一站式移动支付平台 将促进移动支付市场快速发展

移动支付市场的发展前景得到业界普遍认同,移动支付产业链各环节厂商纷纷加大该领域研发和推广力度,其中一站式移动支付平台方案被看好。近两年,受智能终端和移动互联网快速发展的影响,基于智能终端的各种应用开始丰富,特别是移动支付凭借其随时、随地、随身的特性作为     

手机用TFT-LCD驱动控制芯片电源模块设计

电源模块是TFT-LCD驱动控制芯片内置模拟电路的一个重要组成部分,其性能直接影响着芯片的功耗以及彩屏手机的显示画质。文章从TFT-LCD的驱动原理出发,提出了一种低功耗、易调节的电源模块设计思想,所产生的电压值可实现编程控制。用Hspice对采用0.25μmCMOS工艺设计的电路进行仿真表明,系统在启动200ms后能够生成稳定、正确的驱动电源电压,其静态功耗小于2mW。     

EBoot下USB下载功能的实现

在基于WinCE构建的嵌入式系统中EBoot下载功能尤为重要。EBoot原始方案中具有网口与串口下载的实现而缺乏通过USB进行下载的功能。在USB功能单元层次上提出一种数据传输协议,并基于此协议在SEP5010嵌入式平台上实现EBoot下的USB数据传输,从而实现EBoot对USB下载功能的支持。实验结果表明,该方案可以达到799 kB/s的数据平均传输速度,在不增加额外电路的前提下实现了SEP5010平台上EBoot的USB数据下载功能。     

FOX-7在DMF/H2O二元体系中的冷却结晶动力学

为解决直接合成所得1,1-二氨基-2,2-二硝基乙烯(FOX-7)存在的晶体形貌不规则,粒度分布不均匀等问题,采用激光动态法和间歇动态法分别测定了FOX-7在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)与水(H2O)二元体系(V(DMF)∶V(H2O)=7∶3)中的溶解度和超溶解度及冷却结晶动力学数据,利用最小二乘法拟合得到了晶体成核速率与生长速率方程。结果表明,FOX-7在上述体系中溶解度方程为lnx=16.42-5019.51/T-0.45lnT;在冷却结晶过程中呈粒度无关生长模型;在成核速率与生长速率方程中,过饱和比S的指数分别为0.61与0.45,悬浮密度MT指数的为2.30,搅拌强度ωr的指数为0.22。     

利用相位差变化趋势的多源信号关联

针对多源信号关联难度大、关联准确率低的问题,利用同一目标平台上搭载的多个辐射源信号具有一致的动态变化趋势这一特点,提出一种利用相位差特征的多源信号关联方法。已知阵列形式和侦测点位置,通过对侦收到的多个辐射源信号进行处理,获取相位差信息并累积形成相位差变化趋势;对比提取疑似相似段,根据相似性判决策略进行有效关联。该方法能有效避免不同传感器对位置测量的误差影响,相比传统基于位置信息关联的方法,能有效提升关联准确率。仿真和实测数据分析证明了该方法的有效性,在阵列形式和侦测点位置已知的条件下该方法具有重要工程意义。     

基于导向滤波器的医学图像融合方法

针对医学图像融合过程中易产生人造纹理的问题,本文将引导滤波器应用到医学图像融合中,有效提高融合图像的空间连续性,减少人造纹理的产生。首先利用导向滤波器的细节增强特性获得图像的细节层信息,主要通过导向滤波器对原图像进行滤波处理得到其基础层图像信息,再与原图像作差运算即可得细节层图像信息;然后采用基于含可变参数p的邻域统计特性融合规则得到图像融合权值系数,该融合规则在原有的邻域统计特性中加入可变参数p,可以有效增强融合图像的细节信息;最后将原图像按照所得的图像融合权值系数进行融合,得到最终的融合图像。实验仿真结果对比分析表明,随着可变参数p的变化,融合效果也有明显的提高,当p10后,融合效果基本趋于平稳。该融合方法可以有效地实现医学图像融合,与其他融合方法相比,具有一定的优越性。     

EMC电场辐射发射测量不确定度评定

根据实际测试环境,依据GJB 152A-97的测试方法对RE102的测量结果进行不确定度来源的分析并评定,增强了测量结果的可信度.     

一种面向RS码的卷积交织与解交织器的设计

采用了构造计数器来生成SRAM的读写地址的方法,设计了一种符合DVB-C标准,面向RS（204,188）码的卷积交织和解交织器．交织深度为12,单元深度为17。这种卷积交织和解交织器结构简单,性能良好,由于采用了单端口RAM,所以比一般的采用双端口RAM的设计节省了30％的电路面积。     

Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究

用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KoH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AIN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错.     

GaN材料的高速生长对其C污染以及光致发光光谱的影响

利用金属有机化学气相沉积对GaN的高速生长进行了研究.结果表明,随着GaN生长速率的提高,其非故意掺杂的C含量也在提高,并且呈现出良好的线性关系.当生长速率由2μm/h增加至7.2μm/h时,利用SIMS测量发现其GaN中的C含量由2.9×1017增加至5.7×1018 cm-3 .研究表明,N空位的存在与C浓度之间存在紧密的联系。在高氨气分压生长条件下,N空位的浓度也在急剧下降。此时,与具有相近生长速率的常规样品相比,其C含量几乎下降了一个数量级。.光致发光光谱表明,黄带以及蓝带的强度与C污染存在线性关系.这个结果也证实了与C相关的缺陷是导致黄带以及蓝带发光的主要来源。