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21.
22.
锅炉"四管"泄漏是造成火力发电机组强迫停运的最主要原因,分类统计了"四管"泄漏事件,分析了"四管"泄漏多发与典型事件的原因,提出了行之有效的防治措施,降低了机组强迫停运次数。 相似文献
23.
Au-AlGaN/GaN HFET研制与器件特性 总被引:13,自引:7,他引:6
报道了栅长为1.5μm Au-AlGaN/GaN HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果.同时,研究了器件经300℃、30min热处理对器件性能的影响,并对比了热处理前后器件的室温特性.实验证明:室温下,器件具有良好的输出特性和肖特基结伏安特性,反向漏电流较小,最大跨导可达47mS/mm;经过300℃、30min热处理后器件的室温输出特性有显著改善,而且器件饱和压降明显降低,说明300℃热处理没有给器件造成不可恢复的破坏. 相似文献
24.
25.
26.
提出一种灰色-马尔科夫综合风速预测模型。该模型由灰色GM(1,1)模型使得小时风速序列数据近似平稳,然后由马尔科夫模型通过状态转移概率矩阵预测风速。仿真结果验证了所提方法的有效性。 相似文献
27.
28.
硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究 总被引:22,自引:0,他引:22
本文论述了硅基MEMS标准工艺,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺.深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术.体硅工艺主要进行了以下研究:硅/硅键合、硅/镍/硅键合、硅/玻璃键合工艺及其优化;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究.表面牺牲层工艺主要进行了下列研究:多晶硅薄膜应力控制工艺;防粘附技术的研究与开发. 相似文献
29.
喷雾热分解法制备SnO2透明导电薄膜 总被引:2,自引:0,他引:2
利用压缩空气气雾化器,通过喷雾热分解法,以SnCl2.2H2O为原料,在载玻片上成功制备了SnO2薄膜,在110℃到365℃间的不同沉积温度下进行镀膜,考察了沉积温度,沉积时间对SnO2薄膜制备的影响,结果表明,在325℃的沉积温度下,薄膜已晶化,随着温度升高,喷雾时间增加,方块电阻降低325℃下的样品在可见光区透射率达80%以上,近红外区透射率达90%以上。 相似文献
30.
本文介绍了一种新型单列隧道式干燥窑,该窑多点进气,多点排湿,可调性强,干燥均匀,能够最大限度地满足工艺要求. 相似文献