束质量的影响,进而针对热形变的产生机理,提出采用局部换热方式降低变形镜的热形变。     

用于制备硅LED的太阳能电池技术

集成电路工艺发展使得芯片内部的互连成为芯片延时的主要问题.制备出高光效的硅LED已经成为OEIC发展的瓶颈.硅是间接带隙半导体,而且载流子寿命较长.所以使用硅材料制备发光器件是长久以来特别引人关注而又较难解决的问题.采取降低非辐射复合速率,增加辐射复合的机会可以实现硅LED的发光.介绍了用于制备硅LED的太阳能电池技术原理和主要方法,以及采用这一原理实现PERL硅电池和区熔硅衬底非晶硅电池用于制备LED的技术.     

超高强度飞秒脉冲的三次谐波转换

针对超高强度飞秒激光,对利用单块BBO晶体产生三倍频(THG)的过程进行了分析,比较了单块晶体中三阶非线性效应以及级联二阶非线性效应对三倍频转换效率的作用,讨论了入射基频光光强、晶体厚度、自相位调制(SPM)、交叉相位调制(XPM)、群速度失配、失谐角、方位角等因素对三倍频光转换效率、时间波形及光谱分布的影响,在此基础上,提出了提高三倍频转换效率的方法.研究结果表明:入射基频光强一定时,三倍频光的峰值光强、脉冲宽度(FWHM)随晶体厚度变化不明显.通过优化基频光入射角度,可提高单块BBO晶体三倍频光转换效率及峰值光强,并减小三倍频光脉冲宽度.此外,方位角的优化也可在一定程度上提高三倍频转换效率.     

西部大学生网络教育资源利用现状的调查研究

本文对西部在校大学生利用网络教育资源现状的抽样调查数据进行了详尽的分析,通过分析找出了大学生在利用网络教育资源时存在的问题,并提出了提高西部大学生利用网络教育资源进行学习的一些建议。     

开放公园入口广场使用后评价 ——以温州市球山公园入口广场为例

开放公园是人们日常生活中主要的活动场地,入口广场是公园内的初印象和第一序列,本文通过观察和访谈,对浙江省温州市球山公园的太极广场进行使用后评价分析,了解人群活动行为、绿植生长情况、广场的安全性与通达性、公共设施情况等情况,并通过分析使用满意度和不满意内容来总结该公园入口广场存在的问题,对其提出相应的改进建议和意见.     

关于促进建筑给水排水健康发展的思考

据不完全统计,建国以后毕业的给水排水专业学生约10万人,其中从事建筑给水排水相关工作的占60%～70%.但是建筑给水排水在给水排水专业中受重视程度一直不高,具体表现在高校学习的课时越来越少,专门从事建筑给水排水教学的教授也越来越少.以往尚有王继明、钱维生、胡鹤钧、曾雪华等教授专门从事建筑给水排水教学和研究,现在由于经费、生源、地位等原因,许多教授不愿意从事建筑给水排水教学,导致建筑给水排水的一些理论仅停留在公式推导和设想阶段,没有完善的试验和实际调研支持,不利于行业的发展.     

高功率二极管泵浦固体激光器的技术问题和应用前景分析

本文基于近年来的工作，对高功率二极管泵浦固体激光器的一些关键技术问题进行了分析，提出了向更高功率水平发展可行的技术方案，并讨论了应解决的关键问题，最后展望了高功率二极管泵浦固体激光器的应用前景。     

多核中Cache管理策略分析

本文首先分析了多核系统中二级Cache私有和共享管理方式的优缺点.并在此基础上,分析了现有的基于私有和共享方式的优化策略,现有的优化策略均通过混合私有和共享的方式在Cache访问延迟和Cache命中率之间找到一种平衡.     

替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理

基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B+离子注入的平面结汞空位n~+-on-p结构,替代衬底上的碲镉汞(HgCdTe)器件零偏阻抗(R0)在80 K以上与碲锌镉(CdZnTe)基碲镉汞器件结阻抗性能相当.但替代衬底上的HgCdTe因结区内较高的位错,使得从80 K开始缺陷辅助隧穿电流(I_(tat))超过产生复合电流(I_(g-r)),成为暗电流的主要成分.与平面n~+-on-p器件相比,采用原位掺杂组分异质结结构(DLHJ)的p~+-on-n台面器件,因吸收层为n型,少子迁移率较低,能够有效抑制器件的扩散电流.80 K下截止波长9.6μm,中心距30μm,替代衬底上的p~+-on-n台面器件品质参数(R0A)为38Ω·cm2,零偏阻抗较n-on-p结构的CdZnTe基碲镉汞器件高约15倍.但替代衬底上的p+-on-n台面器件仍受体内缺陷影响,在60 K以下较高的Itat成为暗电流主导成分,其R0A相比CdZnTe基n~+-on-p的HgCdTe差了一个数量级.