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991.
研究了在各种各样的晶体管中高于最低限度的坡面外层上覆盖硅氮化物和栅氧化物被氮化的影响,同时制作出具有高、低压晶体管的硅晶片.当干燥氧化物和降低化学蒸汽的压力使之凝固的2个步骤( LPCVD )被用于厚栅氧化物时,薄栅氧化物被氮氧化改善.薄栅氧化物的厚度是4.5nm,厚栅氧化物的厚度为29nm.低压nMOS和pMOS不显示出任何驼峰,高压pMOS也一样.高压nMOS高于最低限度的驼峰取决于工艺条件.它表明没有覆盖硅氮化层的严重驼峰取决于经过LPCVD的内部涂层氧化沉淀后化学处理期间的湿度扩散.这说明,采用氮氧化物阻止水汽扩散防止驼峰的方法是有效的. 相似文献
992.
对正则表达式集合进行分组是解决DFA状态膨胀问题的一种重要方法.已有的分组算法大都是启发式的或蛮力的,分组效果很差.分析了DFA状态膨胀的原因,总结了某些正则表达式间的冲突状况.证明了当冲突非负和冲突独立时,正则表达式集合的最优k分组问题可归结为最大k割问题,从而说明该问题是NP-Hard的.基于局部搜索的思想,提出了一种分组算法GRELS来解决分组问题,并证明对最大k割问题,该算法的近似比是1/(1-1/k)与已有的分组算法相比,当分组数目相同时,GRELS算法分组结果的状态总数最少,并且集合发生变化时所需的更新时间最短. 相似文献
993.
994.
可控挤压油膜阻尼器轴承主动鲁棒H^∞控制转子系统振动 总被引:2,自引:1,他引:2
在可控挤压油膜阻尼器轴承主动施力方案的基础上,用它产生的非线性油膜力主动逼近线性转子系统的次优H^∞控制力,从而实现用中控挤压渍膜阻尼器轴承主动控制转子系统振动的目标。其中,线性转子系统振动的H^∞控制是在衰减转子的不平衡响应和对系统结构参数不确定性的不敏感的情况下综合而成的。 相似文献
995.
996.
997.
998.
柳玉凤 《机械工人(热加工)》1983,(12)
煤矸石是采煤过程中的副产品,可以将其煅烧研磨成熔模铸造用砂。我厂在生产中用于制造型壳,收到了良好的效果。煤矸石属于中硅系列的耐火材料,主要化学成分是Al_2O_3和SiO_2,其相组成物是莫来石和石英。精铸用煤矸石砂,是经1300℃煅烧后研磨成的。 相似文献
999.
在电镀过程中,为了使阴极附近的金属离子不致贫乏,提高阴极电流密度的上限,加速沉积过程,通常通过搅拌电解液的方法来实现。但搅拌常要搅起槽底、槽壁的沉淀及附着物等,从而造成镀件粗糙和毛刺,严重影响电镀产品质量。即使配合阳极袋、阳极护筐或阴极护筐,仍不可避免。因此在大批量生产中不得不尽量缩短过滤镀液的周期。若采用连续过滤措施,虽 相似文献
1000.